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電子發燒友網報道(文/周凱揚)從PC時代走向移動與AI時代,芯片的架構也從以CPU為中心走向了以數據為中心。AI帶來的考驗不僅包括芯片算力,也包括內存帶...
據此,現有的DRAM設計團隊將主要負責HBM3E內存的開發和優化,而今年三月份新設立的HBM產能與質量提升團隊則專攻下一代技術——HBM4。
電子發燒友網報道(文/周凱揚)由于今年半導體市場復雜多變的格局,上下游也呈現出不同的樣貌,尤其是半導體設備市場。近日,半導體設備頭部廠商應用材料也公布了...
到2024年,存儲器市場將經歷近40%的不景氣,而且因減產效果,產品價格會上升,再加上高價hbm滲透率的提高,有望對市場增長有所幫助。idc預測說,隨著...
SK海力士正積極布局Compute Express Link(CXL)內存技術的同時,也加速了在自動駕駛汽車內存領域的步伐,視其為極具潛力的未來市場藍海...
英偉達宣布推出新一代GPU Blackwell,SK海力士已量產HBM3E
在英偉達GTC 2024大會上,英偉達CEO黃仁勛宣布推出新一代GPU Blackwell,第一款Blackwell芯片名為GB200,將于今年晚些時候上市。
該集群將生產HBM、PIM和其他尖端芯片。總產能估計為每月770萬片晶圓。到2027年將建成3座生產廠和2座研發廠。
業內評論指出,三星HBM之所以出現問題,主要原因在于負責英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準。由于SK海力士8層HBM3E的生產方...
三星開創性研發出12層堆疊HBM3E 12H高帶寬存儲芯片,存儲容量高達36
三星在技術上采用了最新的熱壓力傳導性膜(TC NCF)技術,成功維持了12層產品的高度與其前身8層HBM芯片保持一致,滿足了現有的HBM封裝要求。
韓國存儲芯片巨頭SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度財報中,展現出強大的增長勢頭。數據顯示,公司的主力產品DDR5 DRAM和HBM3的營收...
近日,市場調研機構TrendForce在“AI時代半導體全局展開──2025科技產業大預測”研討會上發布了一項重要預測。據該機構指出,隨著全球前三大HB...
在近期舉行的2024年歐洲技術研討會上,臺積電透露了即將用于HBM4制造的基礎芯片的部分新信息。據悉,未來HBM4將采用邏輯制程生產,而臺積電計劃利用其...
近日,三星電子宣布,已成功發布其首款12層堆疊的高帶寬內存(HBM3E)產品——HBM3E 12H,再次鞏固了其在半導體技術領域的領先地位。據了解,HB...
HBM3E的推出,標志著SK海力士在高性能存儲器領域取得了重大突破,將現有DRAM技術推向了新的高度。
國芯科技(688262)。sh) 8月2日的投資者在互動平臺(interface),公司目前正在與合作伙伴一起流片驗證相關chiplet芯片高性能互聯I...
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