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FAN5026 雙輸出/ DDR PWM控制器

數據:

FAN5026 PWM控制器為兩個輸出電壓提供高效率的調節,可調范圍從0.9v至5.5V,這是高性能計算機,機頂盒以及VGA卡中的電源I / O,芯片組,存儲器庫所必需的。同步整流有利于在較寬的負載范圍內獲得高效率。如果使用MOSFETR DS(ON)作為電流感測組件,效率還可進一步提高。斜坡調制,平均電流模式控制機制以及內部反饋補償等功能實現了負載瞬態快速響應。具有180°相位偏移的異相操作減少了輸入電流紋波??刂破骺赏ㄟ^激活專用引腳,轉變成完全的DDR存儲器電源解決方案。在DDR模式中,一個通道跟蹤另一通道的輸出電壓并提供輸出灌電流和源功能,這對于DDR芯片正確加電至關重要。還提供了此類存儲器所需的緩沖參考電壓.FAN5026監控這些輸出,并在軟啟動完成并輸出在其設定點的±10%內時生成獨立的PGx(電源正常)信號。壓保護可防止輸出電壓超過其設定點的120%。過壓條件停止后,會自動恢復正常操作。當輸出在其軟啟動序列完成后降至其設定值的75%以下時,欠壓保護會閂鎖芯片。可調過流功能通過感測較低MOSFET兩端的壓降來監控輸出電流。需要精確電流感測時,可使用外部電流感測電阻。
特性
  • 高靈活性,雙同步開關PWM控制器包括以下模式:
  • 帶同相操作的DDR模式,用于減少通道干擾
  • 90°相位偏移的兩階DDR模式,用于減少輸入紋波
  • 雙獨立調節器,180°相位偏移
  • 完整DDR存儲器電源解決方案
  • V TT 跟蹤V DDQ / 2
  • V DDQ / 2 緩沖參考輸出
  • 低端MOSFET上的無損電流感測或者使用感測電阻的精確過流
  • V CC 欠壓閉鎖
  • 寬輸入范圍:3V至16V
  • 卓越動態響應,使用電壓前饋和平均電流模式控制
  • 電源正常信號
  • 支持DDR-II和HSTL
  • 28引腳薄型小封裝
應用
  • TBA

電路圖、引腳圖和封裝圖




技術文檔

數據手冊(1) 相關資料(2)
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