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ADPA1106 46 dBm (40W)、2.7GHz至3.5 GHz GaN功率放大器技術手冊

ADPA1106是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器，在2.7 GHz至3.1 GHz的帶寬內，可提供46 dBm (40 W)和56%的典型功率附加效...

2025-03-10 標簽：放大器功率放大器 GaN 320 0

ADPA1113 2GHz至6GHz，46 dBm (40 W)，GaN功率放大器技術手冊

ADPA1113 是一款氮化鎵 (GaN) 寬帶功率放大器，可在 2.3 GHz 至 5.7 GHz 帶寬范圍內實現 46.5 dBm (44.7 W)...

2025-03-10 標簽：放大器功率放大器 GaN 411 0

ADPA1116 0.3GHz至6GHz、39.5 dBm、GaN功率放大器技術手冊

ADPA1116 是一款 0.3 GHz 至 6 GHz 功率放大器，具有飽和輸出功率（P~OUT）~ 為 39.5 dBm，功率附加效率（PAE...

2025-03-10 標簽：放大器功率放大器 GaN 361 0

BM3G007MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊

該產品是保證在工業市場長期供應的產品。BM3G007MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統。通過將650V增強型GaNHEMT和Si...

2025-03-09 標簽：GaN 數據手冊 HEMT 336 0

BM3G015MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊

該產品是保證在工業市場長期供應的產品。BM3G015MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統。通過將650V增強型GaN HEMT和S...

2025-03-09 標簽：GaN 數據手冊 HEMT 353 0

BM3G005MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊

本產品是面向工業設備市場的優質產品，是適用于這些應用場景的最佳產品。BM3G005MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統提供了最優解決方案。...

2025-03-09 標簽：IC GaN 數據手冊 362 0

BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊

本產品是面向工業設備市場的優質產品，是這些應用場景的理想之選。BM3G107MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統提供了最佳解決方案。通過將...

2025-03-09 標簽：IC GaN 數據手冊 368 0

BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊

該產品是工業設備市場的一流產品。這是在這些應用中使用的最佳產品。BM3G115MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統提供了最佳解決方案。通過...

2025-03-09 標簽：IC GaN 數據手冊 342 0

GNE1008TB 150V GaN HEMT 封裝DFN5060 數據手冊

GNE1008TB 是一款具有 8V 柵極電壓的 150V GaNHEMT，屬于EcoGaN?系列產品，利用該系列產品的低導通電阻和高速開關的特性，有助...

2025-03-07 標簽：GaN 數據手冊 HEMT 384 0

GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 數據手冊

GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT，實現了業內出色的FOM。該產品屬于EcoGaN?系列產品，利用該系列產品低導通電阻和高速開關的...

2025-03-07 標簽：GaN 數據手冊 HEMT 368 0

GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數據手冊

GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT，實現了業內出色的FOM 。該產品屬于EcoGaN?系列產品，利用該系列產品低導通電阻和高速開關的...

2025-03-07 標簽：GaN 數據手冊 HEMT 401 0

GNE1040TB柵極耐壓高達8V的150V GaN HEMT數據手冊

GNE1040TB是柵極耐壓高達8V的150V GaNHEMT。該產品屬于EcoGaN?系列，該系列產品通過更大程度地激發低導通電阻和高速開關性能，助力...

2025-03-07 標簽：GaN HEMT DFN封裝 370 0

高速GaN E-HEMT的測量技巧方案免費下載

高速GaN E-HEMT的測量技巧總結一、概述 ? 重要性 ?：GaN E-HEMT（氮化鎵增強型高電子遷移率晶體管）具有極高的開關速度，因此準確的測...

2025-02-27 標簽：測量 GaN HEMT 454 0

GaN Systems易于驅動的GaN功率器件技術文檔詳解

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2025-02-27 標簽：功率器件 GaN 7168 0

氮化鎵（GaN）充電頭安規問題及解決方案

什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導體材料制造的新型電源適配器。相比傳統硅基（Si）充...

2025-02-27 標簽：氮化鎵 GaN 充電頭 849 0

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硅基半導體經過多年發展，其性能逐漸接近極限，在進一步降本增效的背景下，第三代寬禁帶半導體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。

2025-02-27 標簽：半導體功率器件氮化鎵 403 0

GaNPX?和PDFN封裝器件的熱設計

氮化鎵(GaN)功率器件系列能夠設計出體積更小，成本更低，效率更高的電源系統，從而突破基于硅的傳統器件的限制。這里我們給大家介紹一下GaNPX?和PD...

2025-02-26 標簽：GaN 熱設計 514 0

TIDA-00909 適用于高速驅動器的 48V/10A 高頻 PWM 三相 GaN 逆變器參考設計

低電壓、高速驅動器和/或低電感無刷電機需要在 40 kHz 至 100 kHz 范圍內具有更高的逆變器開關頻率，以最大限度地減少電機中的損耗和轉矩紋波。...

2025-02-26 標簽：驅動器逆變器 GaN 463 0

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LMG5200器件是一個 80V、10A 驅動器和 GaN 半橋功率級，使用增強型氮化鎵（GaN） FET 提供集成功率級解決方案。該器件由兩個 80...

2025-02-26 標簽：驅動器氮化鎵 GaN 471 0

技術資料#LMG3410R070 具有集成驅動器和保護功能的 600V 70mΩ GaN

LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，L...

2025-02-26 標簽：GaN 電力電子系統輸出電容 285 0

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