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芯長(zhǎng)征科技

文章:368 被閱讀:83.6w 粉絲數(shù):57 關(guān)注數(shù):0 點(diǎn)贊數(shù):29

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電池儲(chǔ)能系統(tǒng)的性能指標(biāo)

電池儲(chǔ)能系統(tǒng)需要關(guān)注的性能指標(biāo)主要包括兩個(gè)方面,一是與能量的存儲(chǔ)能力及有效利用有關(guān),即與容量有關(guān);另....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 07-18 11:51 ?216次閱讀
電池儲(chǔ)能系統(tǒng)的性能指標(biāo)

CMOS工藝中方塊電阻的主要類型和測(cè)試方法

電阻的測(cè)試分為方塊電阻和接觸電阻,方塊電阻是電路設(shè)計(jì)的重要組成部分,其阻值準(zhǔn)確性嚴(yán)重影響電路的性能,....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 07-15 14:33 ?818次閱讀
CMOS工藝中方塊電阻的主要類型和測(cè)試方法

一文詳解NMOS與PMOS晶體管的區(qū)別

在電子世界的晶體管家族中,NMOS(N 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)與 PMOS(P....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 07-14 17:05 ?1479次閱讀
一文詳解NMOS與PMOS晶體管的區(qū)別

先進(jìn)封裝中的RDL技術(shù)是什么

前面分享了先進(jìn)封裝的四要素一分鐘讓你明白什么是先進(jìn)封裝,今天分享一下先進(jìn)封裝四要素中的再布線(RDL....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 07-09 11:17 ?663次閱讀
先進(jìn)封裝中的RDL技術(shù)是什么

GAN功率器件在機(jī)器人上的應(yīng)用實(shí)踐

GaN器件當(dāng)前被稱作HEMT(高電子遷移率晶體管),此類高電子遷移率的晶體管應(yīng)用于諸多電子設(shè)備中,如....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 07-09 11:13 ?1592次閱讀
GAN功率器件在機(jī)器人上的應(yīng)用實(shí)踐

車(chē)燈電子系統(tǒng)的DC-DC電源技術(shù)解析

從電源設(shè)計(jì)到照明控制,車(chē)燈電子系統(tǒng)的每一個(gè)環(huán)節(jié)都蘊(yùn)含著豐富的技術(shù)原理,而 DC-DC 電源技術(shù)更是其....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 06-28 10:48 ?1086次閱讀
車(chē)燈電子系統(tǒng)的DC-DC電源技術(shù)解析

半導(dǎo)體WAT測(cè)試的常見(jiàn)結(jié)構(gòu)

WAT(Wafer Acceptance Test)測(cè)試,也叫PCM(Process Control....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 06-28 10:26 ?872次閱讀
半導(dǎo)體WAT測(cè)試的常見(jiàn)結(jié)構(gòu)

MCU為什么不能直接驅(qū)動(dòng)大功率MOS管

在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí),經(jīng)常會(huì)用到MOS管做開(kāi)關(guān)電路,而在驅(qū)動(dòng)一些大功率負(fù)載時(shí),主控芯片并不會(huì)直接驅(qū)動(dòng)大功....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 06-06 10:27 ?1567次閱讀
MCU為什么不能直接驅(qū)動(dòng)大功率MOS管

碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)電壓如何選擇

碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)電壓選擇15V還是18V,是電力電子設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵權(quán)衡問(wèn)題。這兩種電壓對(duì)器件的導(dǎo)通損耗....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 06-04 09:22 ?551次閱讀
碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)電壓如何選擇

MOSFET熱阻參數(shù)解讀

MOSFET的熱阻(Rth)用來(lái)表征器件散熱的能力,即芯片在工作時(shí)內(nèi)部結(jié)產(chǎn)生的熱量沿著表面金屬及塑封....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 06-03 15:30 ?768次閱讀
MOSFET熱阻參數(shù)解讀

晶圓表面缺陷類型和測(cè)量方法

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓堪稱核心基石,其表面質(zhì)量直接關(guān)乎芯片的性能、可靠性與良品率。
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 05-29 16:00 ?914次閱讀
晶圓表面缺陷類型和測(cè)量方法

芯片封裝抗輻照技術(shù)研究

航天器在太空服役時(shí),由于無(wú)大氣層保護(hù)使電子器件直接收到太空環(huán)境中的太空輻射和高能粒子沖擊,進(jìn)而引發(fā)各....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 05-29 10:21 ?620次閱讀
芯片封裝抗輻照技術(shù)研究

詳解儲(chǔ)能系統(tǒng)黑啟動(dòng)技術(shù)

儲(chǔ)能系統(tǒng)的“黑啟動(dòng)”是指在電力系統(tǒng)發(fā)生大規(guī)模停電或故障后,利用儲(chǔ)能系統(tǒng)作為備用電源,重新啟動(dòng)電網(wǎng)的過(guò)....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 05-29 10:16 ?796次閱讀
詳解儲(chǔ)能系統(tǒng)黑啟動(dòng)技術(shù)

MOSFET導(dǎo)通電阻參數(shù)解讀

導(dǎo)通電阻(RDSON)指的是在規(guī)定的測(cè)試條件下,使MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)(工作在線性區(qū)),漏....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 05-26 15:09 ?1219次閱讀
MOSFET導(dǎo)通電阻參數(shù)解讀

電池?zé)峁芾硐到y(tǒng)技術(shù)的最新進(jìn)展與性能對(duì)比

本文由愛(ài)爾蘭東南理工大學(xué)的David Culliton等人合作撰寫(xiě)。本文綜述了鋰離子電池的產(chǎn)熱機(jī)制,....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 05-26 14:56 ?822次閱讀
電池?zé)峁芾硐到y(tǒng)技術(shù)的最新進(jìn)展與性能對(duì)比

注入增強(qiáng)型IGBT學(xué)習(xí)筆記

為了協(xié)調(diào)IGBT通態(tài)特性與關(guān)斷特性及短路特性之間的矛盾,提高器件的綜合性能和可靠性,在IGBT中引入....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 05-21 14:15 ?680次閱讀
注入增強(qiáng)型IGBT學(xué)習(xí)筆記

晶圓接受測(cè)試中的閾值電壓測(cè)試原理

在芯片制造的納米世界里,閾值電壓(Threshold Voltage, Vth)如同人體的“血壓值”....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 05-21 14:10 ?493次閱讀
晶圓接受測(cè)試中的閾值電壓測(cè)試原理

芯長(zhǎng)征SiC功率模塊榮獲2025金芯獎(jiǎng)新銳產(chǎn)品獎(jiǎng)

此前,2025年5月14日至15日,第十二屆汽車(chē)電子創(chuàng)新大會(huì)(AEIF 2025)在上海盛大舉行,這....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 05-19 15:24 ?496次閱讀

新能源純電動(dòng)汽車(chē)無(wú)法行駛故障分析

車(chē)輛不能正常行駛,拖車(chē)拖到店面,診斷電腦讀取數(shù)據(jù)流報(bào)電機(jī)控制器故障碼,電池包內(nèi)部沒(méi)有任何故障,單體電....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 05-15 15:34 ?1263次閱讀
新能源純電動(dòng)汽車(chē)無(wú)法行駛故障分析

MOSFET單脈沖雪崩擊穿能量的失效模式

單脈沖雪崩擊穿能量(Energy during avalanche for single pulse....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 05-15 15:32 ?1340次閱讀
MOSFET單脈沖雪崩擊穿能量的失效模式

GaN與SiC功率器件深度解析

本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 05-15 15:28 ?585次閱讀
GaN與SiC功率器件深度解析

芯長(zhǎng)征科技亮相2025中國(guó)北京國(guó)際科技產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)

此前,5 月 8 日至 11 日,第二十七屆中國(guó)北京國(guó)際科技產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)在國(guó)家會(huì)議中心盛大舉辦。本屆科....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 05-13 18:13 ?490次閱讀

IGBT的應(yīng)用可靠性與失效分析

包括器件固有可靠性和使用可靠性。固有可靠性問(wèn)題包括安全工作區(qū)、閂鎖效應(yīng)、雪崩耐量、短路能力及功耗等,....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 04-25 09:38 ?1052次閱讀
IGBT的應(yīng)用可靠性與失效分析

芯長(zhǎng)征2025慕尼黑上海電子展圓滿收官

近日,為期3天的慕尼黑上海電子展在上海新國(guó)際博覽中心圓滿收官。
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 04-21 11:14 ?480次閱讀
芯長(zhǎng)征2025慕尼黑上海電子展圓滿收官

負(fù)溫度系數(shù)電阻的定義和應(yīng)用場(chǎng)景

你是否想過(guò),為什么手機(jī)在高溫下會(huì)自動(dòng)降頻?電動(dòng)汽車(chē)的電池為何不會(huì)過(guò)熱爆炸?甚至醫(yī)院里的體溫計(jì)為何能精....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 04-10 14:40 ?862次閱讀
負(fù)溫度系數(shù)電阻的定義和應(yīng)用場(chǎng)景

驅(qū)動(dòng)芯片選型的關(guān)鍵因素

電驅(qū)系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)芯片是連接控制系統(tǒng)與電機(jī)之間的關(guān)鍵部件,其主要作用是將控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的功率....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 04-09 14:03 ?902次閱讀
驅(qū)動(dòng)芯片選型的關(guān)鍵因素

如何計(jì)算晶圓中芯片數(shù)量

在之前文章如何計(jì)算芯片(Die)尺寸?中,討論了Die尺寸的計(jì)算方法,在本文中,將討論如何預(yù)估一個(gè)晶....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 04-02 10:32 ?1004次閱讀
如何計(jì)算晶圓中芯片數(shù)量

詳解晶圓級(jí)可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)

隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升,可靠性要求與測(cè)試成本及時(shí)間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級(jí)可靠性(Wafer L....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 03-26 09:50 ?695次閱讀
詳解晶圓級(jí)可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)

800V低成本壓縮機(jī)控制方案

目前電動(dòng)汽車(chē)正向智能化,高壓化方向發(fā)展,前者在于提升汽車(chē)智能性,后者在于改善汽車(chē)充電時(shí)間等特性.為此....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 03-20 09:44 ?1353次閱讀
800V低成本壓縮機(jī)控制方案

基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合開(kāi)關(guān)器件綜述

拿到一個(gè)ST的宣傳材料,該資料介紹了Si/SiC混合功率器件可能是過(guò)渡到全SiC的中間方案,也找了文....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 03-01 14:37 ?922次閱讀
基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合開(kāi)關(guān)器件綜述
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