UCC2732x-Q1 系列高速驅(qū)動(dòng)器采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳布局，可提供 9A 的峰值驅(qū)動(dòng)電流。這些驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)大型 MOSFET，適用于由于高 dV/dt 轉(zhuǎn)換而需要極高米勒電流的系統(tǒng)。這消除了額外的外部電路，可以替換多個(gè)組件，以減少空間、設(shè)計(jì)復(fù)雜性和裝配成本。提供兩種標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項(xiàng)：反相 （UCC27321-Q1） 和同相 （UCC27322-Q1）。
*附件：ucc27321-q1.pdf

這些器件采用最小化擊穿電流的設(shè)計(jì)，在 MOSFET 開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換期間，可在米勒平臺(tái)區(qū)域最需要的地方提供高柵極驅(qū)動(dòng)電流。獨(dú)特的雙極和 MOSFET 晶體管并聯(lián)混合輸出級(jí) （TrueDrive） 可在低電源電壓下實(shí)現(xiàn)高效電流傳輸。借助這種驅(qū)動(dòng)器架構(gòu)，UCC2732x-Q1 可用于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 6A、9A 和許多 12A 驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用。還包括閂鎖和 ESD 保護(hù)電路。最后，UCC2732x-Q1 提供使能 （ENBL） 功能，以更好地控制驅(qū)動(dòng)程序應(yīng)用的運(yùn)行。ENBL 在引腳 3 上實(shí)現(xiàn)，該引腳以前在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳分配中未使用。它在內(nèi)部上拉至 VDD 以實(shí)現(xiàn)高電平有效邏輯，并且可以保持開(kāi)路以進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)作。

除了 8 引腳 SOIC （D） 封裝產(chǎn)品外，UCC2732x-Q1 還采用熱增強(qiáng)型微型 8 引腳 MSOP-PowerPAD （DGN） 封裝。PowerPAD 封裝大大降低了熱阻，以擴(kuò)展溫度工作范圍并提高長(zhǎng)期可靠性。

特性

• 適用于汽車應(yīng)用
• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)果如下：
  • 器件溫度等級(jí) 1：-40°C 至 125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 器件 HBM ESD 分類 2 級(jí)
  • 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C6
• 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳排列，增加使能功能
• 使用 TrueDrive? 技術(shù)在 Miller Plateau 地區(qū)實(shí)現(xiàn) ±9 A 的高峰值電流驅(qū)動(dòng)能力
• 使用獨(dú)特的雙極和 CMOS 輸出級(jí)實(shí)現(xiàn)高效的恒流源
• TTL 和 CMOS 兼容輸入，不受電源電壓的影響
• 10nF 負(fù)載時(shí)，上升時(shí)間為 20ns（典型值），下降時(shí)間為 15ns（典型值）
• 典型傳播延遲時(shí)間為 25 ns（輸入下降時(shí)）和 35 ns（輸入上升時(shí)）
• 4V 至 15V 電源電壓
• 采用耐熱性能增強(qiáng)型 MSOP PowerPAD? 封裝
• TrueDrive 輸出架構(gòu)采用雙極和 CMOS 晶體管并聯(lián)

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

1. 基本信息

• ?產(chǎn)品系列?：UCCx-Q
• ?型號(hào)?：UCC-Q1
• ?功能?：?jiǎn)瓮ǖ繟高速低端MOSFET驅(qū)動(dòng)器，帶使能功能，反相邏輯輸出
• ?應(yīng)用領(lǐng)域?：開(kāi)關(guān)模式電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制器、線路驅(qū)動(dòng)器、Class-D開(kāi)關(guān)放大器、脈沖變壓器驅(qū)動(dòng)器等

2. 特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

• ?AEC-Q認(rèn)證?：適用于汽車應(yīng)用，滿足AEC-Q標(biāo)準(zhǔn)
• ?高峰值電流驅(qū)動(dòng)能力?：在Miller平臺(tái)區(qū)域提供±A的峰值驅(qū)動(dòng)電流
• ?TrueDrive輸出架構(gòu)?：采用雙極性和CMOS晶體管并行結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)高效電流輸出
• ?TTL和CMOS兼容輸入?：輸入邏輯獨(dú)立于電源電壓
• ?快速響應(yīng)?：典型上升時(shí)間為0ns，典型下降時(shí)間為ns
• ?寬電壓范圍?：供電電壓范圍為4.5V至5V
• ?熱增強(qiáng)型封裝?：提供MSOP PowerPAD封裝，降低熱阻，提高可靠性

二、引腳配置與功能

1. 引腳配置

• ?VDD?（引腳1、8）：電源電壓輸入
• ?IN?（引腳2）：反相輸入信號(hào)
• ?ENBL?（引腳）：使能輸入，內(nèi)部上拉至VDD
• ?OUT?（引腳6、7）：驅(qū)動(dòng)輸出，需外部連接
• ?AGND?（引腳）：模擬地
• ?PGND?（引腳）：功率地
• ?PowerPAD?（僅DGN封裝）：熱焊盤，電氣和熱連接到設(shè)備基板

2. 功能描述

• ?IN?：反相輸入，具有邏輯兼容的閾值和遲滯，當(dāng)IN為高電平時(shí)，OUT為低電平（反相邏輯）
• ?ENBL?：使能輸入，控制驅(qū)動(dòng)器輸出。當(dāng)ENBL為高電平時(shí)，設(shè)備啟用；當(dāng)ENBL為低電平時(shí)，設(shè)備禁用，輸出狀態(tài)為低
• ?OUT?：驅(qū)動(dòng)輸出，能夠提供高達(dá)9A的峰值驅(qū)動(dòng)電流至MOSFET柵極

三、電氣特性

1. 靜態(tài)工作電流

• 在不同條件下（如IN和ENBL的不同組合），靜態(tài)工作電流范圍為μA至μA

2. 輸入和輸出特性

• ?輸入閾值電壓?：VIH為1.6V至.V，VIL為.V至2.0V
• ?輸出峰值電流?：在VDD=V時(shí)可達(dá)A
• ?傳播延遲時(shí)間?：輸入上升時(shí)為ns至ns，輸入下降時(shí)為5ns至5ns

3. 開(kāi)關(guān)特性

• ?上升時(shí)間?：典型值為ns，最大值為ns
• ?下降時(shí)間?：典型值為ns，最大值為ns

四、應(yīng)用與實(shí)現(xiàn)

1. 應(yīng)用信息

• 高電流柵極驅(qū)動(dòng)器在開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中可實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)、減少功率損失，并提供必要的電平轉(zhuǎn)換和緩沖驅(qū)動(dòng)功能

2. 典型應(yīng)用

• 提供了UCC-Q1在典型應(yīng)用中的電路圖，包括輸入、使能、電源和輸出連接

3. 設(shè)計(jì)要求

• 在選擇柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，需考慮輸入到輸出配置、輸入閾值類型、電源電壓、峰值源電流和沉電流、使能功能、傳播延遲、功率耗散和封裝類型等設(shè)計(jì)參數(shù)

五、封裝與訂購(gòu)信息

1. 封裝選項(xiàng)

• ? SOIC- ?：標(biāo)準(zhǔn)小外形集成電路封裝
• ?MSOP-PowerPAD-8?：熱增強(qiáng)型微型小外形功率焊盤封裝

2. 訂購(gòu)信息

• 提供了不同封裝選項(xiàng)的訂購(gòu)信息，包括狀態(tài)、材料類型、封裝尺寸、載帶和卷盤信息、RoHS狀態(tài)、引腳鍍層材料等