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晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

金屬層2工藝是什么

金屬層2（M2）工藝與金屬層1工藝類似。金屬層2工藝是指形成第二層金屬互連線，金屬互連線的目的是實(shí)現(xiàn)把第一層金屬或者第三層金屬連接起來。

2024-10-24 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 867 0

半導(dǎo)體WAT測(cè)試的常見結(jié)構(gòu)

WAT（Wafer Acceptance Test）測(cè)試，也叫PCM（Process Control Monitoring），對(duì)Wafer 劃片槽（Sc...

2025-06-28 標(biāo)簽：測(cè)試半導(dǎo)體晶圓 864 0

頂層金屬工藝是指什么

頂層金屬工藝是指形成最后一層金屬互連線，頂層金屬互連線的目的是實(shí)現(xiàn)把第二層金屬連接起來。頂層金屬需要作為電源走線，連接很長(zhǎng)的距離，需要比較低的電阻，需要...

2024-10-29 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 861 0

基于卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的雙重特征提取方法

機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)已被廣泛接受，并且很適合此類分類問題。基于卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的雙重特征提取方法。提出的模型使用Radon拉冬變換進(jìn)行第一次特征提取，然后將此特征輸...

2023-10-16 標(biāo)簽：集成電路晶圓 adc 857 0

什么是金屬共晶鍵合

金屬共晶鍵合是利用金屬間的化學(xué)反應(yīng)，在較低溫度下通過低溫相變而實(shí)現(xiàn)的鍵合，鍵合后的金屬化合物熔點(diǎn)高于鍵合溫度。該定義更側(cè)重于從材料科學(xué)的角度定義。

2025-03-04 標(biāo)簽：晶圓工藝鍵合 856 0

片上系統(tǒng)和晶圓有什么區(qū)別

片上系統(tǒng)（SoC）和晶圓在半導(dǎo)體行業(yè)和技術(shù)領(lǐng)域中各自扮演著不同的角色，它們之間存在明顯的區(qū)別。

2024-03-28 標(biāo)簽：晶圓 soc 片上系統(tǒng) 852 0

微機(jī)械結(jié)構(gòu)硅片的機(jī)械減薄研究

本文提出了一種用于實(shí)現(xiàn)貫穿芯片互連的包含溝槽和空腔的微機(jī)械晶片的減薄方法。通過研磨和拋光成功地使晶圓變薄，直至達(dá)到之前通過深度反應(yīng)離子蝕刻蝕刻的空腔。研...

2022-03-29 標(biāo)簽：集成電路 mems 晶圓 836 0

晶圓拋光在芯片制造中的作用

晶圓，作為芯片制造的基礎(chǔ)載體，其表面平整度對(duì)于后續(xù)芯片制造工藝的成功與否起著決定性作用。

2025-01-24 標(biāo)簽：晶圓芯片制造拋光 832 0

一文詳解濕法刻蝕工藝

濕法刻蝕作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的元老級(jí)技術(shù)，其發(fā)展歷程與集成電路的微型化進(jìn)程緊密交織。盡管在先進(jìn)制程中因線寬控制瓶頸逐步被干法工藝取代，但憑借獨(dú)特的工藝優(yōu)勢(shì)...

2025-05-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓刻蝕工藝 831 0

超短脈沖激光輔助碳化硅晶圓切片

? 當(dāng)今科技迅速發(fā)展，超短脈沖激光技術(shù)作為一項(xiàng)重要的特種加工技術(shù)，引起了廣泛關(guān)注。超短脈沖激光以其極短的脈沖寬度和高能量密度，在微納加工領(lǐng)域備受矚目。在...

2024-11-25 標(biāo)簽：晶圓脈沖激光碳化硅 830 0

單芯片處理器已達(dá)極限了嗎

多芯片設(shè)計(jì)并不新鮮，但最近5年，其受歡迎程度明顯上升，超微半導(dǎo)體公司（AMD）、蘋果、英特爾和英偉達(dá)都有不同程度的涉足。

2022-09-30 標(biāo)簽：晶圓晶體管單芯片處理器 828 0

具備簡(jiǎn)易設(shè)計(jì)、低漂移和小尺寸的集成分流器解決方案

在自動(dòng)化、便捷性和可持續(xù)性需求的推動(dòng)下，電氣化的進(jìn)步需要更多的傳感器、電力電子設(shè)備和處理器來可靠、準(zhǔn)確地感知周圍環(huán)境并做出反應(yīng)。

2023-10-11 標(biāo)簽：傳感器處理器電阻器 828 0

在超純晶圓上堆疊超高純層的外延技術(shù)

廣義而言，半導(dǎo)體基板即為晶圓。我們可以直接在晶圓表面堆疊晶體管，即半導(dǎo)體電路的基本元件，也可以構(gòu)建新的一層，將其作為基板并在上面形成器件。特別是用于通信...

2023-06-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓晶體管 822 0

邊緣芯片詳解

本文介紹了什么是邊緣芯片（edge die）。邊緣芯片（edge die）是指位于晶圓邊緣區(qū)域的芯片，由于晶圓制造過程中的掩模對(duì)準(zhǔn)誤差或晶圓切割等原因...

2024-12-24 標(biāo)簽：芯片晶圓 817 0

電池壽命—不要忽視IC的典型規(guī)格

IC生產(chǎn)方法不斷發(fā)展。長(zhǎng)期的模擬系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員可能已經(jīng)注意到，如今具有A、B和C等級(jí)的模擬器件越來越少。大多數(shù)功率器件只有一個(gè)等級(jí)。隨著晶圓直徑的增長(zhǎng)和晶...

2023-03-10 標(biāo)簽：電感器穩(wěn)壓器晶圓 814 0

等離子體蝕刻工藝對(duì)集成電路可靠性的影響

隨著集成電路特征尺寸的縮小，工藝窗口變小，可靠性成為更難兼顧的因素，設(shè)計(jì)上的改善對(duì)于優(yōu)化可靠性至關(guān)重要。本文介紹了等離子刻蝕對(duì)高能量電子和空穴注入柵氧化...

2025-03-01 標(biāo)簽：集成電路等離子體晶圓 803 0

ASML向中國臺(tái)灣增資1.4億歐元獲批，從事晶圓測(cè)量設(shè)備等代工生產(chǎn)

asml計(jì)劃投資300億臺(tái)幣，在新北市林口宮產(chǎn)業(yè)專用園區(qū)設(shè)立工廠。臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部計(jì)劃向該項(xiàng)目提供2.85億臺(tái)幣（約2900億韓元）的補(bǔ)助金，該工廠將主要把重...

2023-08-30 標(biāo)簽：晶圓光學(xué)ASML 794 0

閥門消除氣蝕破壞的方法

高振幅的振動(dòng)也會(huì)使金屬閥門零件和管道壁開裂和腐蝕。散落的金屬顆粒或者腐蝕性的化學(xué)材料都有可能會(huì)污染管道內(nèi)的介質(zhì)，在衛(wèi)生級(jí)的閥門管道上和高純度的管道介質(zhì)上...

2024-02-26 標(biāo)簽：晶圓閥門工業(yè)設(shè)備 784 0

關(guān)于半導(dǎo)體制造的封裝技術(shù)和分布情況

任何低于90%的成品率都是有問題的。但芯片制造商只有通過反復(fù)吸取昂貴的教訓(xùn)，在此基礎(chǔ)上不斷提高對(duì)芯片制造的認(rèn)識(shí)，才能超越這個(gè)90%成品率的水平線。

2023-04-14 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓芯片設(shè)計(jì) 781 0

淺談?dòng)绊懢A分選良率的因素（1）

制造后，晶圓被送到晶圓分選測(cè)試儀。在測(cè)試期間，每個(gè)芯片都會(huì)進(jìn)行電氣測(cè)試，以檢查設(shè)備規(guī)范和功能。每個(gè)電路可能執(zhí)行數(shù)百個(gè)單獨(dú)的電氣測(cè)試。雖然這些測(cè)試測(cè)量設(shè)備...

2024-10-09 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 778 0

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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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東軟集團(tuán)是中國領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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