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三星透露HBM3E芯片英偉達認證取得進展,預計Q4向客戶供應
據一位高級管理人員透露,三星電子在英偉達AI內存芯片認證方面取得了新進展,這一消息促使這家韓國科技巨頭的股價攀升了3.6%。 三星正積極爭取其...
據存儲器業(yè)內人士透露,隨著規(guī)格的升級,2025年HBM(高帶寬存儲器)價格預計將呈現上揚趨勢。這一預測基于HBM在高性能計算領域的廣泛應用及其不斷提升的...
SK海力士在今年的第三季度實現了銷售額和利潤的雙重突破,均創(chuàng)下了歷史新高。這一優(yōu)異的業(yè)績表現,不僅成功扭轉了去年同期的虧損局面,更是為公司的未來發(fā)展注入...
存儲市場面臨多重挑戰(zhàn),NAND與DRAM價格承壓
從需求端審視,通貨膨脹的壓力以及AI個人電腦應用場景的匱乏,共同制約了大規(guī)模升級周期的到來。在供應端,主要制造商在第三季度全面恢復了滿負荷生產,而其他供...
美光預測AI需求將大幅增長,計劃2025年投產EUV DRAM
隨著人工智能技術日益普及,從云端服務器拓展至消費級設備,對高級內存的需求持續(xù)攀升。鑒于此趨勢,美光科技已將其高帶寬內存(HBM)的全部產能規(guī)劃至2025...
Teradyne的首席執(zhí)行官Greg Smith表示:“得益于高帶寬內存(HBM)以及人工智能應用對計算需求的增長,半導體測試業(yè)務中的內存收入表現繼續(xù)超...
SK海力士第三季度業(yè)績創(chuàng)歷史新高,高帶寬內存與HBM需求旺盛
受高帶寬內存和HBM市場的強勁需求推動,SK海力士在今年第三季度的銷售額、營業(yè)利潤和凈利潤均達到了歷史新高。這一業(yè)績表現有望消除市場對半導體行業(yè)可能再次...
市場調研機構集邦科技對HBM(高帶寬存儲器)的長期發(fā)展持樂觀態(tài)度。據其預測,明年HBM3e將占據整體HBM市場的近九成份額,這將推動HBM產品的平均售價...
三星電子正面臨嚴峻挑戰(zhàn),特別是在其半導體業(yè)務領域。除了代工業(yè)務停滯的問題,該公司在高帶寬存儲器(HBM)市場的競爭力也引發(fā)了廣泛關注。據業(yè)內人士透露,...
近日,市場調研機構TrendForce在“AI時代半導體全局展開──2025科技產業(yè)大預測”研討會上發(fā)布了一項重要預測。據該機構指出,隨著全球前三大HB...
韓華精密機械公司正式宣告,已成功向SK海力士提供了高帶寬存儲器(HBM)生產中的核心設備——TC鍵合測試設備。 針對10月16日部分媒體所報...
據業(yè)內人士透露,三星電子已對其2025年底的高帶寬內存(HBM)最大產能目標進行了調整。原定的每月20萬顆產能目標已被下調至每月17萬顆,降幅超過10%。
AI芯片需求在人工智能浪潮中持續(xù)攀升,近期消息顯示,不僅HBM(高帶寬存儲器)出現供不應求、原廠積極擴產的情況,英偉達Blackwell架構的GPU也面...
據業(yè)內人士透露,三星電子已對其2025年底的高帶寬內存(HBM)最大產能目標進行了調整,下調幅度超過10%,從原先計劃的每月20萬顆減至17萬顆。這一變...
人工智能(AI)與機器學習(ML)正以前所未有的速度蓬勃發(fā)展,驅動著各行各業(yè)的革新。隨著模型復雜度與數據量的激增,實時處理海量數據的需求對底層硬件基礎設...
據媒體報道,摩根士丹利(大摩)的分析指出,三星電子預計將于2026年將其HBM4基底技術的生產外包給臺積電,并計劃采用12nm至6nm的先進制程技術。同...
在9月25日(當地時間)于美國加利福尼亞州圣克拉拉會議中心舉行的一場半導體行業(yè)盛會上,SK海力士發(fā)布的一項關于其高帶寬內存(HBM)的驚人數據——“TA...
隨著三星電子定于10月8日發(fā)布第三季度初步財務報告,市場焦點轉向了其與SK海力士之間營業(yè)利潤的預期差距如何進一步拉大。 SK海力士因在高帶寬內...
三星電子近期發(fā)布預測,指出全球HBM(高帶寬內存)需求正迎來爆發(fā)式增長。據三星估算,到2025年,全球HBM需求量將躍升至250億GB,較今年預測的12...
SK海力士引領未來:全球首發(fā)12層HBM3E芯片,重塑AI存儲技術格局
今日,半導體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業(yè)界矚目的技術里程碑,該公司已成功在全球范圍內率先實現12層HBM3E芯片的規(guī)模化生產,此舉不僅將HBM存儲器的...
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