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場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)（FET））簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

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fet技術(shù)

UCC23514 5kVrms 4A/5A，單通道光學(xué)兼容隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，帶有鉗位和分割輸出選項(xiàng)數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC23514 是一款適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4.5A 的拉電流和 5.3A ...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET FET SiC 224 0

UCC23313-Q1 具有 8V/12V UVLO 的汽車級(jí) 3.75kVrms、4A/5A 單通道光兼容隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC23313-Q1 是一款適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4.5A 拉電流和 5.3...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 電源電壓 FET 221 0

UCC23513-Q1 汽車級(jí) 5.7kVrms，4A/5A 單通道光兼容隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC23513-Q1 驅(qū)動(dòng)器是適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4.5A 的拉電流和...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 電源電壓 FET 180 0

UCC23113 具有功能隔離（1.2kVRMS）的 4A/5A 單通道光兼容隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC23113 適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 5A 拉電流和 5A 灌電流峰值輸...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 電源電壓 FET 187 0

TPS7H6003-SP 抗輻射 QMLV 200V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證（RHA）氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 T...

2025-05-15 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 196 0

TPS7H6023-SP 抗輻射 QMLV 22V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

2025-05-15 標(biāo)簽：FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 GaN 208 0

TPS7H6005-SEP 耐輻射 200V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS7H60x5 系列抗輻射保證（RHA）氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 ...

2025-05-15 標(biāo)簽：ldo FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 215 0

TPS7H6025-SEP 耐輻射 22V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

2025-05-15 標(biāo)簽：封裝 FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 199 0

TPS7H6015-SEP 耐輻射 60V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

2025-05-15 標(biāo)簽：ldo 封裝 FET 242 0

TPS2363 適用于 PCIExpress 的 10.8V 至 13.2V 雙通道熱插拔控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS2363 是一款雙插槽 PCIExpress 熱插拔控制器，具有 SMBus 控制和監(jiān)控功能。3.3V 和 12V 電源有感應(yīng)電阻器可編程電流限制...

2025-05-14 標(biāo)簽：電阻器比較器 FET 176 0

TPS2358 具有 Oring 的 8.5V 至 15V 雙通道熱插拔控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

兩個(gè)完全集成的 3.3V 通道提供浪涌控制、電流限制和過(guò)載保護(hù)。兩個(gè) 12V 通道使用外部 FET 提供相同的功能，并使用 ORing 控制電路，允許外...

2025-05-14 標(biāo)簽：電容器電阻器編程 194 0

TPS2459 具有 Oring 和 I2C 的 3V 至 15V 熱插拔控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS2459 熱插拔控制器執(zhí)行所有必要的電源接口功能，以實(shí)現(xiàn) AdvancedMC? （高級(jí)夾層卡）。完全集成的 3.3V 通道提供浪涌控制、過(guò)流保...

2025-05-14 標(biāo)簽：電阻器比較器 FET 186 0

TPS2492 具有功率限制、閉鎖和模擬電流監(jiān)控器的 9V 至 80V 熱插拔控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS2492 和 TPS2493 是易于使用的正高壓 14 引腳熱插拔控制器，可安全地驅(qū)動(dòng)外部 N 溝道 FET 以控制負(fù)載電流。可編程功率折返保護(hù)通...

2025-05-13 標(biāo)簽：負(fù)載電流定時(shí)器 FET 209 0

LM5050-2 6V 至 75V 400uA IQ ORing FET 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM5050-2 高側(cè) OR-ing FET 控制器與外部 MOSFET 與電源串聯(lián)時(shí)用作理想二極管整流器。這個(gè) OR-ing 控制器允許 MOSFET...

2025-05-13 標(biāo)簽：MOSFET 控制器 FET 220 0

LM5066系列具有電流、電壓和功率監(jiān)控以及 PMBus 的 10V 至 80V 熱插拔控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM5066 提供強(qiáng)大的保護(hù)和精度監(jiān)控 10 至 80 V 系統(tǒng)。可編程序 UV、OV、I~限制~和快速短路保護(hù)允許為任何應(yīng)用提供定制保護(hù)。可...

2025-05-13 標(biāo)簽：可編程定時(shí)器 FET 164 0

LM5051系列 -6V 至 -100V 690uA IQ 或運(yùn)算 FET 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM5051 低側(cè) OR-ing FET 控制器與外部 MOSFET 配合使用與電源串聯(lián)時(shí)用作理想二極管整流器。這個(gè) OR-ing 控制器允許 MO...

2025-05-13 標(biāo)簽：MOSFET 整流器控制器 195 0

SM74611 0.5V 至 30V 智能旁路二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

SM74611 器件是一種用于光伏的智能旁路二極管應(yīng)用。SM74611 設(shè)備用于為 string 提供備用路徑電流（當(dāng)面板的某些部分在正常作期間被...

2025-05-12 標(biāo)簽：二極管封裝 FET 215 0

LM5050-1-Q1 汽車類 5V 至 75V 400uA IQ 或運(yùn)算 FET 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM5050-1/-Q1 高側(cè) OR-ing FET 控制器在與電源串聯(lián)時(shí)與外部 MOSFET 一起作為理想二極管整流器運(yùn)行。該 ORing 控制器允許...

2025-05-12 標(biāo)簽：MOSFET 整流器控制器 180 0

TPS24750 2.5V 至 18V、3mΩ、0.01-12A 電子保險(xiǎn)絲，帶用于外部阻斷 FET 和閉鎖的驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS2475x 為 2.5 V 至 18 V 應(yīng)用提供高度集成的負(fù)載保護(hù)。這些器件在單個(gè)封裝中集成了熱插拔控制器和功率 MOSFET，適用于小尺寸應(yīng)用...

2025-05-12 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器封裝 182 0

TPS25942A 具有反向電流阻斷、IMON 和 PG 的 2.7V 至 18V、42mΩ、0.6A-5.2A 電子保險(xiǎn)絲數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS25942、TPS25944 eFuse Power MUX 是一款緊湊、功能豐富的電源管理器件，具有全套保護(hù)功能。寬工作范圍允許控制許多常用的直...

2025-05-12 標(biāo)簽：電源管理可編程 FET 176 0

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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時(shí)鐘	時(shí)鐘振蕩器	時(shí)鐘發(fā)生器	時(shí)鐘緩沖器	定時(shí)器	寄存器	實(shí)時(shí)時(shí)鐘	PWM 調(diào)制器
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