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電子發燒友網>工業控制>我國光刻膠工藝技術突破,國內企業受制于人

我國光刻膠工藝技術突破,國內企業受制于人

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半導體技術新進展,南大光電高端ArF光刻膠獲得突破

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光刻膠剝離工藝—《華林科納-半導體工藝

摘要 新的全濕剝離工藝在去除高度注入的光刻膠時不需要干等離子體灰化工藝,同時保持低缺陷水平和至少相當于記錄工藝的高產量性能。灰化步驟的消除減少了不希望的基板損壞和材料損失,改善了周期時間,釋放
2022-03-01 14:39:431401

晶片清洗、阻擋層形成和光刻膠應用

什么是光刻光刻是將掩模上的幾何形狀轉移到硅片表面的過程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗;阻擋層的形成;光刻膠應用;軟烤;掩模對準;曝光和顯影;和硬烤。
2022-03-15 11:38:02872

Silvaco TCAD工藝技術參數及其說明

?OPTOLITH模塊可對成像(imaging),光刻膠曝光(exposure),光刻膠烘烤(bake)和光刻膠顯影(development)等工藝進行精確定義
2022-03-15 14:16:474091

采用雙層抗蝕劑法去除負光刻膠

本文提出了一種新型的雙層光阻劑方法來減少負光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑,選擇負光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對浮渣平均數量的影響。實驗表明,低粘度正光刻膠AZ703
2022-03-24 16:04:23777

一種半導體制造用光刻膠去除方法

本發明涉及一種去除光刻膠的方法,更詳細地說,是一種半導體制造用光刻膠去除方法,該方法適合于在半導體裝置的制造過程中進行吹掃以去除光刻膠。在半導體裝置的制造工藝中,將殘留在晶片上的光刻膠,在H2O
2022-04-13 13:56:42927

用于光刻膠去除的單晶片清洗技術

本文的目標是討論一種新技術,它可以在保持競爭力的首席運營官的同時改善權衡。 將開發濕化學抗蝕劑去除溶液的能力與對工藝和工具要求的理解相結合,導致了用于光刻膠去除的單晶片清洗技術的發展。 該技術針對
2022-05-07 15:11:11676

光刻膠剝離用組合物及用其進行剝離的方法介紹

本文章介紹了我們華林科納一種光刻膠剝離用組合物,該組合物不僅對離子注入工藝后或離子注入工藝和高溫加熱工藝后硬化或變質為聚合物的光刻膠具有良好的去除力,而且使膜質腐蝕性最小化。半導體工藝中離子注入工藝
2022-07-01 15:16:081508

干法刻蝕去除光刻膠技術

灰化,簡單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉,光刻膠的基本成分是碳氫有機物,在射頻或微波作用下,氧氣電離成氧原子并與光刻膠發生化學反應,生成一氧化碳,二氧化碳和水等,再通過泵被真空抽走,完成光刻膠的去除。
2022-07-21 11:20:175187

光刻膠為何要謀求國產替代

南大光電最新消息顯示,國產193nm(ArF)光刻膠研發成功,這家公司成為通過國家“02專項”驗收的ArF光刻膠項目實施主體;徐州博康宣布,該公司已開發出數十種高端光刻膠產品系列,包括
2022-08-31 09:47:141326

光刻膠的原理和正負光刻膠的主要組分是什么

光刻膠的組成:樹脂(resin/polymer),光刻膠中不同材料的粘合劑,給與光刻膠的機械與化學性質(如粘附性、膠膜厚度、熱穩定性等);感光劑,感光劑對光能發生光化學反應;溶劑(Solvent
2022-10-21 16:40:0416981

國產光刻膠市場前景 國內廠商迎來發展良機

半導體光刻膠用光敏材料仍屬于“卡脖子”產品,海外進口依賴較重,不同品質之間價 格差異大。以國內 PAG 對應的化學放大型光刻膠(主要是 KrF、ArF 光刻膠)來看,樹脂在 光刻膠中的固含量
2022-11-18 10:07:432815

光刻膠國內頭部企業阜陽欣奕華完成超5億元D輪融資

來源:欣奕華材料 據欣奕華材料官微消息,近日,國內光刻膠龍頭企業阜陽欣奕華材料科技有限公司(以下簡稱“阜陽欣奕華”)完成超5億元人民幣 D 輪融資。 據悉,本輪融資由盛景嘉成母基金
2023-06-13 16:40:00602

我國光伏行業發展情況

在產品技術方面,182/210大硅片開始量產,N型電池加速商業化應用進程。我國光企業在PERC、TOPCon、HJT和IBC等高效電池生產技術上先后取得突破,不斷刷新電池效率的世界紀錄。
2023-06-20 15:06:101380

光刻膠黏度如何測量?光刻膠需要稀釋嗎?

光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體,不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項重要指標。那么光刻膠的黏度為什么重要?黏度用什么表征?哪些光刻膠算高黏度,哪些算低黏度呢?
2023-11-13 18:14:11715

光刻膠國內市場及國產化率詳解

KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進行光刻光刻膠。248nmKrF光刻技術已廣 泛應用于0.13μm工藝的生產中,主要應用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產中。
2023-11-29 10:28:50350

勻膠速度影響光刻膠的哪些性質?

勻膠是光刻中比較重要的一步,而旋涂速度是勻膠中至關重要的參數,那么我們在勻膠時,是如何確定勻膠速度呢?它影響光刻膠的哪些性質?
2023-12-15 09:35:56588

光刻膠分類與市場結構

光刻膠主要下游應用包括:顯示屏制造、印刷電路板生產、半導體制造等,其中顯示屏是光刻膠最大的下游應用,占比30%。光刻膠在半導體制造應用占比24%,是第三達應用場景。
2024-01-03 18:12:21501

光刻膠光刻機的區別

光刻膠是一種涂覆在半導體器件表面的特殊液體材料,可以通過光刻機上的模板或掩模來進行曝光。
2024-03-04 17:19:18792

關于光刻膠的關鍵參數介紹

與正光刻膠相比,電子束負光刻膠會形成相反的圖案。基于聚合物的負型光刻膠會在聚合物鏈之間產生鍵或交聯。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解,而曝光的光刻膠則保留下來,從而形成負像。
2024-03-20 11:36:50544

一文讀懂半導體工藝制程的光刻膠

光刻膠按照種類可以分為正性的、負性的。正膠受到紫外光照射的部分在顯影時被去除,負膠受到紫外光曝光的地方在顯影后被留下。
2024-04-24 11:37:05292

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