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標簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構,而成為有特定電性功能之IC產品。
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在集成電路生產過程中,晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕現象是一個常見但復雜的問題。每個環節都有可能成為晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的誘因,因此需要在生產中嚴格控制每...
晶圓切割中振動 - 應力耦合效應對厚度均勻性的影響及抑制方法
一、引言 在半導體晶圓制造流程里,晶圓切割是決定芯片質量與生產效率的重要工序。切割過程中,振動與應力的耦合效應顯著影響晶圓質量,尤其對厚度均勻性干擾嚴重...
淺切多道切割工藝對晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機制與參數優化
一、引言 在半導體制造領域,晶圓總厚度變化(TTV)是衡量晶圓質量的關鍵指標之一,直接影響芯片制造的良品率與性能。傳統切割工藝在加工過程中,易因單次切割...
切割深度動態補償技術對晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機制與參數優化
一、引言 在晶圓制造過程中,晶圓總厚度變化(TTV)是衡量晶圓質量的關鍵指標,直接影響芯片制造的良品率與性能。切割過程中,受切削力、振動、刀具磨損等因素...
晶圓切割中淺切多道工藝與切削熱分布的耦合效應對 TTV 的影響
一、引言 在半導體晶圓制造領域,晶圓總厚度變化(TTV)是衡量晶圓質量的關鍵指標,直接影響芯片制造的良品率與性能。淺切多道工藝通過分層切削降低單次切削力...
晶圓切割中深度補償 - 切削熱耦合效應對 TTV 均勻性的影響及抑制
一、引言 在晶圓制造流程中,晶圓總厚度變化(TTV)均勻性是衡量晶圓質量的核心指標,直接關系到芯片制造的良品率與性能表現 。切割深度補償技術能夠動態調整...
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