3D集成是實(shí)現(xiàn)多芯片異構(gòu)集成解決方案的關(guān)鍵技術(shù)，是業(yè)界對(duì)系統(tǒng)級(jí)更高功耗、性能、面積和成本收益需求的回應(yīng)。3D 堆疊正在電子系統(tǒng)層次結(jié)構(gòu)的不同級(jí)別（從封裝級(jí)到晶體管級(jí)）引入。因此，多年來(lái)已經(jīng)開發(fā)出多種
2024-02-22 09:42:29
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，發(fā)展情況持續(xù)向好。美能3D共聚焦顯微鏡，可通過非接觸式掃描電池表面并建立表面3D圖像，對(duì)柵線的高度與寬度、絨面上的金字塔數(shù)量進(jìn)行定量檢測(cè)，以反饋其中的清洗制絨、柵線
2024-03-21 08:32:192498 
銅引線鍵合由于在價(jià)格、電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率等方面的優(yōu)勢(shì)有望取代傳統(tǒng)的金引線鍵合, 然而 Cu/Al 引線鍵合界面的金屬間化合物 (intermetallic compounds, IMC) 的過量生長(zhǎng)將增大接觸電阻和降低鍵合強(qiáng)度, 從而影響器件的性能和可靠性。
2025-03-01 15:00:091139 
所謂混合鍵合（hybrid bonding），指的是將兩片以上不相同的Wafer或Die通過金屬互連的混合鍵合工藝，來(lái)實(shí)現(xiàn)三維集成，在Hybrid Bonding前，2D，2.5D及3D封裝都是采用
2025-06-03 11:35:24561 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，據(jù)韓媒報(bào)道，三星近日與長(zhǎng)江存儲(chǔ)簽署了3D NAND混合鍵合專利許可協(xié)議，從第10代V-NAND開始，將使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利技術(shù)，特別是在“混合鍵合”技術(shù)方面。 ? W2W技術(shù)是指
2025-02-27 01:56:00686 
客戶對(duì)HBM的要求為增加帶寬、提高功率效率、提高集成度。混合鍵合就是可以滿足此類需求的技術(shù)。 ? 混合鍵合技術(shù)預(yù)計(jì)不僅可應(yīng)用于HBM，還可應(yīng)用于3D DRAM和NAND Flash。SK海力士副總裁姜志浩（音譯）表示，“目前的做法是分別創(chuàng)建DRAM單元區(qū)域和外圍區(qū)域，
2025-04-17 00:05:00518 電子發(fā)燒友綜合報(bào)道 ?作為HBM和3D NAND的核心技術(shù)之一，混合鍵合在近期受到很多關(guān)注，相關(guān)設(shè)備廠商尤其是國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商的市場(chǎng)前景巨大。那么混合鍵合是什么？ ? 混合鍵合是一種結(jié)合介電層鍵合和金
2025-06-03 09:02:181615 求大神賜個(gè)全面的3D PCB封裝庫(kù)（PCB封裝附帶3D模型）！！！~
2015-08-06 19:08:43
的減輕產(chǎn)品重量呢？采用新型的塑料成型技術(shù)：3D混合制造 可以到達(dá)要求，3D混合制造步驟是3D打印成型/激光LDS選擇性沉積金屬。采用這種工藝的好處是節(jié)省了制造時(shí)間和實(shí)現(xiàn)了復(fù)雜的饋源/波導(dǎo)等器件的一體化免安裝調(diào)試，且?guī)?lái)的另外好處是大幅度減輕了產(chǎn)品重量。下面舉例說(shuō)明：
2019-07-08 06:25:50
`2D工程圖紙，難以高效轉(zhuǎn)化成3D模型數(shù)據(jù)？多CAD格式混合設(shè)計(jì)，難以進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化？大量舊版本圖紙堆積，難以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)重用？浩辰3D制圖軟件不僅具備支持主流3D原生和通用文件的導(dǎo)入，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行直接編輯
2021-02-24 17:22:41
電子發(fā)燒友網(wǎng)訊【編譯/Triquinne】：或許，有一天醫(yī)療設(shè)備公司能使用3D打印機(jī)迅速地打印出從定制植入設(shè)備到微針尖陣列微量藥物輸送執(zhí)行器等一系列的產(chǎn)品。但據(jù)專家分析，這項(xiàng)技術(shù)還未
2012-12-08 00:07:55
S800的愛司凱科技股份有限公司，就走在了行業(yè)前列。多年來(lái)，愛司凱科技股份有限公司致力于開發(fā)用于工業(yè)級(jí)生產(chǎn)的大型3D打印機(jī)，采用3DP的方式將工業(yè)生產(chǎn)中制摸工藝及效率大大提升，生產(chǎn)周期從幾個(gè)月縮短到
2018-08-11 11:25:58
3D打印將精準(zhǔn)的數(shù)字技術(shù)、工廠的可重復(fù)性和工匠的設(shè)計(jì)自由結(jié)合在一起，解放了人類創(chuàng)造東西的能力。本文是對(duì)當(dāng)下3D打印技術(shù)帶來(lái)便利的總結(jié)，節(jié)選自中信出版社《3D打印:從想象到現(xiàn)實(shí)》一書。虎嗅會(huì)繼續(xù)摘編該書精華。
2019-07-09 07:02:03
3D顯示技術(shù)的原理是什么？3D顯示技術(shù)有哪些應(yīng)用？3D拍好了到底怎么樣傳輸？
2021-05-31 06:53:03
good，3d封裝，感謝樓主無(wú)償奉獻(xiàn)！！
2015-06-22 10:35:56
不同于以往的立體聲、環(huán)繞聲概念，所謂3D全息聲音技術(shù)，就是通過音箱排列而成的陣列來(lái)對(duì)聲音進(jìn)行還原，重現(xiàn)最自然、最真實(shí)的聲場(chǎng)環(huán)境。舉個(gè)最簡(jiǎn)單的例子：在3D電影里，常常會(huì)出現(xiàn)物體從銀幕飛到觀眾眼前的鏡頭
2013-04-16 10:39:41
`新用AD軟件，需要用到一個(gè)散熱器的3D封裝，聽別人提起過AD14版本的可以制作簡(jiǎn)單的.step文件，試了一下在PCB文件中放置3D原件對(duì)話框是可以生成3D模型的，但問題是這個(gè)模型我文件另存為后再導(dǎo)入到封裝庫(kù)中沒法使用啊（坐標(biāo)無(wú)法調(diào)整），各位大神有沒有好的辦法麻煩指點(diǎn)一下。`
2017-12-10 00:10:33
`AD16的3D封裝庫(kù)問題以前采用封裝庫(kù)向?qū)傻?b class="flag-6" style="color: red">3D元件庫(kù)，都有芯片管腳的，如下圖：可是現(xiàn)在什么設(shè)置都沒有改變，怎么生成的3D庫(kù)就沒有管腳了呢？請(qǐng)問是什么原因？需要怎么處理，才能和原來(lái)一樣？謝謝！沒管腳的就是下面的樣子：`
2019-09-26 21:28:33
如題，軟件版本為AD16，問題1：PCB文件是原畫好出過生產(chǎn)文件的，現(xiàn)在需要改版，修改原有鋪銅時(shí)很慢，會(huì)出現(xiàn)圖中對(duì)話框。重新鋪銅就不會(huì)出現(xiàn)這種情況。問題2：同一文件導(dǎo)出3D文件和CAD文件都比原來(lái)
2022-04-30 12:17:45
模擬這些進(jìn)程，如何有效且迅速完成實(shí)物和模型之間的模擬，不但是現(xiàn)代工業(yè)面臨的問題，也是所有行業(yè)亟待解決問題。 “模擬”在工業(yè)中的運(yùn)用 現(xiàn)階段，我們使用的模擬技術(shù)主要是3D建模技術(shù)。因?yàn)樵诂F(xiàn)代工業(yè)制造中
2017-03-17 10:21:34
給PCB添加了3D模型之后，讓封裝旋轉(zhuǎn)45度，自己填加的3D模型旋轉(zhuǎn)45度后，代表3D模型的機(jī)械層不會(huì)和PCB重合；而用封裝向?qū)М嫷哪Ｐ蜁?huì)和PCB重合。請(qǐng)問這個(gè)改怎么解決？雖然旋轉(zhuǎn)45度之后，在3D 模式下，3D圖也是旋轉(zhuǎn)了45度，但是在2D模式下的機(jī)械層看著很不舒服。
2017-07-20 22:46:11
，上下左右移動(dòng)鼠標(biāo)，則3D顯示的板子會(huì)根據(jù)鼠標(biāo)的移動(dòng)沿著相應(yīng)的方向旋轉(zhuǎn)；按下快捷鍵“2”，則從3D顯示狀態(tài)恢復(fù)到2D顯示狀態(tài)。按下快捷鍵“L”可以打開如下圖所示的PCB3D顯示設(shè)置對(duì)話框，可以根據(jù)板子
2019-07-05 08:00:00
。使用軟焊可以消除應(yīng)力，卻要以熱疲勞和低強(qiáng)度為代價(jià)，而硬焊具有高強(qiáng)度卻無(wú)法消除應(yīng)力。瞬態(tài)液相鍵合技術(shù)要求使用一個(gè)擴(kuò)散勢(shì)壘，以防止Si3N4襯底上的銅金屬化層與用來(lái)鍵合SiC芯片的Au層之間的互擴(kuò)散
2018-09-11 16:12:04
想請(qǐng)教一下大神們，allegro如何制作3D封裝庫(kù)的
2018-05-09 08:33:17
當(dāng)3D電影已成為影院觀影的首選，當(dāng)3D打印已普及到雙耳無(wú)線藍(lán)牙耳機(jī)，一種叫“3D微波”的技術(shù)也悄然而生。初次聽到“3D微波”，你可能會(huì)一臉茫然，這個(gè)3D微波是應(yīng)用在哪個(gè)場(chǎng)景？是不是用這種技術(shù)的微波爐1秒鐘就能把飯煮熟？O M G!我覺得很有必要給大家科普一下！
2019-07-02 06:30:41
`求解如圖，我在AD16導(dǎo)入step文件后，在封裝庫(kù)能看到3D元件，但是更新到PCB后卻看不到3D模型`
2019-05-10 15:42:46
AD 在3D顯示下，怎么去除3D封裝的顯示，我只看焊盤，有時(shí)候封裝會(huì)遮掩底部的焊盤
2019-09-23 00:42:42
材料沉積和去除轉(zhuǎn)移，所使用的材料種類也大幅增加。另一方面，設(shè)備結(jié)構(gòu)和制程技術(shù)也實(shí)現(xiàn)了大幅創(chuàng)新，從氮氧化硅(SiON)到28/32nm高K值金屬柵極(HKMG)，再到16/14nm 3D FinFET
2014-07-12 17:17:04
我用ALTIUM10 畫PCB封裝 從網(wǎng)上下載的3D模型怎么導(dǎo)入的時(shí)候顯示不了，前幾天還可以顯示 現(xiàn)在一個(gè)都顯示不了， 是不是弄錯(cuò)了， 手動(dòng)畫3D 又能顯示方塊模型 導(dǎo)入的時(shí)候就一點(diǎn)效果都沒有像沒有導(dǎo)入3D模型一樣， 求大師指點(diǎn)。
2016-07-12 22:48:20
芯片封裝鍵合技術(shù)各種微互連方式簡(jiǎn)介微互連技術(shù)簡(jiǎn)介定義：將芯片凸點(diǎn)電極與載帶的引線連接，經(jīng)過切斷、沖壓等工藝封裝而成。載帶：即帶狀載體，是指帶狀絕緣薄膜上載有由覆 銅箔經(jīng)蝕刻而形成的引線框架，而且芯片
2012-01-13 14:58:34
。另外，格芯還表示，因?yàn)楫?dāng)前的12納米工藝成熟穩(wěn)定，因此目前在3D空間上開發(fā)芯片更加容易，而不必?fù)?dān)心新一代 7 納米工藝所可能帶來(lái)的問題。從數(shù)據(jù)來(lái)看，據(jù)相關(guān)資料顯示，與傳統(tǒng)封裝相比，使用3D技術(shù)可縮短
2020-03-19 14:04:57
請(qǐng)問怎么將AD中的3D封裝庫(kù)轉(zhuǎn)換為2D的封裝庫(kù)
2019-06-05 00:35:07
放置鋪銅的快捷鍵是什么？
2019-08-22 01:32:23
三維（3D）掃描是一種功能強(qiáng)大的工具，可以獲取各種用于計(jì)量設(shè)備、檢測(cè)設(shè)備、探測(cè)設(shè)備和3D成像設(shè)備的體積數(shù)據(jù)。當(dāng)設(shè)計(jì)人員需要進(jìn)行毫米到微米分辨率的快速高精度掃描時(shí)，經(jīng)常選擇基于TI DLP?技術(shù)的結(jié)構(gòu)光系統(tǒng)。
2019-08-06 08:09:48
無(wú)癢銅桿。鍍錫銅絞線（TJRX）采用電鍍錫工藝，具有耐腐蝕、耐熱及焊著性佳、避免氧化等。銅絞線采用高速籠絞機(jī)退扭絞合，絞合過程中采用工藝，絞合后的成品硬銅絞線圓整
2022-03-22 20:53:51
SuperViewW系列光學(xué)3d輪廓儀是一款用于對(duì)各種精密器件及材料表面進(jìn)行亞納米級(jí)測(cè)量的檢測(cè)儀器。可測(cè)各類從超光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級(jí)別工件的粗糙度、平整度、微觀
2022-04-19 17:53:02
中圖儀器3d輪廓儀品牌可測(cè)從納米到微米級(jí)別工件的粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等，以及各類從超光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，提供依據(jù)ISO/ASME/EUR/GBT四大國(guó)內(nèi)外標(biāo)準(zhǔn)共計(jì)
2022-05-11 14:34:54
中圖儀器W系列3D表面輪廓光學(xué)檢測(cè)儀器基于白光干涉技術(shù)原理，結(jié)合精密Z向掃描模塊、3D 建模算法等，能對(duì)各種精密器件及材料表面進(jìn)行亞納米級(jí)測(cè)量，可測(cè)各類從超光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體
2023-09-27 11:37:06
SuperViewW1白光干涉技術(shù)3D測(cè)量輪廓儀是以白光干涉技術(shù)為原理，以3D非接觸方式，測(cè)量分析樣品表面形貌的關(guān)鍵參數(shù)和尺寸。可測(cè)各類從超光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級(jí)別
2024-05-16 14:36:05
中圖儀器SuperViewW微納米超精密3D光學(xué)形貌輪廓儀是一款用于對(duì)各種精密器件及材料表面進(jìn)行亞納米級(jí)測(cè)量的檢測(cè)儀器。可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造及封裝工藝檢測(cè)、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、微
2024-08-05 16:04:54
高反射率的物體表面，從納米到微米級(jí)別工件的粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等。SuperViewW廣東3d光學(xué)非接觸式輪廓儀可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造及封裝工藝檢測(cè)
2024-09-05 10:33:43
中圖儀器SuperViewW納米級(jí)白光3d表面輪廓檢測(cè)儀用于對(duì)各種精密器件及材料表面進(jìn)行亞納米級(jí)測(cè)量。它在半導(dǎo)體制造及封裝工藝檢測(cè)、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、微納材料及制造、汽車零部件
2024-10-21 14:25:00
對(duì)3D封裝技術(shù)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、主流多層基板技術(shù)分類及其常見鍵合技術(shù)的發(fā)展作了論述,對(duì)過去幾年國(guó)際上硅通孔( TSV)技術(shù)發(fā)展動(dòng)態(tài)給與了重點(diǎn)的關(guān)注。尤其就硅通孔關(guān)鍵工藝技術(shù)如硅片減薄
2011-12-07 11:00:52
152 3D元件封裝庫(kù)3D元件封裝庫(kù)3D元件封裝庫(kù)3D元件封裝庫(kù)
2016-03-21 17:16:570 實(shí)銅和網(wǎng)銅的區(qū)別。
2016-05-20 11:47:380 本通知的目的是宣布汽車“xa”spartan?-3/-3e/-3a/-3a DSP和spartan?6 FPGA產(chǎn)品從金（Au）線過渡到銅（Cu）線的所有線鍵合封裝類型。此更改不會(huì)影響包的適合性、形式、功能或MSL等級(jí)。
2019-02-14 16:19:004 應(yīng)用，新的TSV技術(shù)將于2019年上市，即來(lái)自英特爾（Intel）的Foveros（基于“有源”TSV中介層和3D SoC技術(shù)，具有混合鍵合和TSV互連（可能）技術(shù)）。Foveros的出現(xiàn)表明，雖然“TSV”受到了來(lái)自“無(wú)TSV”技術(shù)的挑戰(zhàn)，但廠商仍然對(duì)它很有信心。
2019-02-15 10:42:197236 
EV集團(tuán)將在SEMICON CHINA展出用于3D-IC封裝的突破性晶圓鍵合技術(shù) 較之上一代對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，GEMINI FB XT 熔融鍵合機(jī)上的全新 SmartView NT3 對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)可提升2-3
2019-03-05 14:21:362376 新的BONDSCALE系統(tǒng)大大提升了晶圓鍵合的生產(chǎn)率;解決了IRDS路線圖中描述的晶體管邏輯電路擴(kuò)展和3D集成的問題 奧地利,圣弗洛里安,2019年3月12日面向MEMS、納米技術(shù)和半導(dǎo)體市場(chǎng)的晶圓
2019-03-12 14:24:452381 從低密度的后通孔TSV 硅3D集成技術(shù)，到高密度的引線混合鍵合或3D VSLI CoolCubeTM解決方案，研究人員發(fā)現(xiàn)許多開發(fā)新產(chǎn)品的機(jī)會(huì)。本文概述了當(dāng)前新興的硅3D集成技術(shù)，討論了圖像傳感器
2020-01-16 09:53:001231 據(jù)外媒報(bào)道，近日智利一家公司利用銅離子的殺菌特性生產(chǎn)出了一款銅口罩，抗菌性能比一般口罩更好。
2020-04-16 22:26:534118 美國(guó)的復(fù)合材料和金屬3D打印機(jī)品牌Markforged發(fā)布了純銅3D打印耗材，將適配Metal X 金屬3D打印機(jī)。
2020-04-28 15:35:393153 波蘭華沙大學(xué)的研究人員利用激光直接書寫（DLW）3D打印技術(shù)設(shè)計(jì)出了微米大小的鏡片。這種3D打印的透鏡可以在各種材料上制作，包括易碎的石墨烯類材料。
2020-05-18 23:36:594233 有別于傳統(tǒng)的封裝技術(shù)，TSMC-SoIC是以關(guān)鍵的銅到銅接合結(jié)構(gòu)，搭配直通矽晶穿孔（TSV）以實(shí)現(xiàn)最先進(jìn)的3D IC技術(shù)。目前臺(tái)積電已完成TSMC-SoIC制程認(rèn)證，開發(fā)出微米級(jí)接合間距（bonding pitch）制程
2020-09-02 14:16:322116 代工廠、設(shè)備供應(yīng)商、研發(fā)機(jī)構(gòu)等都在研發(fā)一種稱之為銅混合鍵合（Hybrid bonding）工藝，這項(xiàng)技術(shù)正在推動(dòng)下一代2.5D和3D封裝技術(shù)。
2020-10-10 15:24:327598 
周南嘉團(tuán)隊(duì)將3D多材料打印技術(shù)引入芯片級(jí)高端制造領(lǐng)域，利用3D打印技術(shù)進(jìn)行三維高精度光電封裝、制造高頻無(wú)源器件，例如可將天線尺寸縮小到十微米至百微米級(jí)別。
2020-11-18 15:18:042908 近日，西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“紫光國(guó)芯”）在第63屆國(guó)際電子器件大會(huì)（IEDM 2020）上公開發(fā)表了技術(shù)論文——《采用3D混合鍵合技術(shù)具有34GB/s/1Gb帶寬和0.88pJ/b能
2021-01-26 16:00:146819 
2021年2月27日，南極熊獲悉，工業(yè)3D打印機(jī)制造商Digital Metal宣布推出一種新的純銅粉末DM Cu，用于粘合劑噴射3D打印技術(shù)。 DM P2500 3D打印機(jī)的用戶現(xiàn)在可以在車
2021-03-01 10:10:252613 音圈模組3D打印幫助孩子重塑面容。3D打印技術(shù)與醫(yī)學(xué)的額配合是越來(lái)越多了，近日，山東大學(xué)醫(yī)院口腔科成功為一5歲下頜骨骨折患兒實(shí)施3D打印個(gè)性化鈦板骨折內(nèi)固定手術(shù)，使鈦釘進(jìn)入下頜骨的位置避開牙胚。手術(shù)順利，患兒恢復(fù)良好。
2021-08-24 16:55:58790 MicroFAB-3D雙光子聚合3D納米光刻機(jī)是一款超緊湊、超高分辨率交鑰匙型3D打印機(jī)。雙光子聚合3D納米光刻機(jī)基于雙光子聚合(TPP)激光直寫技術(shù)，兼容多種高分子材料，包括生物材料。MicroFAB-3D 3D納米光刻機(jī)幫助您以百納米級(jí)的分辨率生產(chǎn)出前所未有的復(fù)雜的微部件.
2022-08-08 13:54:187373 
.，滿足介電常數(shù)(Dk)和介質(zhì)損耗因子(Df)技術(shù)指標(biāo)要求，功耗不增加。
我們推出的銅面鍵合劑替代傳統(tǒng)PCB中的銅中粗化，增強(qiáng)防焊，干濕膜的分離，另外不咬銅，不損銅，不增加銅表面的粗糙度，適合高頻板的生產(chǎn)。與此同時(shí)還不產(chǎn)生銅的廢水，環(huán)保
2022-11-11 17:49:303262 使用 3D 納米打印
2022-12-28 09:51:071159 使用久經(jīng)考驗(yàn)的銅夾片技術(shù)的經(jīng)驗(yàn)，開發(fā)出創(chuàng)新的CCPAK。將銅夾片封裝技術(shù)的所有公認(rèn)優(yōu)點(diǎn)應(yīng)用于650 V及更高電壓應(yīng)用。
2023-02-09 09:51:581870 
FSL已將消費(fèi)者1工業(yè)微控制器轉(zhuǎn)換為銅線和現(xiàn)在正在啟動(dòng)汽車改裝。
-金(金)和銅(銅)線都被用來(lái)連接到多年來(lái)集成電路上的鋁(AI)鍵墊金屬間化合物(IMC)的形成提供了電線和襯墊之間的粘著性。
-最近電線鍵合(WB)技術(shù)的進(jìn)步正在擴(kuò)大使用范圍銅線。
2023-03-08 14:30:00994 在Hybrid Bonding前，2D，2.5D及3D封裝都是采用焊錫球凸點(diǎn)(solder bump)或微凸點(diǎn)（Micro bump）來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片與基板
2023-04-20 09:40:1619244 設(shè)備由MEMS領(lǐng)域應(yīng)用轉(zhuǎn)化到3D集成技術(shù)領(lǐng)域，表現(xiàn)出高對(duì)準(zhǔn)精度特點(diǎn)。大多數(shù)對(duì)準(zhǔn)、鍵合工藝都源于微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）制造技術(shù)，但應(yīng)用于3D集成的對(duì)準(zhǔn)精度要比傳統(tǒng)MEMS對(duì)準(zhǔn)精度提高5～10倍，目前設(shè)備對(duì)準(zhǔn)精度已經(jīng)達(dá)到亞微米級(jí)。
2023-04-20 11:47:226270 兩片晶圓面對(duì)面鍵合時(shí)是銅金屬對(duì)銅金屬、介電值對(duì)介電質(zhì)，兩邊鍵合介面的形狀、位置完全相同，晶粒大小形狀也必須一樣。所以使用混合鍵合先進(jìn)封裝技術(shù)的次系統(tǒng)產(chǎn)品各成分元件必須從產(chǎn)品設(shè)計(jì)、線路設(shè)計(jì)時(shí)就開始共同協(xié)作。
2023-05-08 09:50:301737 研究人員首先對(duì)銀納米顆粒/銅納米線進(jìn)行了合成，并對(duì)制備的銅納米線和化學(xué)沉積后負(fù)載不同尺寸銀納米顆粒的銅納米線進(jìn)行了形貌和結(jié)構(gòu)表征（圖1）。隨后，利用制備的銀納米顆粒/銅納米線材料制備獲得銀納米顆粒/銅納米線電極，用于后續(xù)無(wú)酶葡萄糖傳感性能的研究。
2023-05-12 15:19:281924 
的優(yōu)越性，概述了納米線、納米多孔骨 架、納米顆粒初步實(shí)現(xiàn)可圖形化的 Cu-Cu 低溫鍵合基本原理. 結(jié)果表明，基于納米材料燒結(jié)連接的基本原理，繼續(xù) 開發(fā)出寬工藝冗余、窄節(jié)距圖形化、優(yōu)良互連性能的 Cu-Cu 低溫鍵合技術(shù)是未來(lái)先進(jìn)封裝的重要發(fā)展方向之一.
2023-06-20 10:58:483455 
在本文中，我們將討論混合鍵合的趨勢(shì)、混合鍵合面臨的挑戰(zhàn)以及提供最佳解決方案的工具。
2023-07-15 16:28:082391 
相對(duì)于傳統(tǒng)平面型的金絲鍵合焊接的MMIC應(yīng)用，三維（3D）多芯片互連封裝MMIC以其高集成度、低損耗、高可靠性等性能優(yōu)勢(shì)，正逐步在先進(jìn)電路與系統(tǒng)中得到應(yīng)用。而3D封裝引入的復(fù)雜電磁耦合效應(yīng)，在傳統(tǒng)
2023-08-30 10:02:074530 
先進(jìn)半導(dǎo)體封裝的凸塊技術(shù)已取得顯著發(fā)展，以應(yīng)對(duì)縮小接觸間距和傳統(tǒng)倒裝芯片焊接相關(guān)限制帶來(lái)的挑戰(zhàn)。該領(lǐng)域的一項(xiàng)突出進(jìn)步是 3D Cu-Cu 混合鍵合技術(shù)，它提供了一種變革性的解決方案。
2023-09-21 15:42:291923 要了解混合鍵合，需要了解先進(jìn)封裝行業(yè)的簡(jiǎn)要?dú)v史。當(dāng)電子封裝行業(yè)發(fā)展到三維封裝時(shí)，微凸塊通過使用芯片上的小銅凸塊作為晶圓級(jí)封裝的一種形式，在芯片之間提供垂直互連。凸塊的尺寸范圍很廣，從 40 μm 間距到最終縮小到 20 μm 或 10 μm 間距。
2023-11-22 16:57:425951 
中得到了廣泛的應(yīng)用。隨著3D封裝技術(shù)的發(fā)展，凸點(diǎn)鍵合技術(shù)也被應(yīng)用于芯片-芯片、芯片-圓片鍵合及封裝體的3D疊層封裝。
2023-12-05 09:40:002407 
據(jù)業(yè)界消息人士透露，為了進(jìn)一步提升其芯片代工能力，三星正全力推進(jìn)混合鍵合技術(shù)的整合工作。據(jù)悉，應(yīng)用材料公司和Besi Semiconductor已在三星的天安園區(qū)開始安裝先進(jìn)的混合鍵合設(shè)備，這些設(shè)備預(yù)計(jì)將用于三星的下一代封裝解決方案，如X-Cube和SAINT。
2024-02-18 11:13:23958 來(lái)源：IMEC Cu/SiCN鍵合技術(shù)的創(chuàng)新是由邏輯存儲(chǔ)器堆疊需求驅(qū)動(dòng)的 晶圓到晶圓混合鍵合的前景 3D集成是實(shí)現(xiàn)多芯片異構(gòu)集成解決方案的關(guān)鍵技術(shù)，是業(yè)界對(duì)系統(tǒng)級(jí)更高功耗、性能、面積和成本收益需求
2024-02-21 11:35:29928 
值得注意的是，Meta 的原型芯片分為上下兩部分，每個(gè)部分都只有 4.1x3.7 mm，其中的下部含有四個(gè)機(jī)器學(xué)習(xí)核心和 1 MB 本地內(nèi)存，上部則集成了 3 MB 內(nèi)存。通過采用臺(tái)積電 SoIC 高級(jí)封裝技術(shù)，兩片芯片可以緊密貼合地混合鍵合（即銅對(duì)銅的直接連接）。
2024-02-23 10:14:50899 用于先進(jìn)封裝領(lǐng)域的 Cu-Cu 低溫鍵合技術(shù)進(jìn)行了綜述，首先從工藝流程、連接機(jī)理、性能表征等方面較系統(tǒng)地總結(jié)了熱壓工藝、混合鍵合工藝實(shí)現(xiàn) Cu-Cu 低溫鍵合的研究進(jìn)展與存在問題，進(jìn)一步地闡述了新型納米材料燒結(jié)工藝在實(shí)現(xiàn)低溫連接、降低工藝要求方面的優(yōu)
2024-03-25 08:39:561391 
Bonding）技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，并迅速成為3D芯片封裝領(lǐng)域的核心驅(qū)動(dòng)力。本文將深入探討混合鍵合技術(shù)在3D芯片封裝中的關(guān)鍵作用，分析其技術(shù)原理、應(yīng)用優(yōu)勢(shì)以及未來(lái)發(fā)展
2024-08-26 10:41:541595 
摘要：碳化硅(SiC)功率模塊在電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中起著至關(guān)重要的作用。為了提高功率模塊的性能、減小體積、提高生產(chǎn)效率，本文提出了一種基于多堆疊直接鍵合銅(DBC)單元的功率模塊封裝方法，以并行更多
2024-10-16 13:32:531419 
隨著摩爾定律逐漸進(jìn)入其發(fā)展軌跡的后半段，芯片產(chǎn)業(yè)越來(lái)越依賴先進(jìn)的封裝技術(shù)來(lái)推動(dòng)性能的飛躍。在封裝技術(shù)由平面走向更高維度的2.5D和3D時(shí)，互聯(lián)技術(shù)成為關(guān)鍵中的關(guān)鍵。面對(duì)3D封裝日益增長(zhǎng)的復(fù)雜性和性能
2024-10-18 17:54:541005 
混合鍵合（Hybrid Bonding）是半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的新興技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)高密度三維集成，無(wú)需傳統(tǒng)的焊料凸點(diǎn)。本文探討混合鍵合的基本原理、相比傳統(tǒng)方法的優(yōu)勢(shì)，以及該領(lǐng)域的最新發(fā)展。
2024-10-30 09:54:512511 
半導(dǎo)體封裝已從傳統(tǒng)的 1D PCB 設(shè)計(jì)發(fā)展到晶圓級(jí)的尖端 3D 混合鍵合。這一進(jìn)步允許互連間距在個(gè)位數(shù)微米范圍內(nèi)，帶寬高達(dá) 1000 GB/s，同時(shí)保持高能效。先進(jìn)半導(dǎo)體封裝技術(shù)的核心是 2.5D
2024-11-05 11:22:04715 
隨著摩爾定律的放緩與面臨微縮物理極限，半導(dǎo)體巨擘越來(lái)越依賴先進(jìn)封裝技術(shù)推動(dòng)性能的提升。隨著封裝技術(shù)從2D向2.5D、3D推進(jìn)，芯片堆迭的連接技術(shù)也成為各家公司差異化與競(jìng)爭(zhēng)力的展現(xiàn)。而“混合鍵合
2024-11-08 11:00:541252 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，集成電路（IC）的小型化、高密度集成、多功能高性能集成以及低成本集成成為行業(yè)發(fā)展的必然趨勢(shì)。在這一背景下，3D集成晶圓鍵合技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，成為實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)的關(guān)鍵技術(shù)之一。本文
2024-11-12 17:36:131578 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，芯片的性能需求不斷提升，傳統(tǒng)的二維封裝技術(shù)已難以滿足日益增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)處理速度和功耗控制要求。在此背景下，混合鍵合（Hybrid Bonding）技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，并迅速成為三維
2024-11-13 13:01:322161 
談一談先進(jìn)封裝中的互連工藝，包括凸塊、RDL、TSV、混合鍵合，有哪些新進(jìn)展？可以說(shuō)，互連工藝是先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。在市場(chǎng)需求的推動(dòng)下，傳統(tǒng)封裝不斷創(chuàng)新、演變，出現(xiàn)了各種新型的封裝結(jié)構(gòu)。 下游
2024-11-21 10:14:403120 
摘要: 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)倒裝焊( FC) 鍵合已難以滿足高密度、高可靠性的三維( 3D) 互連技術(shù)的需求。混合鍵合( HB) 技術(shù)是一種先進(jìn)的3D 堆疊封裝技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)焊盤直徑≤1 μm
2024-11-22 11:14:462817 
引言 Cu-Cu混合鍵合(Cu-Cu Hybrid Bonding) 技術(shù)正在成為先進(jìn)3D集成的重要技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)細(xì)間距互連和高密度芯片堆疊。本文概述了Cu-Cu混合鍵合的原理、工藝、主要挑戰(zhàn)和主要
2024-11-24 12:47:061865 
、高溫服役、優(yōu)異的導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能，以及相對(duì)較低的成本，在功率器件封裝研究領(lǐng)域備受關(guān)注。本文將綜述納米銅燒結(jié)連接技術(shù)的研究進(jìn)展，從納米銅焊膏的制備、影響燒結(jié)連接接頭
2024-12-07 09:58:551575 
技術(shù)前沿：半導(dǎo)體先進(jìn)封裝從2D到3D的關(guān)鍵 半導(dǎo)體分類 集成電路封測(cè)技術(shù)水平及特點(diǎn)?? ? 1. 發(fā)展概述 ·自20世紀(jì)90年代以來(lái)，集成電路封裝技術(shù)快速發(fā)展，推動(dòng)了電子產(chǎn)品向小型化和多功能方向邁進(jìn)
2025-01-07 09:08:191582 
混合鍵合技術(shù)（下） 先進(jìn)封裝技術(shù)（Semiconductor Advanced Packaging） - 3 Chiplet 異構(gòu)集成（上） 先進(jìn)封裝技術(shù)（Semiconductor
2025-01-08 11:17:011427 
整合更多功能和提高性能是推動(dòng)先進(jìn)封裝技術(shù)的驅(qū)動(dòng)，如2.5D和3D封裝。 2.5D/3D封裝允許IC垂直集成。傳統(tǒng)的flip-chip要求每個(gè)IC單獨(dú)封裝，并通過傳統(tǒng)PCB技術(shù)與其他IC集成
2025-01-14 10:41:331450 
混合鍵合3D芯片技術(shù)將拯救摩爾定律。 為了繼續(xù)縮小電路尺寸，芯片制造商正在爭(zhēng)奪每一納米的空間。但在未來(lái)5年里，一項(xiàng)涉及幾百乃至幾千納米的更大尺度的技術(shù)可能同樣重要。 這項(xiàng)技術(shù)被稱為“混合鍵合”，可以
2025-02-09 09:21:43568 
在半導(dǎo)體功率模塊封裝領(lǐng)域，互連技術(shù)一直是影響模塊性能、可靠性和成本的關(guān)鍵因素。近年來(lái)，隨著納米技術(shù)的快速發(fā)展，納米銀燒結(jié)和納米銅燒結(jié)技術(shù)作為兩種新興的互連技術(shù)，備受業(yè)界關(guān)注。然而，在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中
2025-02-24 11:17:06882 
3D封裝與系統(tǒng)級(jí)封裝概述 一、引言：先進(jìn)封裝技術(shù)的演進(jìn)背景 隨著摩爾定律逐漸逼近物理極限，半導(dǎo)體行業(yè)開始從單純依賴制程微縮轉(zhuǎn)向封裝技術(shù)創(chuàng)新。3D封裝和系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）作為突破傳統(tǒng)2D平面集成限制
2025-03-22 09:42:56830 
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