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電子發燒友網綜合報道 光刻膠作為芯片制造光刻環節的核心耗材，尤其高端材料長期被日美巨頭壟斷，國外企業對原料和配方高度保密，我國九成以上光刻膠依賴進口。不過近期，國產光刻膠領域捷報頻傳——從KrF厚膠量產到ArF浸沒式膠驗證，從樹脂國產化到EUV原料突破，一場靜默卻浩蕩的技術突圍戰已進入深水區。
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例如在248nm波長的KrF光刻膠武漢太紫微的T150A膠以120nm分辨率和93.7%的良率通過中芯國際28nm產線驗證，開創了國內半導體光刻制造的新局面。
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恒坤新材的KrF膠已覆蓋7nm工藝，500噸年產能可滿足10萬片晶圓需求，其安徽生產基地的擴產，標志著國產替代從實驗室走向規模化量產的質變。
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徐州博康攻克14nm濕法光刻膠技術，具備干法ArF及濕法ArF光刻膠技術能力，其干法ArF可應用于90nm/65nm/55nm節點，濕法ArF可應用于40nm/28nm節點，并積極開發14nm及以下工藝節點的濕法ArF光刻膠材料。
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而在更艱難的193nm ArF光刻膠領域，南大光電成為破局者。其干式ArF膠缺陷率控制在0.01個/cm2，浸沒式膠完成配方定型，良率從初期不足40%提升至60%。盡管與國際85%的良率仍有差距，但這一突破已使國產ArF膠在長江存儲、中芯國際等產線實現30%的國產化滲透。
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彤程新材導入多款高分辨KrF、ArF光刻膠等產品在客戶端驗證并陸續通過認證，其ArF光刻膠已開始銷售，還實現光刻膠溶劑自產。
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光刻膠的自主絕非單點突破。其成本50%集中于樹脂，而八億時空的百噸級量產產線將樹脂純度提至99.999%，金屬雜質低于1ppb，直接拉低國產膠成本20%。
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而上游溶劑環節，怡達股份的電子級PM溶劑全球市占超40%，打破日本關東化學壟斷，與南大光電合作開發的配套試劑，讓光刻膠從單一產品升級為系統解決方案。
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當然，需要看到的是仍落后國際15年以上，目前久日新材攻克?EUV?光刻膠核心原料光致產酸劑技術，打破日本?20?年壟斷，為光刻膠性能提升奠定基礎，但但匹配ASML設備的工藝調試因設備禁運舉步維艱。
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ArFi浸沒式膠的良率波動，迫使晶圓廠承擔單次驗證超千萬元的成本，客戶認證周期長達18-24個月。同時高端樹脂30%依賴日本進口的現狀，提示著供應鏈安全仍然高懸在頂。
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在全球光刻膠市場中，日美企業的壟斷地位依然穩固，日本的JSR、東京應化、信越化學及富士膠片四家企業占據全球70%以上的市場份額。
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但國產光刻膠的發展前景依然廣闊。隨著 5G、人工智能、物聯網等新興技術的快速發展，對半導體芯片的需求持續增長，將帶動光刻膠市場規模進一步擴大。
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小結
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國內企業在技術創新、產能擴充的基礎上，憑借成本優勢與本土化服務優勢，有望進一步提升市場份額，在全球光刻膠市場中占據更重要的地位，推動我國半導體產業朝著自主可控、高質量發展的方向不斷邁進 。