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      NLAS4717EP 模擬開(kāi)關(guān) 雙SPDT 高帶寬 USB 1.1

      數(shù)據(jù)：

      NLAS4717EP是采用亞微米硅柵CMOS技術(shù)制造的先進(jìn)CMOS模擬開(kāi)關(guān)。該器件是雙獨(dú)立單刀雙擲（SPDT）開(kāi)關(guān)，在3.0 V時(shí)具有4.5歐姆的低R DS（on）。該器件還具有保證Break-Before-Make（BBM） ）切換，確保開(kāi)關(guān)永遠(yuǎn)不會(huì)使驅(qū)動(dòng)器短路。
      NLAS4717EP有兩種小尺寸封裝：
      WQFN：1.4 x 1.8 mm mm
      微型泵：2.0 x 1.5 mm
      <臺(tái)式=“border：none; width：100％;”> 特性
      • 低R DS（on）：4.5Ω@ 3.0V
      • 開(kāi)關(guān)之間匹配.5Ω
      • 寬電壓范圍：1.8 V至5.5 V
      • 高帶寬> 90 MHz
      • 1.65 V至5.5 V工作范圍
      • 低引腳4和8上的閾值電壓（CTRL引腳）
      • 超低電荷注入

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1） 相關(guān)資料（3）
      元器件購(gòu)買(mǎi) NLAS4717EP 相關(guān)庫(kù)存

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