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三星HBM芯片因發(fā)熱和功耗問題影響測試,與英偉達(dá)合作暫時(shí)擱淺
這是三星首次公開承認(rèn)未能通過英偉達(dá)測試的原因。三星在聲明中表示,HBM是定制化存儲(chǔ)產(chǎn)品,需“依據(jù)客戶需求進(jìn)行優(yōu)化”,并強(qiáng)調(diào)正與客戶緊密合作以提升產(chǎn)品性能...
三星聯(lián)席CEO在AI合作交流中力推HBM內(nèi)存
慶桂顯此行主要推廣三星的HBM內(nèi)存,并探索AI合作可能性。然而,由于此前在HBM策略上出現(xiàn)失誤,三星已被競爭對手SK海力士超越;位于第三位的美光近年來也...
1月2日消息,韓媒報(bào)道,NVIDIA已經(jīng)向SK海力士、鎂光,交付了700億至1萬億韓元(約合5.4億至7.7億美元)的預(yù)付款,業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)了這筆款項(xiàng)在10....
HBM4需求激增,英偉達(dá)與SK海力士攜手加速高帶寬內(nèi)存技術(shù)革新
隨著生成式AI技術(shù)的迅猛發(fā)展和大模型參數(shù)量的急劇增加,對高帶寬、高容量存儲(chǔ)的需求日益迫切,這直接推動(dòng)了高帶寬內(nèi)存(HBM)市場的快速增長,并對HBM的性...
人工智能熱潮驅(qū)動(dòng)HBM需求飆升,行業(yè)巨頭競相擴(kuò)產(chǎn)
7月12日,隨著人工智能技術(shù)的日新月異,作為其核心技術(shù)支撐的高頻寬存儲(chǔ)器(HBM)正成為市場關(guān)注的焦點(diǎn),供不應(yīng)求的態(tài)勢愈發(fā)明顯。面對這一挑戰(zhàn),存儲(chǔ)器行業(yè)...
三星電子考慮采用1c nm DRAM裸片生產(chǎn)HBM4內(nèi)存
早前在Memcon 2024行業(yè)會(huì)議上,三星電子代表曾表示,該公司計(jì)劃在年底前實(shí)現(xiàn)對1c納米制程的大規(guī)模生產(chǎn);而關(guān)于HBM4,他們預(yù)見在明年會(huì)完成研發(fā),...
三星效仿SK海力士,采用競爭對手主導(dǎo)的芯片封裝工藝
就此,知情人士指出,三星此舉體現(xiàn)出該公司提升HBM良率的決心。對此,一家行業(yè)分析機(jī)構(gòu)表示,考慮到AI行業(yè)對HBM3及HBM3E芯片需求日益增長,三星有必...
SK海力士第三季度業(yè)績創(chuàng)歷史新高,高帶寬內(nèi)存與HBM需求旺盛
受高帶寬內(nèi)存和HBM市場的強(qiáng)勁需求推動(dòng),SK海力士在今年第三季度的銷售額、營業(yè)利潤和凈利潤均達(dá)到了歷史新高。這一業(yè)績表現(xiàn)有望消除市場對半導(dǎo)體行業(yè)可能再次...
三星電子采用大規(guī)模回流模制底部填充技術(shù)嗎?
盡管面對AI熱潮及HBM需求的飆升,三星電子仍未與英偉達(dá)達(dá)成HBM芯片供應(yīng)協(xié)議。分析指出,其堅(jiān)持使用熱壓非導(dǎo)電薄膜(TC NCF)制程,可能導(dǎo)致產(chǎn)能問題。
三星澄清:未采用MR-MUF工藝,持續(xù)創(chuàng)新引領(lǐng)HBM芯片技術(shù)
近期,針對三星是否在其高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片生產(chǎn)中采用了MR-MUF(Magnetic RAM based Multi-Level Unified M...
HBM投資增加,美光2024年資本支出預(yù)測上調(diào)至80億美元
美光科技適度調(diào)整了2024年的資本開支預(yù)估,加大對高帶寬存儲(chǔ)(HBM)半導(dǎo)體生產(chǎn)線的投入力度,以迎合人工智能(AI)領(lǐng)域日益旺盛的需求。
三星或?qū)BM產(chǎn)能目標(biāo)下調(diào)至每月17萬顆
據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,三星電子已對其2025年底的高帶寬內(nèi)存(HBM)最大產(chǎn)能目標(biāo)進(jìn)行了調(diào)整,下調(diào)幅度超過10%,從原先計(jì)劃的每月20萬顆減至17萬顆。這一變...
三星擬在DRAM中運(yùn)用模壓填充技術(shù)提升性能
依照測試結(jié)果,三星認(rèn)為MUF并不適應(yīng)于HBM,但對于3DS RDIMM卻具有極高的適用性。目前,3DS RDIMM使用的是硅通孔(TSV)技術(shù),主要服務(wù)...
SK海力士與臺(tái)積電攜手量產(chǎn)下一代HBM
近日,SK海力士與臺(tái)積電宣布達(dá)成合作,計(jì)劃量產(chǎn)下一代HBM(高帶寬內(nèi)存)。在這項(xiàng)合作中,臺(tái)積電將主導(dǎo)基礎(chǔ)芯片的前端工藝(FEOL)和后續(xù)布線工藝(BEO...
三星或重新設(shè)計(jì)1a DRAM以提升HBM質(zhì)量
三星電子正面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn),特別是在其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域。除了代工業(yè)務(wù)停滯的問題,該公司在高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)市場的競爭力也引發(fā)了廣泛關(guān)注。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,...
SK海力士作為半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),正積極響應(yīng)市場需求的變化,并敏銳地把握住了高帶寬內(nèi)存(HBM)市場的增長潛力。隨著數(shù)據(jù)處理速度需求的提升,HBM以其...
SK海力士HBM技術(shù)再創(chuàng)新高,將集成更多功能
SK海力士正全力開發(fā)HBM4E存儲(chǔ)設(shè)備,意欲打造集計(jì)算、緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)于一身的新型HBM產(chǎn)品,進(jìn)而提升性能與數(shù)據(jù)傳輸速率。
2024-05-29 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)傳輸SK海力士HBM 773 0
HBM4為何備受存儲(chǔ)行業(yè)關(guān)注?
當(dāng)前,生成式人工智能已經(jīng)成為推動(dòng)DRAM市場增長的關(guān)鍵因素,與處理器一起處理數(shù)據(jù)的HBM的需求也必將增長。未來,隨著AI技術(shù)不斷演進(jìn),HBM將成為數(shù)據(jù)中...
英偉達(dá)HBM3e 驗(yàn)證計(jì)劃2024 Q1完成
HBM4 預(yù)計(jì)將于 2026 年推出,具有針對英偉達(dá)和其他 CSP 未來產(chǎn)品量身定制的增強(qiáng)規(guī)格和性能。在更高速度的推動(dòng)下,HBM4 將標(biāo)志著其最底部邏輯...
2023-11-28 標(biāo)簽:存儲(chǔ)芯片Nand flash英偉達(dá) 769 0
近日,三星電子宣布組建了一支由精英工程師組成的新團(tuán)隊(duì),專注于HBM(高帶寬內(nèi)存)的研發(fā)和生產(chǎn)。這一舉措被看作是三星為確保與英偉達(dá)達(dá)成數(shù)十億美元的重大合約...
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