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TPS20xxB-Q1 配電開(kāi)關(guān)適用于可能遇到高電容負(fù)載和短路的應(yīng)用。這些器件集成了 105mΩ N 溝道 MOSFET 電源開(kāi)關(guān)，適用于需要在單個(gè)封裝中集成多個(gè)電源開(kāi)關(guān)的配電系統(tǒng)。每個(gè)開(kāi)關(guān)都由一個(gè)邏輯使能輸入控制。柵極驅(qū)動(dòng)由內(nèi)部電荷泵提供，旨在控制電源開(kāi)關(guān)的上升時(shí)間和下降時(shí)間，以最大限度地減少開(kāi)關(guān)期間的電流浪涌。該電荷泵無(wú)需外部元件，并允許在低至 2.7 V 的電源下工作。
*附件：tps2042b-q1.pdf

當(dāng)輸出負(fù)載超過(guò)限流閾值或出現(xiàn)短路時(shí)，該器件通過(guò)切換到恒流模式，將過(guò)流（OCx）邏輯輸出拉低，將輸出電流限制在安全水平。當(dāng)持續(xù)的嚴(yán)重過(guò)載和短路增加開(kāi)關(guān)中的功率耗散，導(dǎo)致結(jié)溫升高時(shí)，熱保護(hù)電路會(huì)關(guān)閉開(kāi)關(guān)以防止損壞。一旦器件充分冷卻，就會(huì)自動(dòng)從熱關(guān)斷中恢復(fù)。內(nèi)部電路確保開(kāi)關(guān)保持關(guān)閉狀態(tài)，直到出現(xiàn)有效的輸入電壓。該配電開(kāi)關(guān)旨在將電流限制設(shè)置為 1 A（典型值）。

特性

適用于汽車應(yīng)用
符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)果如下：
- 器件溫度等級(jí) 1：-40°C 至 125°C 環(huán)境工作溫度范圍
- 器件 HBM ESD 分類 2 級(jí)
- 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C6
- 器件 MM ESD 分類等級(jí) M0
105mΩ 高側(cè) MOSFET
500mA 連續(xù)電流
熱保護(hù)和短路保護(hù)
精確電流限制：0.75 A（最小值）、1.25 A（最大值）
工作范圍：2.7 V 至 5.5 V
0.6 ms 典型上升時(shí)間
欠壓鎖定
抗毛刺故障報(bào)告（OC)
上電期間無(wú) OC 毛刺
最大待機(jī)電源電流：1 μA（單通道、雙通道）或 2 μA（三通道、四通道）
雙向開(kāi)關(guān)

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

TPS2042B-Q1是一款限流電源分配開(kāi)關(guān)，專為可能遇到重電容負(fù)載和短路情況的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件通過(guò)了AEC-Q100認(rèn)證，適用于汽車應(yīng)用，并集成了105-mΩ的N通道MOSFET功率開(kāi)關(guān)。

2. 主要特性

?AEC-Q100認(rèn)證?：適用于汽車級(jí)應(yīng)用。
?溫度范圍?：-40°C至125°C的工作環(huán)境溫度范圍。
?ESD保護(hù)?：HBM ESD等級(jí)2，CDM ESD等級(jí)C6，MM ESD等級(jí)M0。
?高側(cè)MOSFET?：具有105-mΩ的低導(dǎo)通電阻。
?連續(xù)電流?：最大連續(xù)電流為500mA。
?保護(hù)功能?：包括熱保護(hù)和短路保護(hù)。
?電流限制?：準(zhǔn)確的電流限制，范圍在0.75A至1.25A之間。
?工作電壓?：支持2.7V至5.5V的工作電壓范圍。
?上升時(shí)間?：典型值為0.6ms。
?欠壓鎖定?：防止在低電壓條件下工作。
?故障報(bào)告?：去抖動(dòng)故障報(bào)告（OC），上電時(shí)無(wú)OC抖動(dòng)。
?待機(jī)電流?：最大待機(jī)供電電流為1μA（單/雙通道）或2μA（三/四通道）。
?雙向開(kāi)關(guān)?：支持雙向電流流動(dòng)。

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

?重電容負(fù)載?：適用于需要處理重電容負(fù)載的電路。
?短路保護(hù)?：為電路提供短路保護(hù)功能，防止損壞。

4. 功能描述

?電源開(kāi)關(guān)?：N通道MOSFET設(shè)計(jì)，防止反向電流。
?電荷泵?：內(nèi)部電荷泵提供驅(qū)動(dòng)電壓，無(wú)需外部組件。
?驅(qū)動(dòng)電路?：控制MOSFET柵極電壓，減少EMI。
?使能輸入?：邏輯低電平使能電源開(kāi)關(guān)。
?過(guò)流保護(hù)?：遇到過(guò)流或過(guò)熱時(shí)，OCx輸出低電平。
?電流感應(yīng)?：使用感測(cè)FET監(jiān)測(cè)電流，提高效率。
?熱保護(hù)?：防止長(zhǎng)時(shí)間過(guò)載或短路導(dǎo)致的損壞。
?欠壓鎖定?：監(jiān)測(cè)輸入電壓，低于閾值時(shí)關(guān)閉開(kāi)關(guān)。

5. 封裝與尺寸

?封裝類型?：SOIC（D）8引腳封裝。
?封裝尺寸?：4.90mm x 6.00mm。

6. 典型應(yīng)用

?USB應(yīng)用?：適用于USB主機(jī)、自供電集線器和總線供電集線器。
?熱插拔應(yīng)用?：控制插入設(shè)備時(shí)的電流和電壓涌流。

7. 設(shè)計(jì)指導(dǎo)

?輸入電容?：推薦在IN和GND之間放置0.01-μF至0.1-μF的陶瓷旁路電容。
?輸出電容?：在輸出負(fù)載較重時(shí)，建議添加高值電解電容。
?布局建議?：旁路電容應(yīng)靠近IN和GND引腳，使用低電感跡線連接。

8. 熱管理

?熱阻?：結(jié)到環(huán)境的熱阻為117.2°C/W。
?功率耗散與結(jié)溫?：根據(jù)rDS(ON)、輸入電壓和操作溫度計(jì)算功率耗散和結(jié)溫。

9. 文檔與支持

?相關(guān)鏈接?：提供技術(shù)文檔、支持資源、工具和軟件的快速訪問(wèn)鏈接。
?更新通知?：可訂閱更新以接收文檔變更通知。
?支持論壇?：TI E2E論壇提供設(shè)計(jì)幫助和專家解答。

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