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標(biāo)簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。
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半導(dǎo)體行業(yè)之半導(dǎo)體材料特性(十一)
另一個(gè)重要方面是壓力。壓強(qiáng),作為一種物質(zhì)的基本性質(zhì),通常是用于液體和氣體物質(zhì)狀態(tài)的描述量。
化學(xué)鍍鎳和銅工藝的應(yīng)用對(duì)導(dǎo)體和絕緣體的金屬化技術(shù)產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。印刷電路工業(yè)實(shí)際上是建立在無(wú)電鍍銅以不均勻的金屬厚度覆蓋絕緣體和導(dǎo)體的能力上的;同時(shí),...
半導(dǎo)體工藝技術(shù)創(chuàng)新長(zhǎng)期以來(lái)的持續(xù)發(fā)展趨勢(shì)正在減緩。經(jīng)過(guò)幾十年對(duì)摩爾定律的顯著遵從性,即半導(dǎo)體晶圓上的晶體管密度大約每?jī)赡攴槐叮窃谶^(guò)去幾年中,晶體管...
扇出型晶圓級(jí)封裝技術(shù)的優(yōu)勢(shì)分析
扇出型晶圓級(jí)封裝技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于能夠利用高密度布線制造工藝,形成功率損耗更低、功能性更強(qiáng)的芯片封裝結(jié)構(gòu),讓系統(tǒng)級(jí)封裝(System in a Packag...
晶圓是集成電路、功率器件及半導(dǎo)體分立器件的核心原材料,超過(guò)90%的集成電路均在高純度、高品質(zhì)的晶圓上制造而成。晶圓的質(zhì)量及其產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)能力,直接關(guān)乎集成...
與亞微米工藝類似,源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區(qū)重?fù)诫s的工藝,降低器件有源區(qū)的串聯(lián)電阻,提高器件的速度。同時(shí)源漏離子注入也會(huì)形成n型和p型阱接...
晶圓制備是材料科學(xué)、熱力學(xué)與精密控制的綜合體現(xiàn),每一環(huán)節(jié)均凝聚著工程技術(shù)的極致追求。而晶圓清洗本質(zhì)是半導(dǎo)體工業(yè)與污染物持續(xù)博弈的縮影,每一次工藝革新都在...
在晶圓生產(chǎn)工藝的結(jié)尾,有些晶圓需要被減薄(晶圓減薄)才能裝進(jìn)特定的封裝體重,以及去除背面損傷或結(jié);對(duì)于有將芯片用金-硅共晶封裝中的芯片背面要求鍍一層金(...
300mm晶圓的厚度為775um,200mm晶圓的度為725um,這個(gè)厚度在實(shí)際封裝時(shí)太厚了。前段制程中晶圓要被處理、要在設(shè)備內(nèi)和設(shè)備間傳送,這時(shí)候上面...
在集成電路(IC)制造與測(cè)試過(guò)程中,CP(ChipProbing,晶圓探針測(cè)試)和FT(FinalTest,最終測(cè)試)是兩個(gè)重要的環(huán)節(jié),它們承擔(dān)了不同的...
為什么45納米至130納米的工藝節(jié)點(diǎn)如此重要呢?
如今,一顆芯片可以集成數(shù)十億個(gè)晶體管,晶體管排列越緊密,所需的工藝節(jié)點(diǎn)就越小,某些制造工藝已經(jīng)達(dá)到 5 納米甚至更小的節(jié)點(diǎn)。
2024-04-11 標(biāo)簽:晶圓晶體管嵌入式設(shè)備 1182 0
目前主流的實(shí)現(xiàn)方式是使用絕緣體上硅(Silicon on Insulator)技術(shù)。使用等離子體浸沒(méi)注入或者晶圓鍵合技術(shù)制造SOI Wafer,在硅下面...
TI在猶他州開(kāi)始建設(shè)新的300毫米晶圓廠
在猶他州李海,德州儀器 (TI) 開(kāi)始建設(shè)其 300 毫米半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)設(shè)施(或“晶圓廠”)。TI 總裁兼首席執(zhí)行官 Haviv Ilan 在州和地方民...
晶圓級(jí)立方碳化硅單晶生長(zhǎng)研究進(jìn)展
碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能,在新能源汽車、光伏和5G通訊等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用。與目前應(yīng)用廣泛的4H-...
MEMS是Micro Electro Mechanical Systems(微機(jī)電系統(tǒng))的縮寫,具有微小的立體結(jié)構(gòu)(三維結(jié)構(gòu)),是處理各種輸入、輸出信號(hào)...
在半導(dǎo)體制造流程中,晶圓測(cè)試是確保產(chǎn)品質(zhì)量和性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。與此同時(shí)封裝過(guò)程中的缺陷對(duì)半導(dǎo)體器件的性能和可靠性具有重要影響,本文就上述兩個(gè)方面進(jìn)行介紹。
干法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造的核心工藝模塊,通過(guò)等離子體與材料表面的相互作用實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)刻蝕,其技術(shù)特性與工藝優(yōu)勢(shì)深刻影響著先進(jìn)制程的演進(jìn)方向。
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