光刻工藝貫穿整個芯片制造流程的多次重復轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié)，對于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導....
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-27 09:21
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半導體集成電路失效機理中除了與封裝有關的失效機理以外，還有與應用有關的失效機理。
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-25 15:41
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在材料納米力學性能測試的眾多方法中，納米壓痕技術憑借其獨特的優(yōu)勢脫穎而出，成為當前的主流測試手段。
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-25 14:38
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Bi-CMOS工藝將雙極型器件（Bipolar）與CMOS工藝結(jié)合，旨在融合兩者的優(yōu)勢。CMOS具有....
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-21 14:21
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化學元素鋰于1817年由Johan August Arfwedson通過分析礦物鋰長石（LiAlSi....
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-20 14:27
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本文主要介紹CMOS集成電路基本制造工藝，特別聚焦于0.18μm工藝節(jié)點及其前后的變化，分述如下：前....
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-20 14:12
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封裝設計圖紙是集成電路封裝過程中用于傳達封裝結(jié)構、尺寸、布局、焊盤、走線等信息的重要文件。它是封裝設....
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-20 14:10
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無線通信系統(tǒng)從 1980 年代的第一代發(fā)展到最近的第五代 （5G），一直是推動這項技術在通信和我們?nèi)?...
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-20 10:06
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薄膜外延生長是一種關鍵的材料制備方法，其廣泛應用于半導體器件、光電子學和納米技術領域。
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-19 11:12
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本文介紹了N型單晶硅制備過程中拉晶工藝對氧含量的影響。
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-18 16:46
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本文介紹了晶圓清洗的污染源來源、清洗技術和優(yōu)化。
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-18 16:43
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氮化鈦（TiN）是一種具有金屬光澤的陶瓷材料，其晶體結(jié)構為立方晶系，化學穩(wěn)定性高、硬度大（莫氏硬度9....
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-18 16:14
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新一代封裝技術中出現(xiàn)了嵌入多個芯片的復雜系統(tǒng)設計。倒裝芯片和銅柱互連、多MEMS-IC系統(tǒng)以及新型傳....
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-18 16:11
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在之前的文章中我們已經(jīng)對集成電路工藝的可靠性進行了簡單的概述，本文將進一步探討集成電路前段工藝可靠性....
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-18 16:08
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光電探測器,作為光電子技術的核心,在信息轉(zhuǎn)換和傳輸中扮演著不可或缺的角色,其在圖像傳感和光通信等領域....
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-14 18:16
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微波、低頻無線電波和高頻光波都是電磁波譜中的不同部分，它們在頻率范圍、波長、傳播特性、應用領域等方面....
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-14 18:13
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本文介紹了影響集成電路可靠性的Cu/low-k互連結(jié)構中的電遷移問題。
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-13 14:50
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本文介紹了集成電路制造工藝中的電鍍工藝的概念、應用和工藝流程。
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-13 14:48
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本文首先介紹了器件失效的定義、分類和失效機理的統(tǒng)計，然后詳細介紹了封裝失效分析的流程、方法及設備。
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-13 14:45
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鑄錠澆注法是較早出現(xiàn)的一種技術，該方法先將硅料置于熔煉坩堝中加熱熔化，隨后利用翻轉(zhuǎn)機械將其注入模具內(nèi)....
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-13 14:41
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柵極（Gate）是晶體管的核心控制結(jié)構，位于源極（Source）和漏極（Drain）之間。其功能類似....
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-12 17:33
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封裝基板設計是集成電路封裝工程中的核心步驟之一，涉及將芯片與外部電路連接的基板（substrate）....
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-12 17:30
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本文介紹了在集成電路制造工藝中的High-K材料的特點、重要性、優(yōu)勢，以及工藝流程和面臨的挑戰(zhàn)。
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-12 17:00
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本文概述了集成電路制造中的劃片工藝，介紹了劃片工藝的種類、步驟和面臨的挑戰(zhàn)。
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-12 16:57
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此處以增強型PMOS，NMOS為例，通常說的MOS管說的都是增強型MOS管。
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-12 15:31
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金絲鍵合主要依靠熱超聲鍵合技術來達成。熱超聲鍵合融合了熱壓鍵合與超聲鍵合兩者的長處。通常情況下，熱壓....
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-12 15:28
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本文介紹了硅的導熱系數(shù)的特性與影響導熱系數(shù)的因素。
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-12 15:27
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本文介紹了集成電路和光子集成技術的發(fā)展歷程，并詳細介紹了鈮酸鋰光子集成技術和硅和鈮酸鋰復合薄膜技術。
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-12 15:21
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本文介紹了集成電路設計中Standard Cell(標準單元)的概念、作用、優(yōu)勢和設計方法等。
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-12 15:19
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本文介紹了光通信中的光電二極管的工作原理，及其響應度和效率的概念。
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-12 14:27
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工商網(wǎng)監(jiān)