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數(shù)據(jù)： 適用于DDR3 應(yīng)用的12 通道，1:2 多路復(fù)用器／多路解復(fù)用器開關(guān) 數(shù)據(jù)表 (Rev. B)
TS3DDR3812是一款專門針對DDR3應(yīng)用而設(shè)計的12通道，1：2多路復(fù)用器/多路解復(fù)用器開關(guān)。產(chǎn)品采用3至3.6V電源供電，提供低而平坦的導(dǎo)通狀態(tài)電阻以及低I /O電容，從而可實現(xiàn)1.675GHz的典型帶寬。
通道A 0 至A 11 分為兩個6位組，可通過兩組名為SEL1與SEL2的數(shù)字輸入進行獨立控制。這些選擇輸入可控制每個6位DDR3信號源的開關(guān)位置，使它們能夠準確發(fā)送至兩個端點中的一個。此外，本開關(guān)還可用于將單個端點與兩個6位DDR3信號源中的一個連接起來。對于12位DDR3信號源的開關(guān)，只需外部連接SEL1與SEL2，便可通過一個單個GPIO輸入控制所有12個通道。一個EN輸入可在不使用時使整個芯片處于高阻抗（Hi-Z）狀態(tài)。
這些特性使TS3DDR3812成為存儲器，模擬/數(shù)字視頻，局域網(wǎng)（LAN）以及其它
| Protocols |
| Configuration |
| Number of Channels (#) |
| VCC (Min) (V) |
| VCC (Max) (V) |
| Ron (Typ) (Ohms) |
| Input/Ouput Voltage (Min) (V) |
| Input/Ouput Voltage (Max) (V) |
| ICC (Max) (uA) |
| Bandwidth (MHz) |
| ESD HBM (Typ) (kV) |
| Operating Temperature Range (C) |
| Package Size: mm2:W x L (PKG) |
| Package Group |
| Crosstalk (dB) |
| ESD Charged Device Model (kV) |
| ICC (Typ) (uA) |
| Input/Output Continuous Current (Max) (mA) |
| Input/Output OFF-state Capacitance (Typ) (pF) |
| Input/Output ON-state Capacitance (Typ) (pF) |
| OFF-state leakage current (Max) (µA) |
| Propagation Delay (ns) |
| Ron (Max) (Ohms) |
| Ron Channel Match (Max) (?) |
| RON Flatness (Typ) (Ohms) |
| Turn off Time (Disable) (Max) (ns) |
| Turn on Time (Enable) (Max) (ns) |
| VIH (Min) (V) |
| VIL (Max) (V) |
| TS3DDR3812 | TS2DDR2811 |
|---|---|
| DDR3 | DDR2 |
| 2:1 SPDT | 1:1 SPST |
| 12 | 8 |
| 3 | 3 |
| 3.6 | 3.6 |
| 8 | 4 |
| 0 | 0 |
| 3.6 | 3.6 |
| 400 | 500 |
| 1675 | 1100 |
| 2 | 2 |
| -40 to 85 | -40 to 85 |
| 42WQFN: 32 mm2: 3.5 x 9(WQFN) | 20BGA MICROSTAR JUNIOR: 8 mm2: 3 x 2.5(BGA MICROSTAR JUNIOR) |
| WQFN | BGA MICROSTAR JUNIOR |
| -71 | |
| 1 | 1 |
| 250 | |
| 128 | 128 |
| 5.6 | 2.5 |
| 2 | 4 |
| 1 | |
| 0.04 | 0.04 |
| 12 | 6 |
| 1 | 1 |
| 1.5 | 0.5 |
| 5 | 9 |
| 7 | 15 |
| 2 | 2 |
| 0.8 | 0.8 |
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