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多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢(shì)和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化...
本文主要簡(jiǎn)單介紹探討接觸孔工藝制造流程。以55nm接觸控工藝為切入點(diǎn)進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。 ? 在集成電路制造領(lǐng)域,工藝流程主要涵蓋前段工藝(Front End...
金屬共晶鍵合是利用金屬間的化學(xué)反應(yīng),在較低溫度下通過低溫相變而實(shí)現(xiàn)的鍵合,鍵合后的金屬化合物熔點(diǎn)高于鍵合溫度。該定義更側(cè)重于從材料科學(xué)的角度定義。
CMOS 工藝平臺(tái)的金屬方塊電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)包含該平臺(tái)的所有金屬層,例如如果該平臺(tái)使用五層金屬層,那么金屬方塊電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)就有第一層金屬(M1)方塊電阻...
追求更小的 DRAM 單元尺寸(cell size)仍然很活躍并且正在進(jìn)行中。對(duì)于 D12 節(jié)點(diǎn),DRAM 單元尺寸預(yù)計(jì)接近 0.0013 um2。無...
aQFN作為一種新型封裝以其低成本、高密度I/O、優(yōu)良的電氣和散熱性能,開始被應(yīng)用于電子產(chǎn)品中。本文從aQFN封裝芯片的結(jié)構(gòu)特征,PCB焊盤設(shè)計(jì),鋼網(wǎng)設(shè)...
可拉伸電子器件在醫(yī)療、顯示和人機(jī)交互等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用,實(shí)現(xiàn)多層集成可提高設(shè)備功能密度。然而,當(dāng)前制造方法主要集中于小尺寸設(shè)備,難以滿足大規(guī)模生產(chǎn)需求及...
LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)
本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開介紹,重點(diǎn)解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn),并結(jié)合不同工藝條件對(duì)材...
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