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標(biāo)簽 > 晶圓

晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

半導(dǎo)體行業(yè)之半導(dǎo)體材料特性(十一)

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另一個(gè)重要方面是壓力。壓強(qiáng),作為一種物質(zhì)的基本性質(zhì),通常是用于液體和氣體物質(zhì)狀態(tài)的描述量。

2023-12-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓 1221 0

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化學(xué)鍍鎳和銅工藝的應(yīng)用對(duì)導(dǎo)體和絕緣體的金屬化技術(shù)產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。印刷電路工業(yè)實(shí)際上是建立在無(wú)電鍍銅以不均勻的金屬厚度覆蓋絕緣體和導(dǎo)體的能力上的;同時(shí),...

2023-04-21 標(biāo)簽:電流半導(dǎo)體晶圓 1219 0

專用域架構(gòu)的特性有哪些

半導(dǎo)體工藝技術(shù)創(chuàng)新長(zhǎng)期以來(lái)的持續(xù)發(fā)展趨勢(shì)正在減緩。經(jīng)過(guò)幾十年對(duì)摩爾定律的顯著遵從性,即半導(dǎo)體晶圓上的晶體管密度大約每?jī)赡攴槐叮窃谶^(guò)去幾年中,晶體管...

2023-08-07 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體晶圓 1217 0

扇出型晶圓級(jí)封裝技術(shù)的優(yōu)勢(shì)分析

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扇出型晶圓級(jí)封裝技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于能夠利用高密度布線制造工藝,形成功率損耗更低、功能性更強(qiáng)的芯片封裝結(jié)構(gòu),讓系統(tǒng)級(jí)封裝(System in a Packag...

2023-10-25 標(biāo)簽:英飛凌芯片晶圓 1215 0

頂層金屬AI工藝的制造流程

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頂層金屬 AI工藝是指形成頂層金屬 AI 互連線。因?yàn)?Cu很容易在空氣中氧化,形成疏松的氧化銅,而且不會(huì)形成保護(hù)層防止銅進(jìn)一步氧化,另外,Cu 是軟金...

2024-11-25 標(biāo)簽:晶圓工藝光刻膠 1200 0

晶圓制造及直拉法知識(shí)介紹

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晶圓是集成電路、功率器件及半導(dǎo)體分立器件的核心原材料,超過(guò)90%的集成電路均在高純度、高品質(zhì)的晶圓上制造而成。晶圓的質(zhì)量及其產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)能力,直接關(guān)乎集成...

2025-01-09 標(biāo)簽:晶圓晶圓制造 1194 0

源漏離子注入工藝的制造流程

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與亞微米工藝類似,源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區(qū)重?fù)诫s的工藝,降低器件有源區(qū)的串聯(lián)電阻,提高器件的速度。同時(shí)源漏離子注入也會(huì)形成n型和p型阱接...

2024-11-09 標(biāo)簽:晶圓工藝離子注入 1189 0

晶圓制備工藝與清洗工藝介紹

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晶圓制備是材料科學(xué)、熱力學(xué)與精密控制的綜合體現(xiàn),每一環(huán)節(jié)均凝聚著工程技術(shù)的極致追求。而晶圓清洗本質(zhì)是半導(dǎo)體工業(yè)與污染物持續(xù)博弈的縮影,每一次工藝革新都在...

2025-05-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓清洗工藝 1188 0

封裝功能設(shè)計(jì)及基本工藝流程

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在晶圓生產(chǎn)工藝的結(jié)尾,有些晶圓需要被減薄(晶圓減薄)才能裝進(jìn)特定的封裝體重,以及去除背面損傷或結(jié);對(duì)于有將芯片用金-硅共晶封裝中的芯片背面要求鍍一層金(...

2023-11-29 標(biāo)簽:芯片晶圓芯片封裝 1186 0

晶圓為什么要減薄

300mm晶圓的厚度為775um,200mm晶圓的度為725um,這個(gè)厚度在實(shí)際封裝時(shí)太厚了。前段制程中晶圓要被處理、要在設(shè)備內(nèi)和設(shè)備間傳送,這時(shí)候上面...

2024-12-24 標(biāo)簽:晶圓封裝 1186 0

CP測(cè)試與FT測(cè)試的區(qū)別

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在集成電路(IC)制造與測(cè)試過(guò)程中,CP(ChipProbing,晶圓探針測(cè)試)和FT(FinalTest,最終測(cè)試)是兩個(gè)重要的環(huán)節(jié),它們承擔(dān)了不同的...

2024-11-02 標(biāo)簽:集成電路測(cè)試晶圓 1183 0

為什么45納米至130納米的工藝節(jié)點(diǎn)如此重要呢?

為什么45納米至130納米的工藝節(jié)點(diǎn)如此重要呢?

如今,一顆芯片可以集成數(shù)十億個(gè)晶體管,晶體管排列越緊密,所需的工藝節(jié)點(diǎn)就越小,某些制造工藝已經(jīng)達(dá)到 5 納米甚至更小的節(jié)點(diǎn)。

2024-04-11 標(biāo)簽:晶圓晶體管嵌入式設(shè)備 1182 0

EDA探索:MOSFET Scaling-3D Era

目前主流的實(shí)現(xiàn)方式是使用絕緣體上硅(Silicon on Insulator)技術(shù)。使用等離子體浸沒(méi)注入或者晶圓鍵合技術(shù)制造SOI Wafer,在硅下面...

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TI在猶他州開(kāi)始建設(shè)新的300毫米晶圓廠

在猶他州李海,德州儀器 (TI) 開(kāi)始建設(shè)其 300 毫米半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)設(shè)施(或“晶圓廠”)。TI 總裁兼首席執(zhí)行官 Haviv Ilan 在州和地方民...

2023-11-14 標(biāo)簽:嵌入式ti晶圓 1173 0

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2024-01-16 標(biāo)簽:晶圓晶體管SiC 1169 0

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MEMS是Micro Electro Mechanical Systems(微機(jī)電系統(tǒng))的縮寫,具有微小的立體結(jié)構(gòu)(三維結(jié)構(gòu)),是處理各種輸入、輸出信號(hào)...

2023-10-12 標(biāo)簽:mems晶圓芯片制造 1161 0

晶圓封裝過(guò)程缺陷解析

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在半導(dǎo)體制造流程中,晶圓測(cè)試是確保產(chǎn)品質(zhì)量和性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。與此同時(shí)封裝過(guò)程中的缺陷對(duì)半導(dǎo)體器件的性能和可靠性具有重要影響,本文就上述兩個(gè)方面進(jìn)行介紹。

2024-11-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓碳化硅 1149 0

一文詳解干法刻蝕工藝

一文詳解干法刻蝕工藝

干法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造的核心工藝模塊,通過(guò)等離子體與材料表面的相互作用實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)刻蝕,其技術(shù)特性與工藝優(yōu)勢(shì)深刻影響著先進(jìn)制程的演進(jìn)方向。

2025-05-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓刻蝕工藝 1148 0

倒裝芯片,挑戰(zhàn)越來(lái)越大

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正在開(kāi)發(fā)新的凸點(diǎn)(bump)結(jié)構(gòu)以在倒裝芯片封裝中實(shí)現(xiàn)更高的互連密度,但它們復(fù)雜、昂貴且越來(lái)越難以制造。

2023-05-23 標(biāo)簽:晶圓封裝內(nèi)存 1147 0

干法蝕刻異向機(jī)制的原理解析

干法蝕刻異向機(jī)制的原理解析

無(wú)偏差的刻蝕過(guò)程,我們稱之為各向異性刻蝕。為了更清晰地理解這一過(guò)程,我們可以將其拆解為幾個(gè)基本環(huán)節(jié)。首先,第一個(gè)環(huán)節(jié)是刻蝕氣體的處理,這些氣體在等離子體...

2024-12-17 標(biāo)簽:晶圓刻蝕 1145 0

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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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