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理想二極管

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　　理想二極管：就是正向壓降為0，反向漏電流為0的二極管，這種二極管只存在于理論研究中；理想二極管是一種假設(shè)，根據(jù)題目要求假設(shè)，如為沒有壓降，沒有損耗，反向不會(huì)擊穿等理想狀態(tài)。而實(shí)際二極管是達(dá)不到的。目的是為了突出重點(diǎn)，去除次要問題。

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理想二極管技術(shù)

利用集成 MOSFET 發(fā)揮理想二極管的優(yōu)勢(shì)

作者：Pete Bartolik 投稿人：DigiKey 北美編輯理想二極管技術(shù)可為電子應(yīng)用帶來(lái)諸多好處，包括降低壓降、增強(qiáng)系統(tǒng)控制和強(qiáng)大的保護(hù)功能。...

2025-05-25 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 理想二極管 196 0

UCC3912 帶斷路器和可調(diào)電流監(jiān)控的 3V 至 8V 熱插拔控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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LM5050-2 6V 至 75V 400uA IQ ORing FET 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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LM5050-1 5V 至 75V 400uA IQ 或運(yùn)算 FET 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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LM74610-Q1 0.48V 至 42V、零 IQ 汽車?yán)硐攵O管控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM74610-Q1 是一款控制器器件，可與 N 溝道 MOSFET 配合使用。反極性保護(hù)電路。它旨在驅(qū)動(dòng)外部 MOSFET 以模擬與電源串聯(lián)時(shí)的理...

2025-05-10 標(biāo)簽：MOSFET 整流器保護(hù)電路 469 0

LM74670-Q1 具有 70uA 柵極驅(qū)動(dòng)的 0.48V 至 42V、零 IQ 汽車類理想二極管整流器控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM74670-Q1 是一款控制器器件，可與交流發(fā)電機(jī)全橋或半橋整流器架構(gòu)中的 N 溝道 MOSFET 一起使用。它旨在驅(qū)動(dòng)外部 MOSFET 以模擬理...

2025-05-10 標(biāo)簽：MOSFET 控制器柵極驅(qū)動(dòng)器 302 0

TPS23525 具有雙電流限制和雙 Oring 的 -10V 至 -80V 熱插拔控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS23525 是一款集成的熱插拔和雙 OR-ing 控制器，使高功率電信系統(tǒng)能夠滿足嚴(yán)格的瞬態(tài)要求。200V 的絕對(duì)最大額定值使其更容易通過雷電浪涌...

2025-05-09 標(biāo)簽：軟啟動(dòng)FET 浪涌電流 249 0

LM74700-Q1 3.2V 至 65V、80uA IQ 汽車?yán)硐攵O管控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM74700-Q1 是一款符合 AEC Q100 標(biāo)準(zhǔn)的汽車級(jí)理想二極管控制器，它與外部 N 溝道 MOSFET 配合使用，作為理想二極管整流器，提供...

2025-05-09 標(biāo)簽：MOSFET 控制器輸入電壓 276 0

LM66100 具有集成 FET 的 1.5V 至 5.5V、1.5A、0.5μA IQ 理想二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM66100 是一款單輸入、單輸出（SISO）集成理想二極管，非常適合各種應(yīng)用。該器件包含一個(gè) P 溝道 MOSFET，可在 1.5 V 至 5....

2025-05-09 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 輸入電壓 247 0

LM74202-Q1 具有集成 FET 的 4.2V 至 40V、2.2A 300uA IQ 汽車類理想二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM74202-Q1 器件是一款緊湊、功能豐富的 40V 集成理想二極管，具有一整套保護(hù)功能。寬電源輸入范圍允許控制 12V 汽車電池驅(qū)動(dòng)型應(yīng)用。該器件...

2025-05-09 標(biāo)簽：電源額定電壓浪涌電流 170 0

LM76202-Q1 具有集成 FET 的 4.2V 至 60V、2.2A 300uA IQ 汽車類理想二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2025-05-09 標(biāo)簽：斷路器 FET 低電流 195 0

LM7480-Q1系列 3V 至 65V 汽車級(jí)理想二極管控制器，背靠背驅(qū)動(dòng) NFET數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM7480x-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動(dòng)和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET，以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)功能的理想二極管整流器。3V...

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LM74700-EP 增強(qiáng)型低 IQ 理想二極管控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2025-05-08 標(biāo)簽：整流器控制器電壓 403 0

LM66200 1.6V 至 5.5V、40mΩ、2.5A、低 IQ、雙通道理想二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM66200 是一款雙通道理想二極管器件，額定電壓為 1.6 V 至 5.5 V，每通道最大額定電流為 2.5 A。該器件使用 N 溝道 MOSFET...

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LM74701-Q1 是一款符合 AEC Q100 標(biāo)準(zhǔn)的汽車級(jí)理想二極管控制器，它與外部 N 溝道 MOSFET 一起作為理想二極管，用于實(shí)現(xiàn)低損耗反...

2025-05-08 標(biāo)簽：MOSFET 控制器電荷泵 182 0

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LM74720-Q1 具有有源整流和負(fù)載突降保護(hù)功能的汽車級(jí)低 IQ 理想二極管控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM74720-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動(dòng)和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET，以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)功能的理想二極管整流器。3V...

2025-05-08 標(biāo)簽：電源 MOSFET 輸出電壓 197 0

LM7480系列 3V 至 65V 背靠背 NFET 理想二極管控制器，溫度范圍為 -55°C 至 125°C數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM7480 理想二極管控制器可驅(qū)動(dòng)和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET，以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)功能的理想二極管整流器。3V 至 6...

2025-05-07 標(biāo)簽：MOSFET 輸出電壓電源電壓 251 0

LM7481 具有 -55°C 至 125°C 高柵極驅(qū)動(dòng)的 3V 至 65V 背靠背 NFET理想二極管控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM74810 理想二極管控制器驅(qū)動(dòng)和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET，以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)的理想二極管整流器。3V 至 65V...

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LM74910-Q1 帶斷路器、200kHz ACS 以及欠壓和過壓保護(hù)的汽車級(jí)理想二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM749x0-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動(dòng)和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET，以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制以及過流和過壓保護(hù)的理想二極管整流器。...

2025-05-07 標(biāo)簽：MOSFET 過壓保護(hù)斷路器 292 0

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理想二極管

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