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ADPA1106 46 dBm (40W)、2.7GHz至3.5 GHz GaN功率放大器技術(shù)手冊(cè)
ADPA1106是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器,在2.7 GHz至3.1 GHz的帶寬內(nèi),可提供46 dBm (40 W)和56%的典型功率附加效...
ADPA1113 2GHz至6GHz,46 dBm (40 W),GaN功率放大器技術(shù)手冊(cè)
ADPA1113 是一款氮化鎵 (GaN) 寬帶功率放大器,可在 2.3 GHz 至 5.7 GHz 帶寬范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn) 46.5 dBm (44.7 W)...
ADPA1116 0.3GHz至6GHz、39.5 dBm、GaN功率放大器技術(shù)手冊(cè)
ADPA1116 是一款 0.3 GHz 至 6 GHz 功率放大器,具有 飽和輸出功率 (P~OUT)~ 為 39.5 dBm,功率附加效率 (PAE...
BM3G007MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)
該產(chǎn)品是保證在工業(yè)市場(chǎng)長期供應(yīng)的產(chǎn)品。BM3G007MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強(qiáng)型GaNHEMT和Si...
2025-03-09 標(biāo)簽:GaN數(shù)據(jù)手冊(cè)HEMT 326 0
BM3G015MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)
該產(chǎn)品是保證在工業(yè)市場(chǎng)長期供應(yīng)的產(chǎn)品。BM3G015MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強(qiáng)型GaN HEMT和S...
2025-03-09 標(biāo)簽:GaN數(shù)據(jù)手冊(cè)HEMT 348 0
BM3G005MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)
本產(chǎn)品是面向工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,是適用于這些應(yīng)用場(chǎng)景的最佳產(chǎn)品。BM3G005MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最優(yōu)解決方案。...
2025-03-09 標(biāo)簽:ICGaN數(shù)據(jù)手冊(cè) 357 0
BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)
本產(chǎn)品是面向工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,是這些應(yīng)用場(chǎng)景的理想之選。BM3G107MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過將...
2025-03-09 標(biāo)簽:ICGaN數(shù)據(jù)手冊(cè) 360 0
BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)
該產(chǎn)品是工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的一流產(chǎn)品。這是在這些應(yīng)用中使用的最佳產(chǎn)品。BM3G115MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過...
2025-03-09 標(biāo)簽:ICGaN數(shù)據(jù)手冊(cè) 341 0
GNE1008TB 150V GaN HEMT 封裝DFN5060 數(shù)據(jù)手冊(cè)
GNE1008TB 是一款具有 8V 柵極電壓的 150V GaNHEMT,屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性,有助...
2025-03-07 標(biāo)簽:GaN數(shù)據(jù)手冊(cè)HEMT 373 0
GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊(cè)
GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的...
2025-03-07 標(biāo)簽:GaN數(shù)據(jù)手冊(cè)HEMT 366 0
GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊(cè)
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的...
2025-03-07 標(biāo)簽:GaN數(shù)據(jù)手冊(cè)HEMT 392 0
GNE1040TB柵極耐壓高達(dá)8V的150V GaN HEMT數(shù)據(jù)手冊(cè)
GNE1040TB是柵極耐壓高達(dá)8V的150V GaNHEMT。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列,該系列產(chǎn)品通過更大程度地激發(fā)低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能,助力...
高速GaN E-HEMT的測(cè)量技巧方案免費(fèi)下載
高速GaN E-HEMT的測(cè)量技巧總結(jié) 一、概述 ? 重要性 ?:GaN E-HEMT(氮化鎵增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管)具有極高的開關(guān)速度,因此準(zhǔn)確的測(cè)...
GaN Systems易于驅(qū)動(dòng)的GaN功率器件技術(shù)文檔詳解
GaN Systems易于驅(qū)動(dòng)的GaN功率器件技術(shù)文檔
氮化鎵(GaN)功率器件系列能夠設(shè)計(jì)出體積更小,成本更低,效率更高的電源系統(tǒng),從而突破基于硅的傳統(tǒng)器件的限制。 這里我們給大家介紹一下GaNPX?和PD...
2025-02-26 標(biāo)簽:GaN熱設(shè)計(jì) 513 0
TIDA-00909 適用于高速驅(qū)動(dòng)器的 48V/10A 高頻 PWM 三相 GaN 逆變器參考設(shè)計(jì)
低電壓、高速驅(qū)動(dòng)器和/或低電感無刷電機(jī)需要在 40 kHz 至 100 kHz 范圍內(nèi)具有更高的逆變器開關(guān)頻率,以最大限度地減少電機(jī)中的損耗和轉(zhuǎn)矩紋波。...
2025-02-26 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器逆變器GaN 460 0
產(chǎn)品介紹#LMG5200 80V GaN 半橋功率級(jí)
LMG5200器件是一個(gè) 80V、10A 驅(qū)動(dòng)器和 GaN 半橋功率級(jí),使用增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET 提供集成功率級(jí)解決方案。該器件由兩個(gè) 80...
2025-02-26 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器氮化鎵GaN 468 0
技術(shù)資料#LMG3410R070 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 600V 70mΩ GaN
LMG341xR070 GaN 功率級(jí)具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
2025-02-26 標(biāo)簽:GaN電力電子系統(tǒng)輸出電容 281 0
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