SN74CBT16800C 具有預(yù)充電輸出和 ?2V 下沖保護(hù)的 20 位 FET 總線開關(guān)

描述

SN74CBT16800C是一款高速TTL兼容FET總線開關(guān)，具有低導(dǎo)通電阻（r _on），允許用于最小傳播延遲。 SN74CBT16800C的A和B端口上的有源下沖保護(hù)電路通過檢測下沖事件并確保開關(guān)保持在正常的OFF狀態(tài)，為低達(dá)2 V的下沖提供保護(hù)。該器件還可將B端口預(yù)充電至用戶可選擇的偏置電壓（BIASV），以最大限度地降低帶電插入噪聲。

SN74CBT16800C組織為兩個10位總線開關(guān)，具有獨(dú)立的輸出使能（10E \ ，2OE \）輸入。它可以用作兩個10位總線開關(guān)或一個20位總線開關(guān)。當(dāng)OE \為低電平時，相關(guān)的10位總線開關(guān)接通，A端口連接到B端口，允許端口之間的雙向數(shù)據(jù)流。當(dāng)OE \為高電平時，相關(guān)的10位總線開關(guān)關(guān)閉，A和B端口之間存在高阻態(tài)。當(dāng)OE \高時，B端口通過等效的10-k 電阻預(yù)充電到BIASV，或者如果設(shè)備斷電（V _CC = 0 V）。

在插入（或移除）卡進(jìn)入（或從）有源總線的過程中，卡？？的輸出電壓可能接近GND。當(dāng)連接器引腳接觸時，卡的寄生電容會試圖迫使總線信號進(jìn)入GND，從而在有源總線上產(chǎn)生可能的毛刺。通過使用總線開關(guān)的預(yù)充電偏置電壓（BIASV）等于有源總線上接收器的輸入閾值電壓電平的總線開關(guān)，可以減少這種毛刺效應(yīng)。這種方法將確保卡的插入（或移除）產(chǎn)生的任何毛刺都不會越過有源總線上接收器的輸入閾值區(qū)域，從而最大限度地減少了插入噪聲的影響。

此設(shè)備完全為使用I _off的部分?jǐn)嚯姂?yīng)用指定。 I _off功能可確保損壞的電流在斷電時不會回流通過器件。

為確保上電或斷電期間的高阻態(tài)，OE \應(yīng)通過上拉電阻連接到V _CC;電阻的最小值由驅(qū)動器的電流吸收能力決定。

特性

德州儀器廣播公司的成員？系列
對A和B端口上的隔離進(jìn)行下沖保護(hù)，最高可達(dá)±2 V
B端口輸出通過偏置電壓（BIASV）預(yù)充電，以最大限度地減少實(shí)時信號失真插入和熱插拔
支持PCI熱插拔
具有近零傳播延遲的雙向數(shù)據(jù)流
低導(dǎo)通電阻（r _on）特征（r _on = 3 典型）< /li>
低輸入/輸出電容最小化負(fù)載和信號失真（C _io（OFF）= 5.5 pF典型值）
數(shù)據(jù)和控制輸入提供下沖鉗位二極管< /li>
低功耗（I _CC =最大3μA）
V _CC工作范圍4 V至5.5 V
數(shù)據(jù)I /O支持0至5V信令電平（0.8V，1.2V，1.5V，1.8V，2.5V，3.3V，5V）
控制輸入可由TTL或5 V /3.3 V CMOS輸出驅(qū)動
I _off支持部分功率-D自己的模式操作
閂鎖性能超過JESD 78，Class II 100 mA
每個JESD測試的ESD性能22
- 2000-V人體模型（ A114-B，II類）
- 1000V充電器件型號（C101）
支持?jǐn)?shù)字和模擬應(yīng)用：PCI接口，存儲器交錯，總線隔離，低失真信號門控

Widebus是德州儀器公司的商標(biāo)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?模擬開關(guān)/多路復(fù)用器

?
Configuration
Number of Channels (#)
Power Supply Type
Vss (Min) (V)
Vss (Max) (V)
Vdd (Min) (V)
Vdd (Max) (V)
Ron (Typ) (Ohms)
Bandwidth (MHz)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Package Group
Supply Range (Max)
Ron (Max) (Ohms)
Input/Output Continuous Current (Max) (mA)
Supply Current (Max) (uA)
Features
OFF-state leakage current (Max) (μA)
Input/Output ON-state Capacitance (Typ) (pF)
Input/Output OFF-state Capacitance (Typ) (pF)
ESD Charged Device Model (kV)
ESD HBM (kV)
VIL (Max) (V)
VIH (Min) (V)
?

SN74CBT16800C
1:1 SPST ? ?
20 ? ?
Single ? ?
N/A ? ?
N/A ? ?
4 ? ?
5.5 ? ?
3 ? ?
200 ? ?
Catalog ? ?
-40 to 85 ? ?
48SSOP: 164 mm2: 10.35 x 15.88(SSOP) 48TSSOP: 101 mm2: 8.1 x 12.5(TSSOP) ? ?
SSOP TSSOP ? ?
5.5 ? ?
12 ? ?
128 ? ?
3 ? ?
Powered off protection -2V undershoot protection Pre-charged signal path ? ?
10 ? ?
15.5 ? ?
5.5 ? ?
1 ? ?
2 ? ?
0.8 ? ?
2 ? ?