WD4000國(guó)產(chǎn)晶圓幾何形貌量測(cè)設(shè)備通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV、BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。可實(shí)現(xiàn)砷化鎵
2024-03-15 09:22:08
刻蝕機(jī)的刻蝕過(guò)程和傳統(tǒng)的雕刻類似，先用光刻技術(shù)將圖形形狀和尺寸制成掩膜，再將掩膜與待加工物料模組裝好，將樣品置于刻蝕室內(nèi)，通過(guò)化學(xué)腐蝕或物理磨蝕等方式將待加工物料表面的非掩膜區(qū)域刻蝕掉，以得到所需的凹槽和溝槽。
2024-03-11 15:38:24
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的 2.5D/3D 封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)芯片之間的高速、低功耗和高帶寬的信號(hào)傳輸。常見(jiàn)的垂直 TSV 的制造工藝復(fù)雜，容易造成填充缺陷。錐形 TSV 的側(cè)壁傾斜，開(kāi)口較大，有利于膜層沉積和銅電鍍填充，可降低工藝難度和提高填充質(zhì)量。在相對(duì)易于實(shí)現(xiàn)的刻蝕條件下制備
2024-02-25 17:19:00119 
影響深硅刻蝕的關(guān)鍵參數(shù)有：氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。
2024-02-25 10:44:39283 
影響深硅刻蝕的關(guān)鍵參數(shù)有：氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。
2024-02-25 10:40:1619 
WD4000無(wú)圖晶圓幾何形貌測(cè)量系統(tǒng)是通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。可兼容不同材質(zhì)
2024-02-21 13:50:34
在半導(dǎo)體加工工藝中，常聽(tīng)到的兩個(gè)詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching)，它們像倆兄弟一樣，一前一后的出現(xiàn)，有著千絲萬(wàn)縷的聯(lián)系，這一節(jié)介紹半導(dǎo)體刻蝕工藝。
2024-01-26 10:01:58548 
干法刻蝕技術(shù)是一種在大氣或真空條件下進(jìn)行的刻蝕過(guò)程，通常使用氣體中的離子或化學(xué)物質(zhì)來(lái)去除材料表面的部分，通過(guò)掩膜和刻蝕參數(shù)的調(diào)控，可以實(shí)現(xiàn)各向異性及各向同性刻蝕的任意切換，從而形成所需的圖案或結(jié)構(gòu)
2024-01-20 10:24:561106 
使用SEMulator3D?工藝步驟進(jìn)行刻蝕終點(diǎn)探測(cè) 作者：泛林集團(tuán) Semiverse Solutions 部門軟件應(yīng)用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導(dǎo)體行業(yè)一直專注于使用先進(jìn)的刻蝕
2024-01-19 16:02:42128 
對(duì)DRIE刻蝕，是基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術(shù)。與RIE刻蝕原理相同，利用硅的各向異性，通過(guò)化學(xué)作用和物理作用進(jìn)行刻蝕。不同之處在于，兩個(gè)射頻源：將等離子的產(chǎn)生和自偏壓的產(chǎn)生分離
2024-01-14 14:11:59511 
WD4000無(wú)圖晶圓幾何形貌測(cè)量設(shè)備采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實(shí)現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等
2024-01-10 11:10:39
WD4000半導(dǎo)體晶圓厚度測(cè)量系統(tǒng)自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對(duì)射技術(shù)測(cè)量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR
2024-01-09 09:08:07
在紅外探測(cè)器的制造技術(shù)中，臺(tái)面刻蝕是完成器件電學(xué)隔離的必要環(huán)節(jié)。
2024-01-08 10:11:01206 
一個(gè)芯片上可以包含數(shù)億～數(shù)百億個(gè)晶體管，并經(jīng)過(guò)互連實(shí)現(xiàn)了芯片的整體電路功能。經(jīng)過(guò)制造工藝的各道工序后，這些晶體管將被同時(shí)加工出來(lái)。并且，在硅晶圓上整齊排滿了數(shù)量巨大的相同芯片，經(jīng)過(guò)制造工藝的各道工序
2024-01-02 17:08:51
摘要：論述了傳統(tǒng)的集成電路裝片工藝面臨的挑戰(zhàn)以及現(xiàn)有用DAF膜（DieAttachmentFilm，裝片膠膜）技術(shù)進(jìn)行裝片的局限性；介紹了一種先進(jìn)的、通過(guò)噴霧結(jié)合旋轉(zhuǎn)的涂膠模式制備晶圓背面
2023-12-30 08:09:58337 
TOPCon 電池的制備工序包括清洗制絨、正面硼擴(kuò)散、BSG 去除和背面刻蝕、氧化層鈍化接觸制備、正面氧化鋁沉積、正背面氮化硅沉積、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)和測(cè)試分選，約 12 步左右。從技術(shù)路徑角度：LPCVD 方式為目前量產(chǎn)的主流工藝，預(yù)計(jì) PECVD 路線有望成為未來(lái)新方向。
2023-12-26 14:59:112726 
磨削和研磨等磨料處理是生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片的必要方式，然而研磨會(huì)導(dǎo)致芯片表面的完整性變差。因此，拋光的一致性、均勻性和表面粗糙度對(duì)生產(chǎn)芯片來(lái)說(shuō)是十分重要的。
2023-12-21 09:44:26491 
TC-Wafer是將高精度溫度傳感器鑲嵌在晶圓表面，對(duì)晶圓表面的溫度進(jìn)行實(shí)時(shí)測(cè)量。通過(guò)晶圓的測(cè)溫點(diǎn)了解特定位置晶圓的真實(shí)溫度，以及晶圓整體的溫度分布，同還可以監(jiān)控半導(dǎo)體設(shè)備控溫過(guò)程中晶圓發(fā)生的溫度
2023-12-21 08:58:53
WD4000晶圓幾何形貌測(cè)量設(shè)備采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測(cè)量雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立表面3D層析圖像，實(shí)現(xiàn)Wafer厚度、翹曲度、平面度、線粗糙度、總體厚度變化(TTV
2023-12-20 11:22:44
品牌：久濱型號(hào)：JB-120名稱：瑪瑙研缽式研磨機(jī)一、產(chǎn)品概述： 瑪瑙研缽式研磨機(jī)，具有操作簡(jiǎn)單，研磨細(xì)度可達(dá)微米級(jí)。替代了以往的研缽繁重的手動(dòng)研磨，解放了雙手、節(jié)省了時(shí)間，碾磨效果也遠(yuǎn)遠(yuǎn)
2023-12-14 15:27:04
品牌：久濱型號(hào)：JB-160名稱：瑪瑙研缽式超細(xì)研磨機(jī)一、瑪瑙研缽式超細(xì)研磨機(jī) 設(shè)備用途： 瑪瑙研缽式研磨機(jī)具有操作簡(jiǎn)單，研磨細(xì)度可達(dá)微米級(jí)。替代了以往的研缽繁重的手動(dòng)研磨，解放了雙手、節(jié)省了時(shí)間
2023-12-14 15:21:28
品牌：久濱型號(hào)：JB-250名稱：陶瓷研缽式研磨機(jī) (超細(xì)粉末研磨)一、產(chǎn)品概述： 陶瓷研缽式研磨機(jī)一臺(tái)通用型、多功能的研磨粉碎儀器。可用于醫(yī)藥微粉、超硬材料微粉、電子微粉、食品微粉、化工微粉
2023-12-14 15:18:34
膏體（濕磨）、油墨（濕磨）等物料的研磨。二、適合研磨的顆粒（或粉末）：1、超硬材料微粉，例如：金剛石砂輪磨料微粉。2、電子微粉，例如：半導(dǎo)體微粉、多晶硅微粉。3、
2023-12-14 14:59:14
品牌：久濱型號(hào)：JB-500名稱：陶瓷研缽式研磨機(jī)一、產(chǎn)品概述： 本品為大型自動(dòng)研磨設(shè)備，可用于醫(yī)藥微粉、超硬材料微粉、電子微粉、食品微粉、化工微粉、礦物微粉、高分子材料微粉、齒科材料膏體（濕磨
2023-12-14 11:21:09
中圖儀器WD4000無(wú)圖晶圓幾何形貌量測(cè)系統(tǒng)自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。它采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測(cè)量雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立表面3D
2023-12-14 10:57:17
品牌：久濱型號(hào)：JB-120名稱：藥物研磨機(jī)一、產(chǎn)品概述： 藥物研磨機(jī)又稱為瑪瑙研缽磨機(jī)，本瑪瑙研磨機(jī)是通過(guò)乳缽的自動(dòng)旋轉(zhuǎn)研磨固體顆粒，是具有 jí 強(qiáng)粉碎能力的一種自動(dòng)研磨
2023-12-14 09:57:20
品牌：久濱型號(hào)：JB-200名稱：自動(dòng)瑪瑙研缽式研磨機(jī)一、產(chǎn)品概述： 自動(dòng)瑪瑙研缽式研磨機(jī)，如何更好的替代手工研磨一直是我們公司開(kāi)發(fā)自動(dòng)研磨機(jī)的重點(diǎn)，我司研發(fā)設(shè)計(jì)的研缽式研磨機(jī)主要用針對(duì)化工、電子
2023-12-14 09:47:12
品牌：久濱型號(hào)：JB-120名稱：實(shí)驗(yàn)室研磨機(jī) 小型干式研磨一、產(chǎn)品概述： 采用耐磨度好的瑪瑙研缽研棒模擬石白手工磨粉狀態(tài)，替代手工研磨，輕松省力，通過(guò)研磨時(shí)間的控制使研磨粉未達(dá)到需要的細(xì)度要求
2023-12-14 09:40:58
品牌：久濱型號(hào)：JB-200名稱：瑪瑙研缽式超細(xì)研磨機(jī)一、產(chǎn)品概述： 研缽式微粉研磨機(jī)具有操作簡(jiǎn)單，研磨細(xì)度可達(dá)微米級(jí)。替代了以往的研缽繁重的手動(dòng)研磨，解放了雙手、節(jié)省了時(shí)間，碾磨效果也遠(yuǎn)遠(yuǎn)
2023-12-14 09:29:32
該專利詳細(xì)闡述了一種針對(duì)含硅有機(jī)介電層的高效刻蝕方法及相應(yīng)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備。它主要涉及到通過(guò)交替運(yùn)用至少兩個(gè)刻蝕步驟來(lái)刻蝕含硅有機(jī)介電層。這兩個(gè)步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。
2023-12-06 11:58:16370 
W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過(guò)加入N2以增加對(duì)光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，第二步則降低刻蝕速率減弱負(fù)載效應(yīng)，避免產(chǎn)生凹坑，并使用對(duì)TiN有高選擇比的化學(xué)氣體進(jìn)行刻蝕。
2023-12-06 09:38:531536 晶圓測(cè)溫系統(tǒng)tc wafer晶圓表面溫度均勻性測(cè)溫晶圓表面溫度均勻性測(cè)試的重要性及方法 在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，晶圓的表面溫度均勻性是一個(gè)重要的參數(shù)
2023-12-04 11:36:42
在晶圓生產(chǎn)工藝的結(jié)尾，有些晶圓需要被減薄（晶圓減薄）才能裝進(jìn)特定的封裝體重，以及去除背面損傷或結(jié)；對(duì)于有將芯片用金-硅共晶封裝中的芯片背面要求鍍一層金（背面金屬化，簡(jiǎn)稱背金）；
2023-11-29 12:31:26203 
化學(xué)機(jī)械研磨工藝操作的基本介紹以及其比單純物理研磨的優(yōu)勢(shì)介紹。
2023-11-29 10:05:09348 在芯片制造中，單純的物理研磨是不行的。因?yàn)閱渭兊奈锢?b class="flag-6" style="color: red">研磨會(huì)引入顯著的機(jī)械損傷，如劃痕和位錯(cuò)，且無(wú)法達(dá)到所需的平整度，因此不適用于芯片制造。
2023-11-29 10:03:32327 
半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形
2023-11-27 16:54:26256 
濕法刻蝕由于成本低、操作簡(jiǎn)單和一些特殊應(yīng)用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17452 
印刷設(shè)備絲桿選擇研磨桿還是冷軋桿好？
2023-11-14 17:49:35260 
但是里面也有幾個(gè)關(guān)鍵的工藝參數(shù)需要控制的。同樣Etch GaAs也可以用ICP干法刻蝕的工藝，比濕法工藝效果要好些，側(cè)壁也垂直很多。
2023-11-14 09:31:29406 請(qǐng)問(wèn)像AD8233一樣的晶圓封裝在PCB中如何布線，芯片太小，過(guò)孔和線路都無(wú)法布入，或者有沒(méi)有其他封裝的AD8233
2023-11-14 07:01:48
晶圓承載系統(tǒng)是指針對(duì)晶圓背面減薄進(jìn)行進(jìn)一步加工的系統(tǒng)，該工藝一般在背面研磨前使用。晶圓承載系統(tǒng)工序涉及兩個(gè)步驟：首先是載片鍵合，需將被用于硅通孔封裝的晶圓貼附于載片上;其次是載片脫粘，即在如晶圓背面凸點(diǎn)制作等流程完工后，將載片分離。
2023-11-13 14:02:491410 
。WD4000晶圓幾何形貌測(cè)量及參數(shù)自動(dòng)檢測(cè)機(jī)采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實(shí)現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、B
2023-11-06 10:49:18
WD4000系列半導(dǎo)體晶圓幾何形貌自動(dòng)檢測(cè)機(jī)采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實(shí)現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR
2023-11-06 10:47:07
WD4000半導(dǎo)體晶圓表面三維形貌測(cè)量設(shè)備自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。可廣泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測(cè)、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、顯示
2023-10-23 11:05:50
WD4000半導(dǎo)體晶圓檢測(cè)設(shè)備自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對(duì)射技術(shù)測(cè)量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI
2023-10-19 11:08:24
WD4000無(wú)圖晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)自動(dòng)測(cè)量 Wafer 厚度 、表面粗糙度 、三維形貌 、單層膜厚 、多層膜厚 。使用光譜共焦對(duì)射技術(shù)測(cè)量晶圓 Thickness 、TTV 、LTV 、BOW
2023-10-18 09:09:00
移動(dòng)式恒溫恒濕試驗(yàn)箱商品名稱：商品規(guī)格：TH系列商品簡(jiǎn)述：移動(dòng)式恒溫恒濕試驗(yàn)箱現(xiàn)貨急售，價(jià)格便宜，質(zhì)量保證，全新機(jī)型內(nèi)尺寸：寬1米+高1.6米*深1米；溫度范圍：-40~150度，如需咨詢敬請(qǐng)隨時(shí)
2023-10-17 11:15:20
刻蝕（或蝕刻）是從晶圓表面去除特定區(qū)域的材料以形成相應(yīng)微結(jié)構(gòu)。但是，在目標(biāo)材料被刻蝕時(shí)，通常伴隨著其他層或掩膜的刻蝕。
2023-10-07 14:19:252073 
在半導(dǎo)體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢(shì)，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。
2023-09-26 18:21:003305 
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說(shuō)“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見(jiàn)。
2023-09-24 17:42:03996 
性能和速度上同時(shí)滿足了圓片圖形加工的要求。CMP 技術(shù)是機(jī)械削磨和化學(xué)腐蝕的組合技術(shù) , 它借助超微粒子的研磨作用以及漿料的化學(xué)腐蝕作用在被研磨的介質(zhì)表面上形成光潔平坦表面[2、3] 。CMP 技術(shù)對(duì)于
2023-09-19 07:23:03
PFA花籃（PFA wafer Cassette） 又名 清洗花藍(lán) ，鐵氟龍卡匣 ， 鐵氟龍晶舟盒 ，鐵氟龍晶圓盒為承載半導(dǎo)體晶圓片/硅片
2023-08-29 08:57:51
濕法刻蝕由于精度較差，只適用于很粗糙的制程，但它還是有優(yōu)點(diǎn)的，比如價(jià)格便宜，適合批量處理，酸槽里可以一次浸泡25張硅片，所以有些高校和實(shí)驗(yàn)室，還在用濕法做器件，芯片廠里也會(huì)用濕法刻蝕來(lái)顯露表面缺陷（defect），腐蝕背面多晶硅。
2023-08-28 09:47:44890 
光刻蝕（Photolithography）是一種在微電子和光電子制造中常用的加工技術(shù)，用于制造微細(xì)結(jié)構(gòu)和芯片元件。它的基本原理是利用光的化學(xué)和物理作用，通過(guò)光罩的設(shè)計(jì)和控制，將光影投射到光敏材料上，形成所需的圖案。
2023-08-24 15:57:422270 PVP可以在刻蝕過(guò)程中形成一層保護(hù)性的膜，降低刻蝕劑對(duì)所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不需要的蝕刻或損傷，提高刻蝕的選擇性。
2023-08-17 15:39:392855 在半導(dǎo)體前端工藝第三篇中，我們了解了如何制作“餅干模具”。本期，我們就來(lái)講講如何采用這個(gè)“餅干模具”印出我們想要的“餅干”。這一步驟的重點(diǎn)，在于如何移除不需要的材料，即“刻蝕（Etching）工藝”。
2023-08-10 15:06:10506 刻蝕（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的圖案和結(jié)構(gòu)。刻蝕的原理是利用化學(xué)反應(yīng)或物理過(guò)程，通過(guò)移除材料表面的原子或分子，使材料發(fā)生形貌變化。
2023-08-01 16:33:383908 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）在半導(dǎo)體制造的各路工序中，尤其是前道工序中，技術(shù)難度最大的主要三大流程當(dāng)屬光刻、刻蝕和薄膜沉積了。這三大工藝的先進(jìn)程度直接決定了晶圓廠所能實(shí)現(xiàn)的最高工藝節(jié)點(diǎn)，所用產(chǎn)品
2023-07-30 03:24:481556 
第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH)，即多次交替循環(huán)刻蝕和淀積工藝，刻蝕工藝使用的是SF6氣體，淀積工藝使用的是C4F8氣體
2023-07-14 09:54:463214 
晶圓測(cè)溫系統(tǒng)，晶圓測(cè)溫?zé)犭娕迹?b class="flag-6" style="color: red">晶圓測(cè)溫裝置一、引言隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，晶圓制造工藝對(duì)溫度控制的要求越來(lái)越高。熱電偶作為一種常用的溫度測(cè)量設(shè)備，在晶圓制造中具有重要的應(yīng)用價(jià)值。本文
2023-06-30 14:57:40
在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設(shè)計(jì)好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進(jìn)行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:58843 
在研磨機(jī)的行業(yè)中，產(chǎn)品多種多樣，而我們公司的研細(xì)研磨機(jī)在行業(yè)中并不多見(jiàn)。國(guó)內(nèi)行業(yè)同類產(chǎn)品少，所以我們一直不知道用“研磨機(jī)”來(lái)命名是否是需要這種產(chǎn)品客戶的搜索詞。 JB系列研缽機(jī)是我司通過(guò)消化吸收國(guó)外
2023-06-26 15:06:44168 
圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中，刻蝕工藝是光刻(Photo)工藝的下一步，用于去除光刻膠(Photo Resist
2023-06-26 09:20:10816 
英特爾表示，它是業(yè)內(nèi)第一個(gè)在類似產(chǎn)品的測(cè)試芯片上實(shí)現(xiàn)背面供電的公司，實(shí)現(xiàn)了推動(dòng)世界進(jìn)入下一個(gè)計(jì)算時(shí)代所需的性能。PowerVia 將于 2024 年上半年在英特爾 20A 工藝節(jié)點(diǎn)上推出，正是英特爾業(yè)界領(lǐng)先的背面供電解決方案。它通過(guò)將電源路由移動(dòng)到晶圓的背面，解決了面積縮放中日益嚴(yán)重的互連瓶頸問(wèn)題。
2023-06-20 15:39:06326 離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會(huì)撞擊表面的材料。晶圓垂直或傾斜入離子束，蝕刻過(guò)程是絕對(duì)
2023-06-20 09:48:563989 
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說(shuō)“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見(jiàn)。
2023-06-15 17:51:571177 
步入式恒溫恒濕試驗(yàn)房的用途:適用于塑膠、電子、食品、服裝、車輛、金屬、化學(xué)、建材、航天等多種行業(yè)的溫濕變化產(chǎn)品可靠性檢測(cè)。是指能同時(shí)施加溫度、濕度應(yīng)力的試驗(yàn)箱,由制冷系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、溫度
2023-06-09 10:30:45
將從晶圓廠出來(lái)的Wafer進(jìn)行背面研磨，來(lái)減薄晶圓達(dá)到 封裝需要的厚度（5mils~10mils）；
磨片時(shí)，需要在正面（Active Area）貼膠帶保護(hù)電路區(qū)域 同時(shí)研磨背面。研磨之后，去除膠帶，測(cè)量厚度；
2023-06-09 09:17:421843 
光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:353320 
】晶圓 FOL– Back Grinding背面減薄 將從晶圓廠出來(lái)的Wafer進(jìn)行背面研磨，來(lái)減薄晶圓達(dá)到 ? ?封裝需要的厚度（5mils~10mils）； 磨片時(shí)，需要在正面（Active
2023-05-23 09:56:412139 
經(jīng)過(guò)前端工藝處理并通過(guò)晶圓測(cè)試的晶圓將從背面研磨（Back Grinding）開(kāi)始后端處理。背面研磨是將晶圓背面磨薄的工序，其目的不僅是為了減少晶圓厚度，還在于聯(lián)結(jié)前端和后端工藝以解決前后兩個(gè)工藝
2023-05-22 12:44:23691 
研磨光纖連接器：將光纖連接器插入研磨機(jī)中，按照研磨機(jī)的操作說(shuō)明進(jìn)行研磨。通常情況下，需要先使用粗研磨片進(jìn)行粗磨，再使用細(xì)研磨片進(jìn)行細(xì)磨，直到光纖連接器的插芯和插座表面光滑平整。
2023-05-18 18:16:071440 經(jīng)過(guò)前端工藝處理并通過(guò)晶圓測(cè)試的晶圓將從背面研磨（Back Grinding）開(kāi)始后端處理。背面研磨是將晶圓背面磨薄的工序，其目的不僅是為了減少晶圓厚度，還在于聯(lián)結(jié)前端和后端工藝以解決前后兩個(gè)工藝
2023-05-12 12:39:18763 
半導(dǎo)體大規(guī)模生產(chǎn)過(guò)程中需要在晶圓上沉積集成電路芯片，然后再分割成各個(gè)單元，最后再進(jìn)行封裝和焊接，因此對(duì)晶圓切割槽尺寸進(jìn)行精準(zhǔn)控制和測(cè)量，是生產(chǎn)工藝中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。
2023-05-09 14:12:38
圓片級(jí)芯片尺寸封裝（WLCSP）是指在圓片狀態(tài)下完成再布線，凸點(diǎn)下金屬和焊錫球的制備，以及圓片級(jí)的探針測(cè)試，然后再將圓片進(jìn)行背面研磨減薄
2023-05-06 09:06:411847 
半導(dǎo)體大規(guī)模生產(chǎn)過(guò)程中需要在晶圓上沉積集成電路芯片，然后再分割成各個(gè)單元，最后再進(jìn)行封裝和焊接，因此對(duì)晶圓切割槽尺寸進(jìn)行精準(zhǔn)控制和測(cè)量，是生產(chǎn)工藝中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。
2023-04-28 17:41:49
圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。
2023-04-28 11:24:271073 
本篇要講的金屬布線工藝，與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨(dú)立的工藝不同。在半導(dǎo)體制程中，光刻、刻蝕等工藝，其實(shí)是為了金屬布線才進(jìn)行的。在金屬布線過(guò)程中，會(huì)采用很多與之前的電子元器件層性質(zhì)不同的配線材料（金屬）。
2023-04-25 10:38:49986 
等離子體均勻性和等離子體位置的控制在未來(lái)更加重要。對(duì)于成熟的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，高的產(chǎn)量、低的成本是與現(xiàn)有生產(chǎn)系統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蝕系統(tǒng)，從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，可以為客戶節(jié)省大量費(fèi)用，有可能
2023-04-21 09:20:221349 壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時(shí)也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會(huì)改變電子和離子的平均自由程(MFP),進(jìn)而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:431922 有多種表面精加工技術(shù)和方法來(lái)精加工零件，每種方法都會(huì)產(chǎn)生不同的表面光潔度和平整度。研磨工藝研磨是一種精密操作，基于載體中的研磨料游離磨粒或復(fù)合研磨盤基質(zhì)中的固定磨粒的切割能力。有兩種類型的研磨工藝
2023-04-13 14:23:41816 
金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制，防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時(shí)鋁中如果 有少量銅就會(huì)引起殘余物問(wèn)題，因?yàn)镃u Cl2的揮發(fā)性極低且會(huì)停留在晶圓表面。
2023-04-10 09:40:542330 DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162198 wafer晶圓GDP703202DG恒流1mA表壓2Mpa裸片壓力傳感器die產(chǎn)品概述：GDP0703 型壓阻式壓力傳感器晶圓采用 6 寸 MEMS 產(chǎn)線加工完成，該壓力晶圓的芯片由一個(gè)彈性膜及集成
2023-04-06 14:48:12
FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作，這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝，如CD、深度和輪廓。
2023-03-30 09:39:182459 調(diào)溫調(diào)濕箱全名“恒溫恒濕試驗(yàn)箱”是航空、汽車、家電、科研等領(lǐng)域必備的測(cè)試設(shè)備，用于測(cè)試和確定電工、電子及其他產(chǎn)品及材料進(jìn)行高溫、低溫、濕熱度或恒定試驗(yàn)的溫度環(huán)境變化后的參數(shù)及性能，它主要用于根據(jù)試驗(yàn)
2023-03-28 09:02:36
作為半導(dǎo)體制造的后工序，封裝工藝包含背面研磨(Back Grinding)、劃片(Dicing)、芯片鍵合(Die Bonding)、引線鍵合(Wire Bonding)及成型(Molding)等步驟。
2023-03-27 09:33:377224
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