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      標簽　>　SiGe

      SiGe

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      sige技術

      當CMOS技術遇上微波傳感器，更先進的雷達系統誕生了

      隨著武器測試技術的進步、傳統的測速技術，如靶圈測試、天幕靶測試等方法因測試過程 繁瑣，精度較差，已不能滿足實時戰(zhàn)地測試的需要。而毫米波測速雷達將毫米波技...

      2017-12-28 標簽：CMOSSiGeadas 9422 0

      使用SiGe和28nm CMOS的24GHz至44GHz無線電的完整解決方案

      完整的寬帶解決方案，涵蓋26 GHz至44 GHz范圍內的所有無線電設計。這款完整的信號鏈采用高度集成的寬帶高性能部件，可減少元件數量，簡化設計架構，加...

      2018-06-06 標簽：CMOSadi寬帶 5966 0

      用于頻率生成和轉換的高集成度SiGe解決方案

      ADI公司拓展用于微波頻率生成和轉換的高集成度SiGe解決方案系列，為航空飛行、汽車雷達和5G等各種客戶應用提供寬帶性能。

      2018-06-06 標簽：adiSiGe雷達 3702 0

      SiGe外延工藝及其在外延生長、應變硅應用及GAA結構中的作用

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      本文介紹SiGe外延工藝及其在外延生長、應變硅應用以及GAA結構中的作用。 ? 在現代半導體技術中，隨著器件尺寸的不斷縮小，傳統的硅基材料逐漸難以滿足高...

      2024-12-20 標簽：半導體工藝SiGe 3637 0

      源漏嵌入SiGe應變技術簡介

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      與通過源漏嵌入 SiC 應變材料來提高NMOS 的速度類似，通過源漏嵌入 SiGe 應變材料可以提高PMOS的速度。源漏嵌入 SiGe 應變技術被廣泛用...

      2024-07-26 標簽：SiGePMOS晶格 2754 0

      以CMOS技術實現的微型化毫米波傳感器

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      大多數商用雷達系統，特別是高級駕駛員輔助系統 (ADAS) 中的雷達系統，均基于鍺硅(SiGe)技術。目前的高端車輛都有一個多芯片SiGe雷達系統。雖然...

      2023-04-07 標簽：SiGeadas雷達系統 1833 0

      硅鍺技術增強無線電前端性能

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      本應用筆記介紹了硅鍺如何增強RF應用中的IC性能。賈科萊托模型用于分析噪聲效應。SiGe技術的更寬增益帶寬表明可提供更低的噪聲性能。探討了SiGe對線性...

      2023-02-24 標簽：SiGeRF無線電 1670 0

      用毫米波傳感器為汽車帶來高級視覺

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      相對于基于傳統鍺硅（SiGe)的傳感器技術，TI基于RFCMOS的雷達傳感器引入了更高的數字和模擬集成度，以實現高輸出功率、低功耗（比市面上現有解決方案...

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      利用氧化和“轉化-蝕刻”機制對富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言

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      器件尺寸的不斷縮小促使半導體工業(yè)開發(fā)先進的工藝技術。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經成為小型化的重要加工技術。ALD是一種沉積技術...

      2023-06-15 標簽：半導體晶圓SiGe 1327 0

      用于WCDMA應用的MAX2322

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      MAX2322為高性能SiGe接收器前端IC，優(yōu)化用于PCS （1900MHz）頻段CDMA（碼分多址）應用。它包括一個LNA、一個混頻器和一個可選頻率...

      2023-02-23 標簽：接收器SiGe混頻器 1081 0

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      關于SiGe HBT 技術和應用的未來分析和介紹

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      在雷達應用這塊， 除了早已上市的77-78，79-81GHz雷達，主用于ADAS。同時94GHz雷達應用也已成熟，用于惡劣天氣，機場地面監(jiān)測等。 同時最...

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      深入探討封裝基板

      來源：內容來自「馭勢資本」，謝謝。 半導體封裝基礎 半導體制造工藝流程 半導體制造的工藝過程由晶圓制造（Wafer Fabr ication）、晶圓測試...

      2021-10-19 標簽：芯片半導體SiGe 9871 0

      下一代高性能晶體管——納米線能否繼任FinFET

      據IEEE報道，來自IMEC的Hans Mertens研究小組，使用8納米寬的密集型納米線堆棧在傳統硅表面上成功制作了環(huán)柵式晶體管，未來經過技術改進有可...

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      得捷新品Nexperia小型化高效SiGe整流器和PUI微型移動揚聲器介紹

      本期Digi-Key Daily向大家推介兩款產品——Nexperia的CFP封裝SiGe整流器和PUI 12mm x 6mm移動系列揚聲器。 1 產品...

      2021-10-11 標簽：整流器SiGe揚聲器 3640 0

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      眾所週知，恩智浦半導體(NXP Semiconductors)是從荷蘭皇家飛利浦(Philips)獨立而出。而在歷經多年的發(fā)展轉變后，今天的恩智浦，已經...

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      最近合作伙伴發(fā)布了基于SiGe HBT工藝的240GHz芯片，在這里給大家介紹一下參數和指標，針對應用會在文末給大家一些方向性參考。 雷達前端TRA?2...

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      恩智浦半導體推出SiGe:C低噪聲放大器(LNA)

      恩智浦半導體 NXP近日宣布推出SiGe:C低噪聲放大器(LNA)，進一步提高了GPS信號的線性度、噪聲系數以及GPS(包括GLONASS和伽利略衛(wèi)星定...

      2011-12-26 標簽：恩智浦SiGeLNA 1801 0

      基于SiGe HBT的射頻有源電感的設計

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      本文采用兩個晶體管構成回轉器，利用晶體管內部本征電容合成電感。設計了采用不同組態(tài)的四種有源電感電路結構，并就其中一個性能較好的電路做了詳細的討論

      2011-03-30 標簽：射頻SiGe電感 1721 0

      美高森美推出世界首款單晶片硅鍺RF前端器件LX5586

      美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC）日前推出世界首款單晶片硅鍺（SiGe）RF前端（FE）器件L...

      2018-04-27 標簽：sigewifife 1559 0

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      sige數據手冊

      型號 描述 數據手冊 參考價格
      SE7351L-T SE7351L-T - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc.
      SE7351L-AK3 SE7351L-AK3 - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc.
      SE7265L-R SE7265L-R - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc.
      SE7265L-EK1 SE7265L-EK1 - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc.
      SE7262L-EK1 SE7262L-EK1 - 2.5-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier - SiGe Semiconductor, Inc.

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