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標簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數(shù)據(jù))
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,基于產(chǎn)品和市場特性,DRAM可分為主流DRAM和利基DRAM。主流DRAM產(chǎn)品具有大容量、高傳輸速率的特點,主要應用于智能手機、個...
2025-06-07 標簽:DRAM 2656 0
不同于HBM,這種創(chuàng)新的堆疊式DRAM,功耗有望降低50%
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李彎彎)近日消息,英特爾與軟銀集團宣布達成戰(zhàn)略合作,共同開發(fā)具有劃時代意義的AI專用內(nèi)存芯片。這項合作將致力于突破當前AI計算中的...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)高帶寬存儲HBM因數(shù)據(jù)中心、AI訓練而大熱,HBM三強不同程度地受益于這一存儲產(chǎn)品的營收增長,甚至就此改變了DRAM市場的...
近日,紫光國芯攜全系列車規(guī)DRAM存儲產(chǎn)品亮相2025上海國際汽車工業(yè)展覽會中國芯展區(qū),全面展示了公司車規(guī)級芯片的系統(tǒng)應用和創(chuàng)新成果。
紫光國芯亮相2025西部半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展論壇
近日,由陜西省半導體行業(yè)協(xié)會主辦的“2025西部半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展論壇暨陜西省半導體行業(yè)協(xié)會成立20周年大會”在西安舉辦。大會由省市相關領導、院士專家、...
LPDDR5X速率刷新記錄,LPDDR5-Ultra-Pro DRAM來了
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,在國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上三星推出最新LPDDR5規(guī)范,將數(shù)據(jù)傳輸速率提高到12700MT/s (12.7GT/s)。 ?...
2025-02-28 標簽:DRAM 2222 0
三星調整1cnm DRAM設計,力保HBM4量產(chǎn)
據(jù)韓國媒體報道,三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn),為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn),公司決定對設計進行重大調整。
據(jù)市場研究機構Omdia于2月7日發(fā)布的最新數(shù)據(jù),DRAM市場價格正面臨持續(xù)的下滑趨勢,這一趨勢預計至少將持續(xù)到今年第三季度。導致這一狀況的主要原因是I...
Kioxia開源發(fā)布AiSAQ?技術,降低生成式AI的DRAM需求
全球領先的內(nèi)存解決方案提供商Kioxia Corporation近日宣布了一項重大舉措:以開源軟件的形式發(fā)布其創(chuàng)新的全存儲ANNS乘積量化(AiSAQ)...
DDR4內(nèi)存價格下跌,NAND閃存減產(chǎn)效果未顯
TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告顯示,DRAM和NAND閃存市場近期呈現(xiàn)出不同的態(tài)勢。
根據(jù)市場調查機構Gartner的最新數(shù)據(jù),全球半導體市場將迎來持續(xù)增長。預計2025年,全球半導體收入將達到7050億美元,同比增長12.6%。這一增長...
近日,根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告,DRAM和NAND閃存市場近期呈現(xiàn)出截然不同的表現(xiàn)。 在DRAM方面,消費者需求在...
DRAM與NAND閃存市場低迷,DRAM現(xiàn)貨價格持續(xù)下滑
近日,據(jù)市場研究機構TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的報告指出,DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場近期均呈現(xiàn)出低迷的走勢。 特別是在DRAM市場方面,春...
據(jù)報道,三星電子已正式否認了有關其將重新設計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認引發(fā)了業(yè)界對三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新一輪關注。 ...
據(jù)DigiTimes報道,三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM(1b DRAM)的報道予以否認。 此前,ETNews曾有報道稱,三星電子內(nèi)部為解...
據(jù)韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%...
據(jù)韓媒MoneyToday報道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間從原定的2024年底推遲至...
三星重啟1b nm DRAM設計,應對良率與性能挑戰(zhàn)
近日,據(jù)韓媒最新報道,三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時,已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有...
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