引言 ? 光刻膠又稱“光致抗蝕劑”或“光阻劑”,被廣泛應用于光電信息產業的微細圖形線路的加工制作,是微納制造技術的關鍵性材料。 光刻膠是光刻工藝最重要的耗材,其性能決定了加工成品的精密程度和良品率
2022-04-25 17:35:22
9673 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/3F/32/pYYBAGJmaDKAClS7AAZN7z1RzZ0553.png)
光刻膠為何要謀求國產替代?中國國產光刻膠企業的市場發展機會和挑戰如何?光刻膠企業發展要具備哪些核心競爭力?在南京半導體大會期間,徐州博康公司董事長傅志偉和研發總監潘新剛給我們帶來前沿觀點和獨家分析。
2022-08-29 15:02:23
6063 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/66/47/pYYBAGMMZpmAQIqFAALARFK4WSc530.png)
近日,上海新陽發布公告稱,公司自主研發的KrF(248nm)厚膜光刻膠產品已經通過客戶認證,并成功取得第一筆訂單,取得不錯進展。 ? 光刻膠用于半導體光刻工藝環節,是決定制造質量的重要因素,根據曝光
2021-07-03 07:47:00
23837 ,增幅11.11%。 ? 截圖自企查查 ? 光刻膠是芯片制造中光刻環節的重要材料,目前主要被日美把控,國內在光刻膠方面投入研制的廠商主要晶瑞股份、南大光電、上海新陽、徐州博康、北京科華等,那么華為投資的徐州博康在光刻膠方面有何優勢,國內廠商在光
2021-08-12 07:49:00
5462 電子發燒友原創 章鷹 ? 近日,全球半導體市場規模增長帶動了上游半導體材料旺盛需求,“光刻膠”的突破也成為國內關注焦點。正當日本光刻膠企業JSR、東京應化和美國Lam Research在EUV光刻膠
2022-08-31 07:45:00
2788 :1倍的在硅片上直接分步重復曝光系統。 光致抗蝕劑 簡稱光刻膠或抗蝕劑,指光照后能改變抗蝕能力的高分子化合物。光蝕劑分為兩大類。①正性光致抗蝕劑:受光照部分發生降解反應而能為顯影液所溶解。留下的非
2012-01-12 10:51:59
一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型:正性光刻和負性光刻,區別如下
2021-01-12 10:17:47
關于光刻工藝的原理,大家可以想象一下膠片照片的沖洗,掩膜版就相當于膠片,而光刻機就是沖洗臺,它把掩膜版上的芯片電路一個個的復制到光刻膠薄膜上,然后通過刻蝕技術把電路“畫”在晶圓上。 當然
2020-07-07 14:22:55
MEMS、芯片封裝和微加工等領域。目前,直接采用 SU8光刻膠來制備深寬比高的微結構與微零件已經成為微加工領域的一項新技術。在微流控芯片加工中,SU-8主要用于快速模塑法加工PDMS微流控芯片。運用
2018-07-12 11:57:08
提高,才能符合集成工藝制程的要求 [3]。以下幾點為光刻膠制造中的關鍵技術:配方技術、超潔凈技術、超微量分析技術及應用檢測能力。 制程特性要求有:涂布均勻性、靈敏度、分辨率及制程寬容度。2 光刻膠的反應
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱為光致抗蝕劑,是一種光敏材料,它受到光照后特性會發生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負膠之分。正膠經過曝光后,受到光照的部分變得容易溶解,經過顯影后被
2019-11-07 09:00:18
這是我的版圖一部分,然后生成了圖案是這樣的: 感覺間距小的地方全都有殘留,間距大的地方沒有殘留;工藝參數:s9920光刻膠, evg 620‘未進行蒸汽底漆層涂覆,前烘:100攝氏度,90s
2016-11-29 14:59:18
。如,美國的高通、博通、AMD,中國***的聯發科,大陸的華為海思、展訊等。國內單片機芯片:核心設備單片機芯片良品率取決于晶圓廠整體水平,但加工精度完全取決于核心設備,就是前面提到的“光刻機”。光刻
2018-09-03 16:48:04
`我們國家的機器人企業跟國外的還有很大差距,比如上游核心元器件沒有市場競爭力,技術含量低、建模分析能力不足等等。國內機器人企業需要突破的地方還有很多,最需要的就是靜下心來專研產品和技術。多向國外學習。`
2017-07-10 15:02:32
我們國家的機器人企業跟國外的還有很大差距,比如上游核心元器件沒有市場競爭力,技術含量低、建模分析能力不足等等。國內機器人企業需要突破的地方還有很多,最需要的就是靜下心來專研產品和技術。多向國外學習。
2017-07-10 15:02:32
AL-CU互連導線側壁孔洞形成機理及改進方法側壁孔洞缺陷是當前Al?Cu 金屬互連導線工藝中的主要缺陷之一。此種缺陷會導致電遷移,從而降低器件的可靠性。缺陷的產生是由于在干法等離子光刻膠去除工藝
2009-10-06 09:50:58
EMC設計、工藝技術基本要點和問題處理流程推薦給大家參考。。
2015-08-25 12:05:04
半導體制造領域的標志:NR9-PY 系列負性光刻膠,適用于lift-off工藝;具有高效粘附性,高反應速度并耐高溫性能好。 NR71-PY 系列 負性光刻膠,適用于lift-off工藝,耐高溫性能好
2010-04-21 10:57:46
環境濕度太大,使膠與玻璃表面粘附不良。因此,得注意做好玻璃表面清潔處理和操作的環境的溫,濕度及清潔工作。2)光刻膠配制有誤或膠陳舊不純,膠的光化學反應性能不好,使膠與ITO層成健能力差,或者膠膜不均勻
2018-11-22 16:04:49
的雜質和油污洗凈,然后把水除去并干燥,保證下道工藝的加工質量。C. 涂光刻膠:在ITO玻璃的導電層面上均勻涂上一層光刻膠,涂過光刻膠的玻璃要在一定的溫度下作預處理。D. 前烘:在一定的溫度下將涂有
2019-07-16 17:46:15
、芯片封裝和微加工等領域。目前,直接采用 SU- 8 光刻膠來制備深寬比高的微結構與微零件已經成為微加工領域的一項新技術。SU 8光刻膠光刻前清洗工藝:為了獲得更好的光刻效果,在進行光刻膠旋涂之前,需要
2018-07-04 14:42:34
lithography是一種平板印刷技術,在平面光波回路的制作中一直發揮著重要的作用。具體過程如下:首先在二氧化硅為主要成分的芯層材料上面,淀積一層光刻膠;使用掩模版對光刻膠曝光固化,并在
2018-08-24 16:39:21
書籍:《炬豐科技-半導體工藝》文章:光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號:JFSJ-21-0作者:炬豐科技網址:http
2021-07-06 09:39:22
。光刻膠的圖案通過蝕刻劑轉移到晶片上。沉積:各種材料的薄膜被施加在晶片上。為此,主要使用兩種工藝,物理氣相沉積 (PVD) 和化學氣相沉積 (CVD)。制作步驟:1.從空白晶圓開始2.自下而上構建
2021-07-08 13:13:06
的關鍵。這包括使用新的材料讓沉積過程變得更為精準的創新技術。光刻膠涂覆晶圓隨后會被涂覆光敏材料“光刻膠”(也叫“光阻”)。光刻膠也分為兩種——“正性光刻膠”和“負性光刻膠”。正性和負性光刻膠的主要
2022-04-08 15:12:41
光刻技術中,涂有光刻膠的硅片與掩膜版直接接觸.由于光刻膠和掩膜版之間緊密接觸,因此可以得到比較高的分辨率.接觸式暴光的主要問題是容易損傷掩膜版和光刻膠.當掩膜版與硅片接觸和對準時,硅片上很小的灰塵
2012-01-12 10:56:23
和(SHOWA)配件富臨設備配件、鉆石砂輪、鉆石研磨液、光刻膠、東進光刻膠、安智光刻膠、蝕刻液、去光阻液、固態臘、日東藍白膜、鈹銅針、鎢鋼針`高溫吸嘴等LED芯片及封裝設備相關的配件和耗材 咨詢電話
2008-08-27 10:18:39
,LIGA是X射線光刻技術的德語簡稱,于1982年由德國卡爾斯魯厄核研究中心開發出來。LIGA技術的工藝步驟如圖4.7所示,包括對基片上光刻膠的X射線光刻、光刻膠顯影、在光刻膠結構上的金屬電鑄、從光刻膠結構中
2020-05-12 17:27:14
業界對哪種半導體工藝最適合某一給定應用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用,但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP
2019-07-05 08:13:58
業界對哪種半導體工藝最適合某一給定應用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用,但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP
2019-08-20 08:01:20
噴膠機是現代光電子產業中光刻膠涂布的重要設備。可對不同尺寸和形狀的基片進行涂膠,最大涂膠尺寸達8寸,得到厚度均勻的光刻膠層,同時可對大深寬比結構的側壁進行均勻涂膠;通過計算機系統控制器進行工藝參數的編輯和操作。
2020-03-23 09:00:57
圖形反轉工藝用于金屬層剝離的研究研究了AZ?5214 膠的正、負轉型和形成適用于剝離技術的倒臺面圖形的工藝技術。用掃描電鏡和臺階儀測試制作出的光刻膠斷面呈倒臺面,傾角約為60°,膠厚1?4μm。得到
2009-10-06 10:05:30
如何提高多層板層壓品質在工藝技術
2021-04-25 09:08:11
本人是菜鳥 需要在玻璃上光刻普通的差值電極 以前一直在硅片上面光刻 用的光刻膠是AZ5214E 正膠 同樣的工藝和參數在玻璃上附著力差了很多 懇請哪位高人指點一下PS 插值電極的距離為25微米 小女子這廂謝過了
2010-12-02 20:40:41
一.工藝流程簡述: 前段工位: ITO 玻璃的投入(grading)—— 玻璃清洗與干燥(CLEANING)——涂光刻膠(PR COAT)——前烘烤(PREBREAK)——曝光(DEVELOP
2016-06-30 09:03:48
涂敷光刻膠 光刻制造過程中,往往需采用20-30道光刻工序,現在技術主要采有紫外線(包括遠紫外線)為光源的光刻技術。光刻工序包括翻版圖形掩膜制造,硅基片表面光刻膠的涂敷、預烘、曝光、顯影、后烘、腐蝕
2019-08-16 11:11:34
技術溶解去除曝光區域或未曝光區域,使掩模板上的電路圖轉移到光刻膠上,最后利用刻蝕技術將圖形轉移到硅片上。 而光刻根據所采用正膠與負膠之分,劃分為正性光刻和負性光刻兩種基本工藝。 在正性光刻中,正
2020-07-07 11:36:10
151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會有一撮殘留,找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
受制于人。最近一段時間,系統和芯片更是頻頻傳來好消息。先說系統華為鴻蒙2.0系統在9月10號亮相,同時余承東宣布將以捐贈開源基金會的形式,對華為鴻蒙系統進行開源。根據后臺數據,鴻蒙系統上線短短幾個小時
2020-09-18 10:26:45
PMT-2離線光刻膠微粒子計數器是一款新型液體顆粒監測儀器。采用激光光散或光阻原理的顆粒檢測傳感器,可以對超純水、自來水、飲用水、去離子水、礦泉水、蒸餾水、無機化學品、有機化學品、有機溶劑、清洗劑
2022-12-14 10:44:24
PMT-2在線光刻膠液體粒子計數器,采用英國普洛帝核心技術創新型的第八代雙激光窄光顆粒檢測傳感器,雙精準流量控制-精密計量柱塞泵和超精密流量電磁控制系統,可以對清洗劑、半導體、超純水
2023-01-03 15:54:49
光刻膠(光敏膠)進行光刻,將圖形信息轉移到基片上,從而實現微細結構的制造。光刻機的工作原理是利用光學系統將光線聚焦到光刻膠上,通過掩膜版(也稱為光刻掩膜)上的圖形
2023-07-07 11:46:07
我國導航電子地圖核心技術仍受制于人
在導航電子地圖方面,中國擁有電子地圖生產資質的企業有十一家,但真正能夠提供導航電子地圖的只有六家左右。電子地
2010-03-25 17:50:30
642 光刻膠與光刻工藝技術 微電路的制造需要把在數量上精確控制的雜質引入到硅襯底上的微小 區域內,然后把這些區域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 國外在LED封裝方面的研發力量不僅僅是集中在結構上面,而且對封裝材料也有大力的研究。而中國主要集中在LED封裝結構的設計上,當要用到某種更好的材料時,容易受制于人。
2012-11-20 15:59:16
834 在手機芯片產業,“核芯”技術受制于人是中國的軟肋,現在國產芯片初步站穩,將打響“攻芯戰”,國產手機芯片制造正在嘗試擺脫困境,在這兩大領域將可逆襲,甚至達到領跑階段。
2018-02-08 11:45:48
1885 ”級別的“神器”我國能趕超歐美嗎?特別是最近某科技媒體稱,“是什么卡了我們的脖子—— 這些“細節”讓中國難望頂級光刻機項背”,筆者根據公開資料解析我國光刻機最新進展。所謂光刻機,原理實際上跟照相機差不多
2018-07-29 11:16:00
5485 國外工業互聯網技術的利弊值得仔細權衡,因為一個不留神,工業互聯網很有可能會成為下一個受制于人的“中國芯片”。
2018-08-29 11:11:58
4095 在國家政策與市場的雙重驅動下,近年來,國內企業逐步向面板、半導體光刻膠發力……
2019-04-23 16:15:36
12869 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/8F/30/o4YBAFy-yWqAUZ19AAAcm-tBxNM760.png)
在制與反制的對抗中,核心技術和綜合實力才是不敗之道。殘酷的中美貿易戰,由于缺乏芯片等核心技術,國內眾多高新技術產業受到制約,從中興到華為,再到海康威視,一系列的“斷供“都在不斷的提醒國內企業,絕不能讓核心技術受制于人。
2019-05-23 16:36:57
1412 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/93/36/pIYBAFzmW32AJxEDAAGqBi-olLY091.png)
近日,沃衍資本攜手江蘇盛世投資、紫荊資本、深圳市投控通產新材料創業投資企業、四川潤資、北京高盟新材料等投資機構完成了對國內光刻膠領頭企業—北京科華微電子材料有限公司1.7億元的投資。
2019-06-29 10:37:46
28113 從經開區企業北京欣奕華科技有限公司(以下簡稱“欣奕華”)了解到,經過多年的行業累積和技術迭代,欣奕華在平板顯示用負性光刻膠領域實現了量產,預計今年將有1000噸的光刻膠交付用戶,約占國內市場的8%。
2019-10-28 16:38:49
3788 在國際半導體領域,我國雖已成為半導體生產大國,但整個半導體產業鏈仍比較落后。特別是由于國內光刻膠廠布局較晚,半導體光刻膠技術相較于海外先進技術差距較大,國產化不足5%。在這種條件下,國內半導體廠商積極開展研究,如晶瑞股份的KrF光刻膠,南大光電的ArF光刻膠均取得較好的研究效果。
2020-03-06 15:40:56
4211 來源:浙商證券研究院 光刻膠又稱光致抗蝕劑,是一種對光敏感的混合液體。其組成部分包括:光引發劑(包括光增感劑、光致產酸劑)、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過光化學反應,經曝光、顯影
2020-09-15 14:00:14
17012 技術水平與國際先進水平仍存在較大差距,自給率僅10%,主要集中于技術含量相對較低的PCB領域,6英寸硅片的g/i線光刻膠的自給率約為20%,8英寸硅片的KrF光刻膠的自給率不足5%,12寸硅片的ArF光刻膠目前尚沒有國內企業可以大規模生產。 基于此,新材料在線特推出【2020年光
2020-10-10 17:40:25
2978 光刻膠是由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成份組成的、對光敏感的混合液體。利用光化學反應,經曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上的圖形轉移介質,其中曝光是通過紫外光
2022-12-06 14:53:54
1289 多年來,光刻膠的研發都被列入我國高新技術計劃、重大科技項目。今年9月28日,國家發展改革委、科技部、工業和信息化部以及財政部聯合印發的《關于擴大戰略性新興產業投資培育壯大新增長點增長極的指導意見
2020-10-22 15:20:15
3287 光刻膠是微納加工過程中非常關鍵的材料。有專家表示,中國要制造芯片,光有光刻機還不夠,還得打破國外對“光刻膠”的壟斷。
2020-12-08 10:53:56
4205 稱,“ArF 光刻膠產品開發和產業化”是寧波南大光電承接國家“02 專項”的一個重點攻關項目。本次產品的認證通過,標志著“ArF 光刻膠產品開發和產業化”項目取得了關鍵性的突破,成為國內通過產品驗證的第一只國產 ArF 光刻膠。? 此舉意味著國產193nm ArF 光刻膠產
2020-12-25 18:24:09
6335 光刻是集成電路工藝中的關鍵性技術。在硅片表面涂上光刻膠薄層,經過光照、顯影,在光刻膠上留下掩模版的圖形。
2021-04-09 14:27:19
64 5月27日,半導體光刻膠概念股開盤即走強,截至收盤,A股光刻膠板塊漲幅達6.48%。其中晶瑞股份、廣信材料直線拉升大漲20%封漲停,容大感光大漲13.28%,揚帆新材大漲11.37%,南大光電
2021-05-28 10:34:15
2652 在半導體制造方面,國內廠商需要突破的不只是光刻機等核心設備,光刻膠也是重要的一環。而南大光電研發的高端ArF光刻機,已經獲得了國內某企業的認證,可用于55nm工藝制造。 南大光電發布公告稱,控股
2021-06-26 16:32:37
2225 光刻膠是光刻機研發的重要材料,換句話說光刻機就是利用特殊光線將集成電路映射到硅片的表面,如果想要硅片的表面不留下痕跡,就需要網硅片上涂一層光刻膠。
2022-02-05 16:11:00
11450 待加工基片上。其被廣泛應用于光電信息產業的微細圖形線路的加工制作,是微細加工技術的關鍵性材料。 一言以蔽之,光刻膠是光刻工藝最重要的耗材,其性能決定了加工成品的精密程度和良品率,而光刻工藝又是精密電子元器件制造
2022-01-20 21:02:46
1268 ![](http://file.elecfans.com/web2/M00/2E/39/poYBAGHpUmGAKh2mAAC31F4NbwI264.png)
摘要 新的全濕剝離工藝在去除高度注入的光刻膠時不需要干等離子體灰化工藝,同時保持低缺陷水平和至少相當于記錄工藝的高產量性能。灰化步驟的消除減少了不希望的基板損壞和材料損失,改善了周期時間,釋放
2022-03-01 14:39:43
1401 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/33/43/poYBAGIdv7CAYp1NAAB0ZoKt324153.jpg)
什么是光刻?光刻是將掩模上的幾何形狀轉移到硅片表面的過程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗;阻擋層的形成;光刻膠應用;軟烤;掩模對準;曝光和顯影;和硬烤。
2022-03-15 11:38:02
872 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/36/06/pYYBAGIwChqAXcM1AACDVmjr3O0898.png)
?OPTOLITH模塊可對成像(imaging),光刻膠曝光(exposure),光刻膠烘烤(bake)和光刻膠顯影(development)等工藝進行精確定義
2022-03-15 14:16:47
4091 本文提出了一種新型的雙層光阻劑方法來減少負光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑,選擇負光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對浮渣平均數量的影響。實驗表明,低粘度正光刻膠AZ703
2022-03-24 16:04:23
777 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/37/8D/poYBAGI8JgeAXzaJAABNWkcqTTs533.jpg)
本發明涉及一種去除光刻膠的方法,更詳細地說,是一種半導體制造用光刻膠去除方法,該方法適合于在半導體裝置的制造過程中進行吹掃以去除光刻膠。在半導體裝置的制造工藝中,將殘留在晶片上的光刻膠,在H2O
2022-04-13 13:56:42
927 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/3C/E7/pYYBAGJWZhyAHT4JAAIzx45amRA117.png)
本文的目標是討論一種新技術,它可以在保持競爭力的首席運營官的同時改善權衡。 將開發濕化學抗蝕劑去除溶液的能力與對工藝和工具要求的理解相結合,導致了用于光刻膠去除的單晶片清洗技術的發展。 該技術針對
2022-05-07 15:11:11
676 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/41/D7/poYBAGJ2G4-ALn6rAABlX_fRZdI971.png)
本文章介紹了我們華林科納一種光刻膠剝離用組合物,該組合物不僅對離子注入工藝后或離子注入工藝和高溫加熱工藝后硬化或變質為聚合物的光刻膠具有良好的去除力,而且使膜質腐蝕性最小化。半導體工藝中離子注入工藝
2022-07-01 15:16:08
1508 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/4F/14/pYYBAGK-nziAaO1IAACAC1ybbns196.jpg)
灰化,簡單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉,光刻膠的基本成分是碳氫有機物,在射頻或微波作用下,氧氣電離成氧原子并與光刻膠發生化學反應,生成一氧化碳,二氧化碳和水等,再通過泵被真空抽走,完成光刻膠的去除。
2022-07-21 11:20:17
5187 南大光電最新消息顯示,國產193nm(ArF)光刻膠研發成功,這家公司成為通過國家“02專項”驗收的ArF光刻膠項目實施主體;徐州博康宣布,該公司已開發出數十種高端光刻膠產品系列,包括
2022-08-31 09:47:14
1326 光刻膠的組成:樹脂(resin/polymer),光刻膠中不同材料的粘合劑,給與光刻膠的機械與化學性質(如粘附性、膠膜厚度、熱穩定性等);感光劑,感光劑對光能發生光化學反應;溶劑(Solvent
2022-10-21 16:40:04
16981 半導體光刻膠用光敏材料仍屬于“卡脖子”產品,海外進口依賴較重,不同品質之間價 格差異大。以國內 PAG 對應的化學放大型光刻膠(主要是 KrF、ArF 光刻膠)來看,樹脂在 光刻膠中的固含量
2022-11-18 10:07:43
2815 來源:欣奕華材料 據欣奕華材料官微消息,近日,國內光刻膠龍頭企業阜陽欣奕華材料科技有限公司(以下簡稱“阜陽欣奕華”)完成超5億元人民幣 D 輪融資。 據悉,本輪融資由盛景嘉成母基金
2023-06-13 16:40:00
602 在產品技術方面,182/210大硅片開始量產,N型電池加速商業化應用進程。我國光伏企業在PERC、TOPCon、HJT和IBC等高效電池生產技術上先后取得突破,不斷刷新電池效率的世界紀錄。
2023-06-20 15:06:10
1380 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8A/23/wKgaomSRUEGAEHRUAABx6kBWBZs476.png)
光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體,不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項重要指標。那么光刻膠的黏度為什么重要?黏度用什么表征?哪些光刻膠算高黏度,哪些算低黏度呢?
2023-11-13 18:14:11
715 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AD/FF/wKgaomVR94eAeaRHAAARFLv3TbA597.jpg)
KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術已廣 泛應用于0.13μm工藝的生產中,主要應用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產中。
2023-11-29 10:28:50
350 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B1/BB/wKgaomVmpMiABBoJAABtvKUPkow175.png)
勻膠是光刻中比較重要的一步,而旋涂速度是勻膠中至關重要的參數,那么我們在勻膠時,是如何確定勻膠速度呢?它影響光刻膠的哪些性質?
2023-12-15 09:35:56
588 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B5/87/wKgaomV7rkyAHKezAAARTuC2MZw934.png)
光刻膠主要下游應用包括:顯示屏制造、印刷電路板生產、半導體制造等,其中顯示屏是光刻膠最大的下游應用,占比30%。光刻膠在半導體制造應用占比24%,是第三達應用場景。
2024-01-03 18:12:21
501 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/BB/95/wKgaomWVM62ADvEkAAA3GiqnEac942.png)
光刻膠是一種涂覆在半導體器件表面的特殊液體材料,可以通過光刻機上的模板或掩模來進行曝光。
2024-03-04 17:19:18
792 與正光刻膠相比,電子束負光刻膠會形成相反的圖案。基于聚合物的負型光刻膠會在聚合物鏈之間產生鍵或交聯。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解,而曝光的光刻膠則保留下來,從而形成負像。
2024-03-20 11:36:50
544 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C5/18/wKgZomX6WoSAJ_o_AABHCGT3woM179.png)
光刻膠按照種類可以分為正性的、負性的。正膠受到紫外光照射的部分在顯影時被去除,負膠受到紫外光曝光的地方在顯影后被留下。
2024-04-24 11:37:05
292 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/D8/66/wKgaomYofqCABu95AAAXW01doJw266.png)
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