光刻機經歷了5代產品發展，每次改進和創新都顯著提升了光刻機所能實現的最小工藝節點。按照使用光源依次從g-line、i-line發展到KrF、ArF和EUV；按照工作原理依次從接觸接近式光刻機發展到浸沒步進式投影光刻機和極紫外式光刻機。
2024-03-21 11:31:41
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制造集成電路的大多數工藝區域要求100級（空氣中每立方米內直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數不超過約3500）潔凈室，在光刻區域，潔凈室要求10級或更高。
2024-03-20 12:36:0054 
是德科技與Intel Foundry的這次合作，無疑在半導體和集成電路設計領域引起了廣泛的關注。雙方成功驗證了支持Intel 18A工藝技術的電磁仿真軟件，為設計工程師們提供了更加先進和高效的設計工具。
2024-03-08 10:30:37274 UMS的CHA3688aQDG是款三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器單片電路。
CHA3688aQDG選用 pHEMT 工藝技術、0.25μm 柵極尺寸、橫穿基板的通孔、空氣橋和電子束柵極光刻工藝生產
2024-03-06 15:46:20
利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。
2024-03-06 14:28:5062 
設計工程師現在可以使用 RFPro 對 Intel 18A 半導體工藝技術中的電路進行電磁仿真
2024-02-27 14:29:15133 梯隊的廠商們還在成熟工藝上穩扎穩打。 ? 早在兩年前，我們還會將28nm視作成熟工藝以及先進工藝的分水嶺。但隨著3nm的推出，以及即將到來的2nm，成熟工藝的定義已經發生了變化，分水嶺已然換成了T2和T3晶圓廠不愿投入的7nm/8nm工藝
2024-02-21 00:17:002598 
在熊本縣菊陽町，臺積電、索尼和日本電裝聯合開發了一個12英寸晶圓加工基地，該基地應用12nm、16nm和22nm至28nm技術，預計月底建成。此外，其量產時間已定為2024年第四期。
2024-01-30 09:38:35332 目前，臺積電已完成與日本的一項聯合建設晶圓廠協議，預計在今年2月24日舉行投產慶典。日本的這處晶圓廠使用12nm、16nm、22nm及28nm等先進制程工藝，自啟動以來進展順利，引來業界廣泛關注。
2024-01-29 14:00:42178 例如，盡管iPhone 15 Pro已發布四個月，A17 Pro仍在使用臺積電專有的3nm工藝。根據MacRumors的報告，這一趨勢似乎仍將延續至2nm工藝。
2024-01-26 09:48:34202 這座晶圓廠于2022年4月開始新建，大樓主結構已完工，且辦公室部分區域也在今年8月啟用。將生產N28 28nm級工藝芯片，這是日本目前最先進的半導體工藝。22ULP工藝也會在這里生產，但注意它不是22nm，而是28nm的一個變種，專用于超低功耗設備。
2024-01-03 15:53:27433 據悉，2024年臺積電的第二代3nm工藝（稱為N3E）有望得到更廣泛運用。此前只有蘋果有能力訂購第一代N3B高端晶圓。經過解決工藝難題及提升產量后，臺積電推出經濟實惠的3nm版型，吸引更多企業采用。
2024-01-03 14:15:17279 用光作為畫筆在微納米世界中作畫。
2023-12-28 16:00:08169 所謂的“光刻膠”，即是在紫外線、電子束等輻射下，其溶解度會產生變化的耐腐蝕薄膜材料。作為光刻工藝中的關鍵要素，廣泛應用于晶圓和分立器件的精細圖案制作中。其品種繁多，此次漲價涉及的KrF 光刻膠則屬高級別光刻膠，將成為各廠商關注的焦點。
2023-12-28 11:14:34379 掩模版（Photomask）又稱光罩、光掩模、光刻掩模版、掩膜版、掩膜板等，是光刻工藝中關鍵部件之一，是下游行業產品制造過程中的圖形“底片”轉移用的高精密工具
2023-12-25 11:41:135385 
英特爾的Intel 20A和Intel 18A工藝已經開始流片，意味著量產階段已經不遠。而2nm工藝和1.8nm工藝的先進程度無疑已經超過了三星和臺積電的3nm工藝。
2023-12-20 17:28:52799 光照條件的設置、掩模版設計以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度，ASML認為其物理極限在0.25，k?體現了各家晶圓廠運用光刻技術的水平。
2023-12-18 10:53:05326 
芯片的7nm工藝我們經常能聽到，但是7nm是否真的意味著芯片的尺寸只有7nm呢？讓我們一起來看看吧！
2023-12-07 11:45:311591 
引入不同的氣態化學物質進行的，這些化學物質通過與基材反應來改變表面。IC最小特征的形成被稱為前端制造工藝（FEOL），本文將集中簡要介紹這部分，將按照如下圖所示的 22 nm 技術節點制造 FinFET 的工藝流程，解釋了 FEOL 制造過程中最重要的工藝步驟。
2023-12-06 18:17:331122 
另外一種工藝方法是整個板子上都鍍銅，感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比，全板鍍銅的缺點是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時還必須都把它們腐蝕掉。
2023-12-06 15:03:45260 W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過加入N2以增加對光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，第二步則降低刻蝕速率減弱負載效應，避免產生凹坑，并使用對TiN有高選擇比的化學氣體進行刻蝕。
2023-12-06 09:38:531527 光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241334 
[半導體前端工藝：第三篇] 光刻——半導體電路的繪制
2023-11-29 11:25:52242 
KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術已廣 泛應用于0.13μm工藝的生產中,主要應用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產中。
2023-11-29 10:28:50283 
今天分享另一篇網上流傳很廣的22nm 平面 process flow. 有興趣的可以與上一篇22nm gate last FinFET process flow 進行對比學習。 言歸正傳，接下來介紹平面工藝最后一個節點22nm process flow。
2023-11-28 10:45:514232 
在超大規模集成電路中，為了實現NA=1.35，波長193nm處分辨率達到 45nm的目標，需要對影響光刻照明均勻性的誤差源進行詳細分析最終確定公差范圍。
2023-11-27 10:35:51385 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579 
前兩代M1和M2系列芯片均采用5nm制程工藝，而M3系列芯片的發布，標志著蘋果Mac電腦正式進入3nm時代。 3nm利用先進的EUV（極紫外光刻）技術，可制造極小的晶體管，一根頭發的橫截面就能容納兩百萬個晶體管。蘋果用這些晶體管來優化新款芯片的每個組件。
2023-11-07 12:39:13310 
Bumping工藝是一種先進的封裝工藝，而Sputter是Bumping工藝的第一道工序，其重要程度可想而知。Sputter的膜厚直接影響Bumping的質量，所以必須控制好Sputter的膜厚及均勻性是非常關鍵。
2023-10-23 11:18:18475 
FinFET立體晶體管技術是Intel 22nm率先引用的，這些年一直是半導體制造工藝的根基，接下來在Intel 20A、臺積電2nm、三星3nm上，都將轉向全環繞立體柵極晶體管。
2023-10-23 11:15:08279 
當制程節點演進到5nm時，DUV和多重曝光技術的組合也難以滿足量產需求了，EUV光刻機就成為前道工序的必需品了，沒有它，很難制造出符合應用需求的5nm芯片，即使不用EUV能制造出一些5nm芯片，其整個生產線的良率也非常低，無法形成大規模的商業化生產。
2023-10-13 14:45:03834 
光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產業的關鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發劑和成膜樹脂三種主要成分組成，是一種具有光化學敏感性的混合液體。其利用光化學反應，經曝光、顯影等光刻工藝，將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上，是用于微細加工技術的關鍵性電子化學品。
2023-10-09 14:34:491671 
，一板多用，滿足多方位的開發需求。
盤古22K開發板詳情
盤古22K開發板（MES22GP）是基于紫光同創40nm工藝的Logos系列PGL22G芯片的一套全新的國產FPGA開發套件。開發板電源采用
2023-09-21 18:16:52
的大部分時間里，用于制造芯片的工藝節點的名稱是由晶體管柵極長度的最小特征尺寸（以納米為單位）或最小線寬來指定的。350nm工藝節點就是一個例子。
2023-09-19 15:48:434475 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項。PCB打樣中，在銅箔部分預鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學方法腐蝕，稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30669 的架構，常見的有x86和x64。
指令集：如SSE、AVX等，用于拓展CPU的功能。
微架構：如NetBurst、K10等，表示CPU內部的具體實現。
制造工藝：如22nm、14nm等，表示CPU制造過程中的最小尺寸。
查看CPU處理器參數可以通過Intel官網或CPU-Z等工具實現。
2023-09-05 16:42:49
半導體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541221 
光刻是半導體芯片生產流程中最復雜、最關鍵的工藝步驟，耗時長、成本高。半導體芯片生產的難點和關鍵點在于將電路圖從掩模上轉移至硅片上，這一過程通過光刻來實現， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:531573 
個 GPU 核心 @ 750mhz 14nm工藝節點 GPU 產生 187.2 GFLOPs 配備 2x4GB 內存，處理器已有 7 年歷史，但核心功能運行情況相對良好。 MGU22H 使用 Snapdragon SA8155P 和 2x8GB Micron LPDDR4 RAM
2023-08-21 11:42:03769 
在半導體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨要強調“沉積”工藝呢？
2023-08-17 15:33:27370 
PCB蝕刻工藝中的“水池效應”現象，通常發生在頂部，這種現象會導致大尺寸PCB整個板面具有不同的蝕刻質量。
2023-08-10 18:25:431012 根據外媒報道，據稱臺積電新的3nm制造工藝的次品率約為30%。不過根據獨家條款，該公司僅向蘋果收取良品芯片的費用！
2023-08-08 15:59:27780 光刻是一種圖像復制技術，是集成電路工藝中至關重要的一項工藝。簡單地說，光刻類似照相復制方法，即將掩膜版上的圖形精確地復制到涂在硅片表面的光刻膠或其他掩蔽膜上面，然后在光刻膠或其他掩蔽膜的保護下對硅片進行離子注入、刻蝕、金屬蒸鍍等。
2023-08-07 17:52:531478 
無論是14nm還是10nm，Intel這些年的新工藝都有一個通性：剛誕生的時候性能平平，高頻率都上不去，只能用于筆記本移動端(分別對應5代酷睿、10代酷睿)，后期才不斷成熟，比如到了13代酷睿就達到史無前例的6GHz。
2023-08-07 09:55:57734 
Intel將在下半年發布的Meteor Lake酷睿Ultra處理器將首次使用Intel 4制造工藝，也就是之前的7nm，但是Intel認為它能達到4nm級別的水平，所以改了名字。
2023-08-01 09:41:50561 當談到該創新工藝時，不可避免地要與傳統的光刻工藝體系進行對比。光刻工藝體系是一種減法工藝：首先要在襯底表面沉積一層材料，例如銅；然后在材料層表面涂布一層光刻膠；接著將光刻膠圖形化曝光并顯影，形成有圖案的光刻覆蓋區域
2023-07-29 11:01:50835 
半導體技術的未來通常是通過光刻設備的鏡頭來看待的，盡管高度挑戰性的技術問題幾乎永無休止，但光刻設備仍繼續為未來的工藝節點提供更好的分辨率。
2023-07-28 17:41:161130 
近幾年，芯片產業越來越火熱，一些行業內的術語大家也聽得比較多了。那么工藝節點、制程是什么，"7nm" 、"5nm"又是指什么？
2023-07-28 17:34:335639 
金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時制造出更多晶體管。
2023-07-27 15:24:51609 
RK3568四核64位Cortex-A55處理器，采用全新ARM v8.2-A架構主頻最高可達2.0GHz，效能有大幅提升;采用22nm先進工藝，具有低功耗高性能的特點
2023-07-18 09:47:29511 
泄漏功率仍然是HKMG(High-K Metal Gate)一個主要問題。從下圖看出，在28nm的High-K Metal Gate Stack中，leakage power仍然在總功耗中占據主導地位。
2023-07-12 16:24:232882 
RK3568是瑞芯微出品的一款定位中高端的通用型SoC，采用22nm先進制程工藝，集成4核 arm 架構 A55 處理器和 Mali G52 2EE 圖形處理器，支持4K解碼和1080P編碼。
2023-07-07 17:35:32704 
GK-1000光刻掩膜版測溫儀，光刻機曝光光學系統測溫儀光刻機是一種用于微納米加工的設備，主要用于制造集成電路、光電子器件、MEMS（微機電系統）等微細結構。光刻機是一種光學投影技術，通過將光線通過
2023-07-07 11:46:07
外，學生還就感興趣的課題做深入調研。師生共同討論調研報告，實現教學互動。調研的內容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術。
2023-06-30 10:06:02261 
在半導體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨要強調“沉積”工藝呢？
2023-06-29 16:58:37404 
隨著工藝節點的不斷發展（現在普遍是28nm,22nm,16nm,14nm,甚至有的都在做7nm）,芯片的性能需求越來越高，規模也越來越大
2023-06-29 15:24:111741 
外，學生還就感興趣的課題做深入調研。師生共同討論調研報告，實現教學互動。調研的內容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術。
2023-06-29 10:02:17327 
分別為18.46%、14.49%、18.66%。在制程方面，安凱微主流產品采用40nm 和 22nm 工藝制程，且已經開始12nm FinFET 工藝設計的研發工作。
2023-06-28 15:55:19828 
開箱大吉#紫光同創PGL22G關鍵特性評估板@盤古22K開發板 開箱教程來啦！詳細教程手把手來教啦！#紫光盤古系列開發板@盤古22K開發板 基于紫光同創40nm工藝的FPGA主控芯片（Logos系列
2023-06-28 10:46:17
在之前的文章里，我們介紹了晶圓制造、氧化過程和集成電路的部分發展史。現在，讓我們繼續了解光刻工藝，通過該過程將電子電路圖形轉移到晶圓上。光刻過程與使用膠片相機拍照非常相似。但是具體是怎么實現的呢？
2023-06-28 10:07:472427 
在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設計好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:58843 
外，學生還就感興趣的課題做深入調研。師生共同討論調研報告，實現教學互動。調研的內容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術。
2023-06-26 17:00:19765 
如今，光刻技術已成為一項容錯率極低的大產業。全球領先的荷蘭公司 ASML 也是歐洲市值最大的科技公司。它的光刻工具依賴于世界上最平坦的鏡子、最強大的商用激光器之一以及比太陽表面爆炸還高的熱度，在硅上刻出微小的形狀，尺寸僅為幾納米。
2023-06-26 16:59:16569 Dimension, CD)小型化(2D視角)，刻蝕工藝從濕法刻蝕轉為干法刻蝕，因此所需的設備和工藝更加復雜。由于積極采用3D單元堆疊方法，刻蝕工藝的核心性能指數出現波動，從而刻蝕工藝與光刻工藝成為半導體制造的重要工藝流程之一。
2023-06-26 09:20:10816 
盡管英特爾的第14代酷睿尚未發布，但第15代酷睿（代號Arrow Lake）已經曝光。新的酷睿系列產品將改為酷睿Ultra系列，并使用臺積電的3nm工藝，預計會有顯著的性能提升。
2023-06-20 17:48:571100 外，學生還就感興趣的課題做深入調研。師生共同討論調研報告，實現教學互動。調研的內容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術。
2023-06-20 10:51:43335 
近日，湖南大學段輝高教授團隊通過開發基于“光刻膠全干法轉印”技術的新型光刻工藝，用于柔性及不規則（曲面、懸空）襯底上柔性電子器件的原位和高保形制造，為高精度、高可靠性和高穩定性柔性電子器件的制造提供
2023-06-17 10:19:38507 
跪求新唐NM1200和NM1330詳細的數據手冊
2023-06-15 08:57:31
外，學生還就感興趣的課題做深入調研。師生共同討論調研報告，實現教學互動。調研的內容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術。
2023-06-14 10:16:38226 
外，學生還就感興趣的課題做深入調研。師生共同討論調研報告，實現教學互動。調研的內容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術。 考慮到這些內容也是目前業界關注的實用技術，征得教師和學生的同意，本公眾號將陸
2023-06-13 16:24:08226 
【視頻】盤古Logos系列PGL22G關鍵特性評估板@盤古22K開發板#紫光同創FPGA開發板#基于紫光同創40nm工藝的FPGA主控芯片（Logos系列: PGL22G-MBG324），掛載
2023-06-12 17:38:43
外，學生還就感興趣的課題做深入調研。師生共同討論調研報告，實現教學互動。調研的內容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術。
2023-06-12 11:19:55562 
光刻機可分為前道光刻機和后道光刻機。光刻機既可以用在前道工藝，也可以用在后道工藝，前道光刻機用于芯片的制造，曝光工藝極其復雜，后道光刻機主要用于封裝測試，實現高性能的先進封裝，技術難度相對較小。
2023-06-09 10:49:205857 
光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:353304 
? ? 中芯國際，作為當前我國技術最為先進，工藝最為成熟的芯片半導體代工廠商，堪稱是當下國內半導體行業“全村的希望”。盡管面臨著技術的限制和先進光刻機設備的禁運，中芯國際卻依然在自主研發與創新
2023-06-06 15:34:2117913 在探討半導體行業時，我們經常會聽到兩個概念：晶圓尺寸和工藝節點。本文將為您解析8寸晶圓以及5nm工藝這兩個重要的概念。
2023-06-06 10:44:001420 
BK7256是一顆采用22nm工藝制程，高度集成wifi+ble的低功耗音視頻芯片，可用于實時遠程音視頻傳輸和iot智能中控驅屏應用
2023-06-06 09:47:581572 
通常，光刻是作為特性良好的模塊的一部分執行的，其中包括晶圓表面制備、光刻膠沉積、掩模和晶圓的對準、曝光、顯影和適當的抗蝕劑調節。光刻工藝步驟需要按順序進行表征，以確保模塊末端剩余的抗蝕劑是掩模的最佳圖像，并具有所需的側壁輪廓。
2023-06-02 16:30:25418 
直接鍍銅陶瓷基板（Direct Plating Copper, DPC）是在陶瓷薄膜工藝加工基礎上發展起來的陶瓷電路加工工藝。以氮化鋁/氧化鋁陶瓷作為線路的基板，采用濺鍍工藝于基板表面復合金屬層，并以電鍍和光刻工藝形成電路。
2023-05-31 10:32:021587 
瑞芯微RK3568芯片是一款定位中高端的通用型SOC，采用22nm制程工藝，搭載一顆四核Cortex-A55處理器和Mali G52 2EE 圖形處理器。RK3568 支持4K 解碼和 1080P
2023-05-29 11:09:01
14nm、10nm、4……Intel近幾年的制造工藝，每次首秀都不太順利，頻率和性能不達標，只能用于移動版，優化個一兩年才能上桌面，然后性能又非常好。
2023-05-24 11:33:42985 
處理器采用22nm工藝，主頻高達2.0GHz；支持藍牙、Wi-Fi、音頻、視頻和攝像頭等功能，擁有豐富的擴展接口，支持多種視頻輸入輸出接口，配置雙千兆自適應RJ45以太網口，可滿足NVR、工業網關等多網口
2023-05-16 14:56:42
光刻膠可以通過光化學反應，經曝光、顯影等光刻工序將所需要的微細圖形從光罩（掩模版）轉移到待加工基片上。依據使用場景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。
2023-05-11 16:10:492772 
Intel將于6月11日至16日舉辦的VLSI Symposium 2023研討會上，首次展示PowerVia技術。有關信息顯示,Intel的20A工藝將引入PowerVia背部供電和RibbonFET全環繞柵極晶體管等全新技術。
2023-05-10 15:07:51345 
1300NM
金屬封裝工藝是指采用金屬外殼作為封裝殼體或底座，在其內部安裝芯片或基板并進行鍵合連接，外引線通過金屬-玻璃（或陶瓷）組裝工藝穿過金屬外殼，將內部元件的功能引出、外部電源信號等輸人的一種電子
2023-05-09 11:23:07
使用尖端工藝技術生產芯片需要比以往更強大的計算能力。為了滿足2nm及更先進制程的需求，NVIDIA正在推出其cuLitho軟件庫
2023-04-26 10:06:52595 現代工藝技術將晶圓廠設備要求推向極限，需要實現突破其物理極限的高分辨率，這正是計算光刻技術發揮作用的地方。計算光刻就是為芯片生產制作光掩模的技術，它結合來自ASML設備和測試晶圓的關鍵數據，是一個模擬生產過程的算法。
2023-04-26 10:05:29918 根據維基百科的定義，光刻是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到所在襯底上。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質層，例如玻璃、SOS中的藍寶石。
2023-04-25 11:11:331242 
光刻技術簡單來講，就是將掩膜版圖形曝光至硅片的過程，是大規模集成電路的基礎。目前市場上主流技術是193nm沉浸式光刻技術，CPU所謂30nm工藝或者22nm工藝指的就是采用該技術獲得的電路尺寸。
2023-04-25 11:02:322261 
半導體行業借助紫外光譜范圍（i 線：365 nm、h線：405 nm和g線：436 nm）中的高功率輻射在各種光刻、曝光和顯影工藝中創建復雜的微觀結構
2023-04-24 11:23:281480 
那時集成電路也剛剛發明不久，光刻工藝還在微米級別，工藝步驟也比現在簡單很多美國是走在世界前列的。在那個對工藝要求并不高的年代，很多半導體公司通常自己用鏡頭設計光刻工具，光刻機在當時甚至不如照相機的結構復雜。
2023-04-20 09:22:331314 此次采用全新22nm工藝生產的首顆MCU，擴展了瑞薩廣受歡迎的基于32位Arm Cortex-M內核的RA產品家族。該新型無線MCU支持低功耗藍牙5.3 (BLE)，并集成了軟件定義無線電（SDR）。
2023-04-14 11:08:23628 搞定2nm工藝需要至少3方面的突破，一個是技術，一個是資金，一個是市場，在技術上日本是指望跟美國的IBM公司合作，后者前兩年就演示過2nm工藝，但IBM的2nm工藝還停留在實驗室級別，距離量產要很遠。
2023-04-14 10:24:55507 新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環境中開發，必須通過精心設計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進行優化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰，imec 最近開發了一個新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121164 瑞薩電子今日宣布推出基于 22nm 制程的首顆微控制器（MCU）。通過采用先進工藝技術，提供卓越性能，并通過降低內核電壓來有效降低功耗。先進的工藝技術還提供更豐富的集成度（比如 RF 等），能夠在更小的裸片面積上實現相同的功能，從而實現了外設和存儲的更高集成度。
2023-04-12 10:07:19454 此前該公司指出，公司已建成年產5噸ArF干式光刻膠生產線、年產20噸ArF浸沒式光刻膠生產線及年產45噸的光刻膠配套高純試劑生產線，具備ArF光刻膠及配套關鍵組分材料的生產能力，目前公司送樣驗證的產品均由該自建產線產出。
2023-04-11 09:25:32920 下圖顯示了Intel的第6代晶體管（6T）SRAM尺寸縮小時間表，以及多晶硅柵刻蝕技術后從90nm到22nm技術節點6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖。可以看出，SRAM的布局從65nm節點已發生
2023-04-03 09:39:402451 光刻是將設計好的電路圖從掩膜版轉印到晶圓表面的光刻膠上，通過曝光、顯影將目標圖形印刻到特定材料上的技術。光刻工藝包括三個核心流程：涂膠、對準和曝光以及光刻膠顯影，整個過程涉及光刻機，涂膠顯影機、量測設備以及清洗設備等多種核心設備，其中價值量最大且技術壁壘最高的部分就是光刻機。
2023-03-25 09:32:394948 為2nm及更先進芯片的生產提供更強大的助力。 計算光刻是芯片設計和制造領域中最大的計算工作負載，每年消耗數百億CPU小時。而NVIDIA cuLitho計算光刻庫利用GPU技術實現計算光刻，可以極大的降低功耗、節省時間。 目前臺積電、光刻機制造商阿斯麥，以及EDA巨頭新思科技都已經導入
2023-03-23 18:55:377488 
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