使用濕化學(xué)物質(zhì)去除光刻膠和殘留物

摘要

在未來幾代器件中，去除光刻膠和殘留物變得非常關(guān)鍵。在前端線后離子注入（源極/漏極、擴展），使用PR來阻斷部分電路導(dǎo)致PR基本上硬化并且難以去除。在后端線（BEOL）蝕刻中，除低k材料的情況下去除抗蝕劑和殘留物的選擇性非常具有挑戰(zhàn)性。

介紹

光致抗蝕劑用于保護晶片的某些區(qū)域免受干蝕刻化學(xué)物質(zhì)、離子注入等影響。工藝完成后，需要選擇性去除光刻膠并清潔表面，確保表面無殘留物和顆粒。使用濕化學(xué)物質(zhì)，如熱 SPM、有機溶劑或使用干等離子體“ 灰化”，原則上可以去除抗蝕劑。然而，抗蝕劑在干法蝕刻或注入處理期間被化學(xué)改性，并且適種改性可以顯著降低剝離速率。

當(dāng)前的方法

為了達到足夠，從而達到可接受的低周期時間，以及良好的殘留去除，腐蝕等離子體str ip化學(xué)與晶片加熱結(jié)合使用。這些典型的inyolye等離子體是基于高度氧化的自由基。為了增強結(jié)殼帶，在等離子體中加入含f的物質(zhì)。然而，這些傾向于攻擊暴露的氧化硅襯底。為了解決這個問題，通常采用兩步工藝:含f的結(jié)殼帶和無f的散裝帶。

使用濕化學(xué)物質(zhì)去除光刻膠和殘留物

　　審核編輯：湯梓紅

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電路(169073) 電路(169073)
光刻(29860) 光刻(29860)
器件(27558) 器件(27558)

芯片制造工藝：光學(xué)光刻-掩膜、光刻膠

制造集成電路的大多數(shù)工藝區(qū)域要求100級（空氣中每立方米內(nèi)直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數(shù)不超過約3500）潔凈室，在光刻區(qū)域，潔凈室要求10級或更高。

2024-03-20 12:36:00

關(guān)于光刻膠的關(guān)鍵參數(shù)介紹

與正光刻膠相比，電子束負光刻膠會形成相反的圖案。基于聚合物的負型光刻膠會在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解，而曝光的光刻膠則保留下來，從而形成負像。

2024-03-20 11:36:50

197

環(huán)氧助焊劑助力倒裝芯片封裝工藝

倒裝芯片組裝過程通常包括焊接、去除助焊劑殘留物和底部填充。由于芯片不斷向微型化方向發(fā)展，倒裝芯片與基板之間的間隙不斷減小，因此去除助焊劑殘留物的難度不斷增加。這不可避免地會導(dǎo)致清洗成本增加

2024-03-15 09:21:28

107

淺談不同階段光刻機工作方式

在曝光過程中，掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機的縮放比為1:1，分辨率可達到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復(fù)接觸和分離，隨著曝光次數(shù)的增加，會引起掩模版和光刻膠膜層損壞、芯片良率下降等不良后果。

2024-03-08 10:42:37

一文解析半導(dǎo)體設(shè)計電路的“光刻工藝”

利用光刻機發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。

2024-03-06 14:28:50

光刻膠和光刻機的區(qū)別

光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料，可以通過光刻機上的模板或掩模來進行曝光。

2024-03-04 17:19:18

399

如何在芯片中減少光刻膠的使用量

光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來定。比如對于需要長時間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場景，較厚的光刻膠層能提供更長的耐蝕刻時間。

2024-03-04 10:49:16

131

基于SEM的電子束光刻技術(shù)開發(fā)及研究

電子束光刻（e-beam lithography，EBL）是無掩膜光刻的一種，它利用波長極短的聚焦電子直接作用于對電子敏感的光刻膠（抗蝕劑）表面繪制形成與設(shè)計圖形相符的微納結(jié)構(gòu)。

2024-03-04 10:19:28

206

不同材料在晶圓級封裝中的作用

）：由感光劑、樹脂和溶劑構(gòu)成，用于形成電路圖案和阻擋層 光刻膠是由可溶性聚合物和光敏材料組成的化合物，當(dāng)其暴露在光線下時，會在溶劑中發(fā)生降解或融合等化學(xué)反應(yīng)。在運用于晶圓級封裝的光刻（Photolithography）工藝過程中時，光刻膠可用于創(chuàng)建電路圖案，還

2024-02-18 18:16:31

277

PCB是聚氯化二苯( Polychlorinated Biphenyls)的英文縮寫，是一類具有有機氯化物的有機化合物。PCB在20世紀50年代至70年代廣泛被制造和使用，主要用于電力設(shè)備、變壓器、電容器、潤滑油等工業(yè)領(lǐng)域。然而，隨著人們對環(huán)境和健康的關(guān)注不斷增強，PCB被發(fā)現(xiàn)對人體和環(huán)境有極高的毒性和持久性，因此從20世紀70年代初至80年代末，PCB的生產(chǎn)和使用逐漸被禁止。 PCB的結(jié)構(gòu)由兩個苯環(huán)通過碳碳單鍵連接而成，同時其中的氯原子被取代。氯原子的取代數(shù)量可以影響P

2024-02-04 10:53:35

468

瑞紅集成電路高端光刻膠總部落戶吳中

據(jù)吳中發(fā)布的最新消息，簽約項目涵蓋了瑞紅集成電路高端光刻膠總部項目，該項投資高達15億元，旨在新建半導(dǎo)體光刻膠及其配套試劑的生產(chǎn)基地。

2024-01-26 09:18:43

207

2023年中國光刻膠行業(yè)市場前景及投資研究報告

光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移。01光刻膠定義光刻膠，也被稱為“光致抗蝕劑”，是一種用于光刻的載體介質(zhì)，它可以利用光化學(xué)反應(yīng)將光信息在光刻系統(tǒng)中經(jīng)過衍射和過濾后轉(zhuǎn)化為化學(xué)能，從而

2024-01-19 08:31:24

340

PCBA板的清洗標準及方法

在SMT貼片加工過程中，錫膏和助焊劑會產(chǎn)生殘留物質(zhì)，殘留物中包含有有機酸和可分解的電離子，其中有機酸具有腐蝕作用，電離子殘留在焊盤還會引起短路，而且這些殘留物在PCBA板上是非常臟的，而且不符合顧客對產(chǎn)品清潔度的要求。所以，對PCBA板進行清洗是非常有必要的。

2024-01-17 10:01:23

256

免洗錫膏之殘留物腐蝕性機理分析

層的作用，只會留下少量酸性離子殘留物。免洗錫膏的焊后殘留物雖少，但對于某些高精密器件仍不可忽視。因此，免洗錫膏的殘留物腐蝕性仍舊是熱議問題。

2024-01-08 09:04:56

143

光刻膠分類與市場結(jié)構(gòu)

光刻膠主要下游應(yīng)用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導(dǎo)體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應(yīng)用，占比30%。光刻膠在半導(dǎo)體制造應(yīng)用占比24%，是第三達應(yīng)用場景。

2024-01-03 18:12:21

346

助焊劑清洗不干凈問題的產(chǎn)生原因與解決方案

助焊劑清洗不干凈是指在焊接后，使用的助焊劑沒有完全清潔或去除干凈。這可能表現(xiàn)為在焊接區(qū)域或金屬表面上殘留有助焊劑的痕跡或殘留物。

2023-12-29 10:02:48

452

全球光刻膠市場預(yù)計收入下滑，2024年有望反彈

所謂的“光刻膠”，即是在紫外線、電子束等輻射下，其溶解度會產(chǎn)生變化的耐腐蝕薄膜材料。作為光刻工藝中的關(guān)鍵要素，廣泛應(yīng)用于晶圓和分立器件的精細圖案制作中。其品種繁多，此次漲價涉及的KrF 光刻膠則屬高級別光刻膠，將成為各廠商關(guān)注的焦點。

2023-12-28 11:14:34

379

HMDS與BARC一定要除去嗎？有哪幾種去除的方式？

HMDS，BARC是光刻工序中比較常用的化學(xué)品，但是它們并不能用顯影液除去，根據(jù)是什么？它們一定要除去嗎？有哪幾種去除的方式？

2023-12-22 10:29:55

414

PCBA板清洗的兩種方法介紹

在SMT貼片加工過程中，錫膏和助焊劑會產(chǎn)生殘留物質(zhì)，殘留物中包含有有機酸和可分解的電離子，其中有機酸具有腐蝕作用，電離子殘留在焊盤還會引起短路，而且這些殘留物在PCBA板上是比較臟的，也不符合客戶對產(chǎn)品清潔度的要求。所以，對PCBA板進行清洗是非常有必要的,接下來為大家介紹手工清洗和自動清洗的方法。

2023-12-20 10:04:04

277

光刻工藝的基本步驟 ***的整體結(jié)構(gòu)圖

光照條件的設(shè)置、掩模版設(shè)計以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度，ASML認為其物理極限在0.25，k?體現(xiàn)了各家晶圓廠運用光刻技術(shù)的水平。

2023-12-18 10:53:05

326

勻膠速度影響光刻膠的哪些性質(zhì)？

勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關(guān)重要的參數(shù)，那么我們在勻膠時，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質(zhì)？

2023-12-15 09:35:56

442

光刻膠價格上漲，韓國半導(dǎo)體公司壓力增大

光刻膠類別的多樣化，此次漲價案所涉KrF光刻膠屬于高階防護用品，也是未來各地廠家的競爭焦點。當(dāng)前市場中，光刻膠主要由東京大賀工業(yè)、杜邦、JSR、信越化學(xué)、住友化學(xué)及東進半導(dǎo)體等大型制造商掌控。

2023-12-14 15:20:36

408

揭秘pcb是什么物質(zhì)：你不知道的“化學(xué)戰(zhàn)士”

揭秘pcb是什么物質(zhì)：你不知道的“化學(xué)戰(zhàn)士”

2023-12-14 10:27:30

302

萬潤股份在半導(dǎo)體制造材料領(lǐng)域穩(wěn)步推進，涉足光刻膠單體、PI等業(yè)務(wù)

近期，萬潤股份在接受機構(gòu)調(diào)研時透露，其“年產(chǎn)65噸半導(dǎo)體用光刻膠樹脂系列”項目已經(jīng)順利投入運營。該項目旨在為客戶提供專業(yè)的半導(dǎo)體用光刻膠樹脂類材料。

2023-12-12 14:02:58

328

在濕臺工藝中使用RCA清洗技術(shù)

半導(dǎo)體制造業(yè)依賴復(fù)雜而精確的工藝來制造我們需要的電子元件。其中一個過程是晶圓清洗，這個是去除硅晶圓表面不需要的顆粒或殘留物的過程，否則可能會損害產(chǎn)品質(zhì)量或可靠性。RCA清洗技術(shù)能有效去除硅晶圓表面的有機和無機污染物，是一項標準的晶圓清洗工藝。

2023-12-07 13:19:14

235

半導(dǎo)體制造之光刻工藝講解

光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用

2023-12-04 09:17:24

1334

韓國SKMP開發(fā)出高厚度KrF光刻膠助力3D NAND閃存制造

據(jù)報道，韓國SK集團于2020年斥資400億韓元收購當(dāng)?shù)劐\湖石化的電子材料業(yè)務(wù)，收購后成立的新子公司SK Materials Performance（SKMP）已開發(fā)出一種高厚度KrF光刻膠，并通過了SK海力士的性能驗證，這將有利于SK海力士3D NAND閃存的技術(shù)開發(fā)。

2023-11-29 17:01:56

433

光刻膠國內(nèi)市場及國產(chǎn)化率詳解

KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術(shù)已廣泛應(yīng)用于0.13μm工藝的生產(chǎn)中,主要應(yīng)用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產(chǎn)中。

2023-11-29 10:28:50

283

韓國SKMP開發(fā)出高厚度KrF光刻膠，可助力3D NAND閃存制造

　據(jù)悉，skmp開發(fā)的新型KrF光刻膠的厚度為14至15米，與東進半導(dǎo)體（DONGJIN SEMICHEM）向三星提供的產(chǎn)品相似。日本jsr公司的類似產(chǎn)品厚度只有10微米。

2023-11-29 10:02:52

258

不僅需要*，更需要光刻膠**

為了生產(chǎn)高純度、高質(zhì)量的光刻膠，需要高純度的配方原料，例如光刻樹脂，溶劑PGMEA…此外，生產(chǎn)過程中的反應(yīng)釜鍍膜和金屬析出污染監(jiān)測也是至關(guān)重要的控制環(huán)節(jié)。例如，2019年，某家半導(dǎo)體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染，導(dǎo)致上萬片12吋晶圓報廢

2023-11-27 17:15:48

550

西隴科學(xué)9天8板，回應(yīng)稱“未生產(chǎn)、銷售光刻膠”

　20日，西隴科學(xué)（株）發(fā)布公告稱，該公司沒有生產(chǎn)銷售礦產(chǎn)品。公司生產(chǎn)及銷售用于清洗劑、顯影液、剝離液等的光刻膠，占公司營業(yè)收入的比例，是目前用于上述用途的光刻膠配套。

2023-11-21 14:54:57

315

金屬Cr詳解

在光刻過程中，鉻被用作掩膜版的關(guān)鍵材料。鉻在紫外光下表現(xiàn)出高光學(xué)密度，可以有效阻擋光線。在石英基板上通過PVD等方法均勻地沉積一層薄的鉻，在其上涂覆一層光刻膠，再使用電子束光刻，顯影，在光刻膠上做出預(yù)期的圖形，之后進行Cr的刻蝕，最后去除光刻膠，即可得到掩膜版。

2023-11-20 17:07:57

836

光刻膠黏度如何測量？光刻膠需要稀釋嗎？

光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項重要指標。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？

2023-11-13 18:14:11

571

PCBA表面污染的分類及處理方法

在PCBA生產(chǎn)過程中，錫膏和助焊劑會產(chǎn)生殘留物質(zhì)，殘留物中包含的有機酸和電離子，前者易腐蝕PCBA，后者會造成焊盤間短路故障。且近年來，用戶對產(chǎn)品的清潔度要求越來越嚴格，PCBA清洗工藝逐漸被電子

2023-11-10 15:00:14

346

關(guān)于數(shù)字處理技術(shù)部分的路線圖介紹

EUV 超薄（≤10nm）尺度的光刻膠：隨著特征尺寸的縮小，光刻膠分子成分成為特征尺寸的一部分。構(gòu)成光刻膠的分子必須是單組分、小的構(gòu)建塊，以防止聚集和分離。新的設(shè)計結(jié)構(gòu)將需要超薄光刻膠和底層組合。

2023-11-06 11:23:15

402

晶瑞電材子公司引入戰(zhàn)投中石化資本，定增募資8.5億元加碼光刻膠項目

股，募集資金人民幣850,000,002.24元，用于瑞紅蘇州先進制程工藝半導(dǎo)體光刻膠及配套試劑業(yè)務(wù)的研發(fā)、采購、生產(chǎn)和銷售及相關(guān)投資。

2023-11-02 10:59:26

555

半導(dǎo)體關(guān)鍵材料光刻膠市場格局發(fā)展現(xiàn)狀

生產(chǎn)光刻膠的原料包括光引發(fā)劑（光增感劑、光致產(chǎn)酸劑幫助其更好發(fā)揮作用）、樹脂、溶劑和其他添加劑等，我國由于資金和技術(shù)的差距，如感光劑、樹脂等被外企壟斷，所以光刻膠自給能力不足。

2023-11-01 15:51:48

138

室溫下使用外部短路策略對廢舊的LiFePO4正極進行直接再生！

因為正極材料中的粘合劑和導(dǎo)電劑無法完全去除。從粉碎后的電池殘留物中獲得可接受的純度水平很復(fù)雜且能耗高。

2023-10-29 10:01:08

351

半導(dǎo)體制造領(lǐng)域光刻膠的作用和意義

光刻是半導(dǎo)體加工中最重要的工藝之一，決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時間的40%-50%，占其總成本的30%。光刻膠是光刻環(huán)節(jié)關(guān)鍵耗材，其質(zhì)量和性能與電子器件良品率、器件性能可靠性直接相關(guān)。

2023-10-26 15:10:24

359

具有獨特底部輪廓的剝離光刻膠的開發(fā)

金屬圖案的剝離方法已廣泛應(yīng)用于各種電子器件的制造過程中，如半導(dǎo)體封裝、MEMS和LED的制造。與傳統(tǒng)的金屬刻蝕方法不同的是，采用剝離法的優(yōu)點是節(jié)省成本和工藝簡化。在剝離過程中，經(jīng)過涂層、曝光和開發(fā)過程后，光刻膠會在晶片上形成圖案。

2023-10-25 10:40:05

185

光學(xué)光刻技術(shù)有哪些分類光刻技術(shù)的原理

光學(xué)光刻是通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫在涂有光刻膠的硅片上，通過光的照射，光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統(tǒng)能獲得的分辨率直接相關(guān)，而減小照射光源的波長是提高分辨率的最有效途徑。

2023-10-24 11:43:15

271

光刻區(qū)為什么選黃光燈？為什么不使用紅光或綠光？

黃光的波長遠離UV范圍，因此不會引起光刻膠的意外曝光。黃光燈通常不含有紫外線，從而保護光敏材料免受不必要的曝光。

2023-10-11 15:14:33

747

半導(dǎo)體制造之光刻原理、工藝流程

光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成，是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工藝，將所需要的微細圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上，是用于微細加工技術(shù)的關(guān)鍵性電子化學(xué)品。

2023-10-09 14:34:49

1674

PCBA殘留物的影響及清洗，助焊劑殘留物怎么樣清除

發(fā)現(xiàn)PCBA 上的殘留物對PCBA 的可靠性水平影響極大，而在殘留物中，無機殘留物會減小絕緣電阻，增加焊點或?qū)Ь€間的漏電流，在潮濕空氣條件下，還會使金屬表面腐蝕；有機殘留物(如松香、油脂等)會形成絕緣膜，從而影響連接器、開關(guān)和繼電器等元器件表面之

2023-09-22 11:05:22

1122

化學(xué)機械拋光(CMP) 技術(shù)的發(fā)展應(yīng)用及存在問題

隨著半導(dǎo)體工業(yè)沿著摩爾定律的曲線急速下降 ,驅(qū)使加工工藝向著更高的電流密度、更高的時鐘頻率和更多的互聯(lián)層轉(zhuǎn)移。由于器件尺寸的縮小、光學(xué)光刻設(shè)備焦深的減小 , 要求片子表面可接受的分辨率的平整度達到

2023-09-19 07:23:03

EUV薄膜容錯成本高成芯片良率的關(guān)鍵

近20年來，EUV光源、EUV掩模和EUV光刻膠一直是EUV光刻的三大技術(shù)挑戰(zhàn)。

2023-09-14 09:45:12

562

化學(xué)品酸堿輸送供應(yīng)管道為什么要選擇華林科納PFA管？

：華林科納PFA管具有出色的化學(xué)惰性，對許多酸堿化學(xué)品都具有極高的耐腐蝕性。它能夠抵御強酸、強堿、有機溶劑以及各種腐蝕性化學(xué)物質(zhì)的侵蝕，因此非常適合用于輸送化學(xué)品。 2、耐高溫性：華林科納PFA管能夠在高溫環(huán)境下工作，通常可耐受溫

2023-09-13 17:29:48

266

LPS33HW特性功能應(yīng)用

LPS33HW代表了最新一代高性能MEMS氣壓傳感器，它專為可穿戴設(shè)備而設(shè)計，也適用于工業(yè)設(shè)備和電表。LPS33HW也可以耐受氯、溴和鹽水等化學(xué)物質(zhì)，非常適合在泳池和海水中游泳時使用。它還可以耐受

2023-09-13 06:19:07

EUV光刻膠開發(fā)面臨哪些挑戰(zhàn)？

EUV光刻膠材料是光敏物質(zhì)，當(dāng)受到EUV光子照射時會發(fā)生化學(xué)變化。這些材料在解決半導(dǎo)體制造中的各種挑戰(zhàn)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，包括提高靈敏度、控制分辨率、減少線邊緣粗糙度（LER）、降低釋氣和提高熱穩(wěn)定性。

2023-09-11 11:58:42

349

濕法去膠液的種類有哪些？去膠液都有哪些種類？去膠原理是什么？

光刻技術(shù)通過光刻膠將圖案成功轉(zhuǎn)移到硅片上，但是在相關(guān)制程結(jié)束后就需要完全除去光刻膠，那么這個時候去膠液就發(fā)揮了作用，那么去膠液都有哪些種類？去膠原理是什么？

2023-09-06 10:25:01

1152

如何簡化光刻膠圖形化過程呢？

摻雜少量鉑元素的鎳硅化物的穩(wěn)定性也不盡相同，還與物質(zhì)的具體結(jié)構(gòu)有關(guān)，舉個例子來說，NiPtSi，比NiSi要穩(wěn)定。

2023-08-27 09:18:27

645

年產(chǎn)千噸電子級光刻膠原材料，微芯新材生產(chǎn)基地簽約湖州

湖州國資消息，寧波微芯新材料科技有限公司的半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地項目總投資3.5億元人民幣，用地35畝，年產(chǎn)1000噸的電子級光刻膠原材料（光刻膠樹脂、高等級單體等核心材料）基地建設(shè)。”全部達到，預(yù)計年產(chǎn)值可達到約5億元。

2023-08-21 11:18:26

942

光刻膠產(chǎn)業(yè)大會在邳舉行，上達電子等與會！

會上，經(jīng)開區(qū)分別同4家企業(yè)就功率器件IC封測項目、超級功率電池及鋰電池PACK產(chǎn)線項目、氫能產(chǎn)業(yè)集群項目、高性能電池項目進項現(xiàn)場簽約。會議還舉行了《2023勢銀光刻膠產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍皮書》發(fā)布儀式。

2023-08-16 15:30:38

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覆銅板生產(chǎn)工藝流程圖覆銅板制作印刷電路板原理

　整個覆銅板制作過程中的反應(yīng)原理是通過感光劑、顯影劑和蝕刻液等化學(xué)物質(zhì)與曝光過程中形成的光敏膜產(chǎn)生特定的化學(xué)反應(yīng)，使其能夠選擇性地去除或保留不同區(qū)域的銅箔和線路圖案，最終形成所需的印刷電路板。這一過程的控制和優(yōu)化對于確保PCB質(zhì)量和性能非常重要。

2023-08-10 15:09:47

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光刻技術(shù)概述及其分類

光刻是一種圖像復(fù)制技術(shù)，是集成電路工藝中至關(guān)重要的一項工藝。簡單地說，光刻類似照相復(fù)制方法，即將掩膜版上的圖形精確地復(fù)制到涂在硅片表面的光刻膠或其他掩蔽膜上面，然后在光刻膠或其他掩蔽膜的保護下對硅片進行離子注入、刻蝕、金屬蒸鍍等。

2023-08-07 17:52:53

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焊后錫膏殘留物帶來的危害有哪些？

也帶來腐蝕和漏電等問題。一般的電子產(chǎn)品可以使用免洗錫膏極少有殘留物出現(xiàn)。焊后錫膏殘留物帶來的危害：1、顆粒性污染物易造成電短路；2、極性玷污物會造成介質(zhì)擊穿、漏電和元

2023-07-25 19:18:26

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北方華創(chuàng)發(fā)布首臺國產(chǎn)12英寸晶邊刻蝕機

據(jù)介紹，在器件制造過程中，由于薄膜沉積、光刻、刻蝕和化學(xué)機械拋光等工藝步驟的大幅增長，在晶圓的邊緣造成了不可避免的副產(chǎn)物及殘留物堆積，這些晶邊沉積的副產(chǎn)物及殘留物驟增導(dǎo)致的缺陷風(fēng)險成為產(chǎn)品良率的嚴重威脅。

2023-07-19 15:02:26

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光刻膠供應(yīng)商陶氏化學(xué)美國Plaquemine工廠爆炸

就此次事件，陶氏化學(xué)發(fā)表聲明稱，該工廠于7月14日發(fā)生火災(zāi)，就此次事件，正在與當(dāng)?shù)丶爸輽C構(gòu)密切合作。所有人員都被判定為安全，空氣檢查中沒有檢測出空氣中的有害物質(zhì)。事故原因還在調(diào)查中。

2023-07-17 10:55:41

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動力電池的原理和類型，實現(xiàn)BMS的主要目的

本文對動力電池中使用的不同化學(xué)物質(zhì)以及實現(xiàn)BMS的主要目的提出了全球概述。

2023-07-12 16:02:27

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光刻掩膜版測溫儀，光刻機曝光光學(xué)系統(tǒng)測溫儀

光刻膠（光敏膠）進行光刻，將圖形信息轉(zhuǎn)移到基片上，從而實現(xiàn)微細結(jié)構(gòu)的制造。光刻機的工作原理是利用光學(xué)系統(tǒng)將光線聚焦到光刻膠上，通過掩膜版（也稱為光刻掩膜）上的圖形

2023-07-07 11:46:07

助焊劑殘留的難點分析與解決方案

在某電子制造工廠中，他們開始使用了一種新型的低溫錫膏來進行回流焊接，當(dāng)他們開始使用這種新的低溫錫膏進行回流焊接時，他們注意到一些焊點上出現(xiàn)了助焊劑殘留的問題。這些殘留物在焊點周圍形成了一些明顯的白色斑點，影響了焊接點的可靠性和外觀。快和小編一起來看看~

2023-07-07 10:42:15

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新品推薦：一種寬幅輸入電壓的同步充電控制器可為三種儲能化學(xué)物質(zhì)充電

系列工作在 - 40°C 至 +125°C 工業(yè)溫度范圍，能以±4% 的準確恒定電流為三種不同的儲能化學(xué)物質(zhì)（鋰離子、鉛酸和超級電容器）充電。當(dāng)存儲元件充電時，這些器件以±1% 的精度調(diào)節(jié)空載輸出

2023-07-05 20:05:10

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Amkor:高密度扇出封裝與細間距嵌入式線路RDL

然而，SAP在定義細間距特征方面面臨一些挑戰(zhàn)。細線可能會因為高縱橫比而坍塌，由于與基板的接觸面積小，可能會出現(xiàn)分層，并且用作模板的光刻膠可能會殘留在通孔中[3]。

2023-07-05 10:34:12

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虹科案例 | 用于低成本改造光刻設(shè)備的UV紫外光源

? ? 紫外光刻和曝光是半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)各種高端芯片、微觀電路結(jié)構(gòu)的核心技術(shù)。在紫外光刻過程中，光源發(fā)射的紫外線通過掩模上的微小透鏡或光柵，然后投射到光刻膠層上，形成所需的微細圖案。長期以來

2023-07-05 10:11:24

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淺談半導(dǎo)體制造中的刻蝕工藝

在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設(shè)計好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。

2023-06-28 10:04:58

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日本光刻膠巨頭JSR同意國家收購

JSR 是全球僅有的四家 EUV 光刻膠供應(yīng)商之一，其產(chǎn)品是制造先進芯片必不可少的原料。

2023-06-27 15:51:21

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半導(dǎo)體圖案化工藝流程之刻蝕(一)

圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中，刻蝕工藝是光刻(Photo)工藝的下一步，用于去除光刻膠(Photo Resist

2023-06-26 09:20:10

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制造集成電路的版圖基本知識

在光刻膠工藝過程中，涂層曝光、顯影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下來，該涂層材料為正性光刻膠。

2023-06-25 15:32:11

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在生產(chǎn)過程中焊接組件時有哪些注意事項?

一般而言，在焊接組件時，我們建議選用助焊劑而非使用錫油。焊接完畢后，使用者可以使用酒精或清洗劑來清除殘余的助焊劑，避免殘留物造成短路問題。助焊劑選用原則: 依待焊物體種類選擇助焊劑的活性。如果

2023-06-25 09:01:24

光刻中承上啟下的半導(dǎo)體掩膜版

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚）在上游的半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)中，除了光刻機等設(shè)備外，光刻膠、掩膜版等材料也是決定晶圓質(zhì)量與良率的關(guān)鍵因素。就拿掩膜版來說，這個承載設(shè)計圖形的材料，經(jīng)過曝光后將圖形信息轉(zhuǎn)移到

2023-06-22 01:27:00

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巧妙構(gòu)思實現(xiàn)可再充“生物質(zhì)電池”聯(lián)產(chǎn)高值化學(xué)品

本工作中，研究人員報道了一種可再充的生物質(zhì)流動電池，首次將生物質(zhì)的電催化氧化/還原與電池材料的氧化/還原耦合，基于生物質(zhì)平臺分子糠醛的氧化還原性，創(chuàng)制了一種新型可充放電的“生物質(zhì)電池”

2023-06-16 16:27:34

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在生產(chǎn)過程中焊接組件時有哪些注意事項?

一般而言，在焊接組件時，我們建議選用助焊劑而非使用錫油。焊接完畢后，使用者可以使用酒精或清洗劑來清除殘余的助焊劑，避免殘留物造成短路問題。

2023-06-14 08:31:40

光刻膠國內(nèi)頭部企業(yè)阜陽欣奕華完成超5億元D輪融資

來源：欣奕華材料據(jù)欣奕華材料官微消息，近日，國內(nèi)光刻膠龍頭企業(yè)阜陽欣奕華材料科技有限公司（以下簡稱“阜陽欣奕華”）完成超5億元人民幣 D 輪融資。據(jù)悉，本輪融資由盛景嘉成母基金

2023-06-13 16:40:00

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用于氟離子電池的溶劑型鹽電解質(zhì)

傳統(tǒng)鋰離子電池 (LIB) 中使用的關(guān)鍵礦物（Li、Ni 和 Co）供應(yīng)緊張且成本高昂，這促使人們對非鋰電池化學(xué)物質(zhì)的興趣與日俱增。

2023-06-11 10:28:31

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半導(dǎo)體制備的主要方法

上，使光刻膠在照射處發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。然后，通過顯影步驟，未照射到的光刻膠被溶解掉，形成圖案。經(jīng)過后烘烤，圖案被固定，以便后續(xù)步驟。

2023-06-09 11:36:52

2037

ROHS六項有害物質(zhì)檢測

ROHS六項有害物質(zhì)檢測：為環(huán)境與健康筑起的安全屏障引言：隨著科技的飛速發(fā)展，電子產(chǎn)品已經(jīng)成為我們?nèi)粘Ｉ钪胁豢苫蛉钡囊徊糠帧Ｈ欢娮赢a(chǎn)品的制造與使用過程中往往涉及許多化學(xué)物質(zhì)，其中一些可能

2023-06-08 17:48:42

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重點闡述濕法刻蝕

光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。

2023-06-08 10:52:35

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知識分享---光刻模塊標準步驟

通常，光刻是作為特性良好的模塊的一部分執(zhí)行的，其中包括晶圓表面制備、光刻膠沉積、掩模和晶圓的對準、曝光、顯影和適當(dāng)?shù)目刮g劑調(diào)節(jié)。光刻工藝步驟需要按順序進行表征，以確保模塊末端剩余的抗蝕劑是掩模的最佳圖像，并具有所需的側(cè)壁輪廓。

2023-06-02 16:30:25

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藍寶石在化學(xué)機械拋光過程中的材料去除機理

在化學(xué)腐蝕點處的濃度越高，腐蝕速率越快。在拋光過程中拋光液持續(xù)流動，我們假設(shè)在腐蝕點處的濃度可以保持初始時的濃度，腐蝕率以最快的速度發(fā)生，則拋光液不同的PH值對應(yīng)一個腐蝕率，由此可見，去除速率與PH值有關(guān)，PH越高，速率越快。

2023-06-02 15:24:06

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adn是什么化學(xué)物質(zhì)

2023-05-29 12:34:47

光刻膠產(chǎn)業(yè)天價離婚案！分割市值高達140億元

來源：每日經(jīng)濟新聞，記者：程雅編輯：張海妮，謝謝編輯：感知芯視界 5月24日晚，國產(chǎn)光刻膠大廠彤程新材發(fā)布公告稱，于近日收到實控人Zhang Ning與Liu Dong Sheng的通知，二人

2023-05-29 09:33:44

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PCBA上殘留物的類型

隨著電子信息業(yè)的發(fā)展，PCBA組裝工藝要求越來越高，而電子整機產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性取決于PCBA的質(zhì)量和可靠性。

2023-05-25 09:50:08

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化學(xué)放大型光刻膠的作用原理

感光速度:即光刻膠受光照射發(fā)生溶解速度改變所需的最小能量，感光速度越快，單位時間內(nèi)芯片制造的產(chǎn)出越高，經(jīng)濟效益越好，另-方面，過快的感光速度會對引起工藝寬容度的減小，影響工藝制程的穩(wěn)定性。

2023-05-25 09:46:09

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采用光刻膠犧牲層技術(shù)改善薄膜電路制備工藝

改善之后的工藝與之前最大的區(qū)別在于使用光刻膠充當(dāng)濺射的掩膜，在電鍍之前將電路圖形高精度的制備出來，不再進行濕法刻蝕，避免了側(cè)腐蝕對線條精度和膜基結(jié)合力的影響，同時，基板只浸入丙酮中一次以去除光刻膠，避免了大量溶液的使用

2023-05-16 09:40:35

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一文講透光刻膠及芯片制造關(guān)鍵技術(shù)

在集成電路制造領(lǐng)域，如果說光刻機是推動制程技術(shù)進步的“引擎”，光刻膠就是這部“引擎”的“燃料”。

2023-05-13 11:28:38

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全面解讀光刻膠工藝制造流程

光刻膠可以通過光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓殘D形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。

2023-05-11 16:10:49

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EUV光刻的無名英雄

晶圓廠通常使用光刻膠來圖案化抗蝕刻硬掩模，然后依靠硬掩模來保護晶圓。但是，如果光刻膠太薄，它可能會在第一個轉(zhuǎn)移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小，底層厚度也應(yīng)該減小。

2023-04-27 16:25:00

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光刻技術(shù)的種類介紹

根據(jù)維基百科的定義，光刻是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質(zhì)層，例如玻璃、SOS中的藍寶石。

2023-04-25 11:11:33

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光刻技術(shù)的詳細工序

清洗硅片（Wafer Clean）清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少針孔和其它缺陷，提高光刻膠黏附性基本步驟：化學(xué)清洗——漂洗——烘干。

2023-04-25 11:09:40

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光刻技術(shù)的原理及發(fā)展前景分析

光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來。利用光刻機發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用

2023-04-25 11:05:32

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討論污染物對PCB點焊的影響以及有關(guān)清潔的一些問題

的產(chǎn)品故障增加。本文將簡要討論污染物殘留物對PCB點焊的影響以及有關(guān)清潔的一些問題。　　?污染物殘留對PCB點焊的影響　　a.電化學(xué)遷移　　電化學(xué)遷移是ECM的縮寫，是指通過某些介質(zhì)（例如，在電磁場

2023-04-21 16:03:02

PCB制造過程分步指南

的光敏膜層。該光致抗蝕劑包括在暴露于紫外光之后硬化的光反應(yīng)性化學(xué)物質(zhì)層。這確保了從照相膠片到光刻膠的精確匹配。薄膜安裝在將銷釘固定在層壓板上的適當(dāng)位置的銷釘上。　　薄膜和紙板排成一行，并接收一束紫外線

2023-04-21 15:55:18

負光刻膠顯影殘留原因

151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下

2023-04-20 13:13:52

淺談EUV光刻中的光刻膠和掩模等材料挑戰(zhàn)

新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā)，必須通過精心設(shè)計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn)，imec 最近開發(fā)了一個新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。

2023-04-13 11:52:12

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高端光刻膠通過認證已經(jīng)用于50nm工藝

此前該公司指出，公司已建成年產(chǎn)5噸ArF干式光刻膠生產(chǎn)線、年產(chǎn)20噸ArF浸沒式光刻膠生產(chǎn)線及年產(chǎn)45噸的光刻膠配套高純試劑生產(chǎn)線，具備ArF光刻膠及配套關(guān)鍵組分材料的生產(chǎn)能力，目前公司送樣驗證的產(chǎn)品均由該自建產(chǎn)線產(chǎn)出。

2023-04-11 09:25:32

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調(diào)溫調(diào)濕箱的特點介紹

調(diào)溫調(diào)濕箱全名“恒溫恒濕試驗箱”是航空、汽車、家電、科研等領(lǐng)域必備的測試設(shè)備，用于測試和確定電工、電子及其他產(chǎn)品及材料進行高溫、低溫、濕熱度或恒定試驗的溫度環(huán)境變化后的參數(shù)及性能，它主要用于根據(jù)試驗

2023-03-28 09:02:36

被卡脖子的半導(dǎo)體設(shè)備（萬字深度報告）

光刻是將設(shè)計好的電路圖從掩膜版轉(zhuǎn)印到晶圓表面的光刻膠上，通過曝光、顯影將目標圖形印刻到特定材料上的技術(shù)。光刻工藝包括三個核心流程：涂膠、對準和曝光以及光刻膠顯影，整個過程涉及光刻機，涂膠顯影機、量測設(shè)備以及清洗設(shè)備等多種核心設(shè)備，其中價值量最大且技術(shù)壁壘最高的部分就是光刻機。

2023-03-25 09:32:39

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被卡脖子的半導(dǎo)體材料（萬字深度報告）

根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2020年全球晶圓制造材料中，硅片占比最高，為35%；電子氣體排名第2，占比13%；掩膜版排名第3，占比12%，光刻膠占比6%；光刻膠配套材料占比8% ；濕電子化學(xué)品占比7%；CMP拋光材料占比6%；靶材占比2%。

2023-03-25 09:30:54

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使用濕化學(xué)物質(zhì)去除光刻膠和殘留物

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