1. 臺積電2nm小規(guī)模試產(chǎn)
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臺積電將于2025年量產(chǎn)其2nm工藝,日本SMC社長高田芳樹近日表示,臺積電已經(jīng)在其2nm芯片試產(chǎn)線上采用SMC的水冷式冷卻器進(jìn)行小規(guī)模生產(chǎn)。
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SMC宣布,該公司已向臺積電出貨用于2nm芯片試產(chǎn)的冷水機(jī)組。SMC正推出專門針對先進(jìn)半導(dǎo)體工藝的冷水機(jī)組產(chǎn)品,旨在使冷水機(jī)業(yè)務(wù)營收翻倍。高田芳樹透露,三星電子對SMC的冷水機(jī)組也非常感興趣。據(jù)了解,SMC作為冷水機(jī)組的領(lǐng)先制造商,在芯片制造市場占據(jù)主導(dǎo)地位,市場份額高達(dá)40%左右。
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2. 全球首條搭載無FMM技術(shù)的第8.6代AMOLED生產(chǎn)線開工
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9月25日,合肥國顯科技有限公司舉行第8.6代AMOLED生產(chǎn)線開工活動。合肥國顯將打造全球首條搭載無FMM技術(shù)(ViP)的第8.6代AMOLED生產(chǎn)線,這是全球最先進(jìn)的高世代AMOLED產(chǎn)線,其建設(shè)將進(jìn)一步挖掘AMOLED的增長潛力,加速駛?cè)胫谐叽缧滤{(lán)海,重塑全球AMOLED面板供應(yīng)格局。
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該產(chǎn)線落地合肥新站高新區(qū),總投資550億元,設(shè)計產(chǎn)能每月3.2萬片玻璃基板(尺寸為2290mm×2620mm)。合肥國顯負(fù)責(zé)該產(chǎn)線的投資、建設(shè)和運營,該公司將由維信諾、合肥市投資平臺出資。維信諾和合肥國顯在創(chuàng)新技術(shù)轉(zhuǎn)化方面將大力協(xié)同,為創(chuàng)新高地再添彩,為新型顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展再助力。
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3. 英特爾正式推出Gaudi3 AI芯片:比英偉達(dá)H100慢,成本更低
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英特爾近日正式推出用于AI工作負(fù)載的Gaudi3加速器。新芯片的速度比英偉達(dá)廣受歡迎的H100和H200 GPU(用于AI和HPC)要慢,因此英特爾將其Gaudi3的成功押注于其較低的價格和較低的總擁有成本(TCO)。
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英特爾的Gaudi3處理器使用兩個芯片,包含64個張量處理器核心(TPC,帶有FP32累加器的256x256 MAC結(jié)構(gòu))、8個矩陣乘法引擎(MME,256位寬矢量處理器)和96MB片上SRAM緩存,帶寬為19.2TB/s。此外,Gaudi3集成24個200GbE網(wǎng)絡(luò)接口和14個媒體引擎,后者能夠處理H.265、H.264、JPEG和VP9,以支持視覺處理。該處理器配備128GB HBM2E內(nèi)存,分為八個內(nèi)存堆棧,可提供3.67TB/s的巨量帶寬。
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4. 英偉達(dá)RTX 4090 GPU在歐洲漲價,庫存基本售罄
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英偉達(dá)Ada Lovelace系列在全球大部分地區(qū)供應(yīng)充足,尤其是中端和中高端產(chǎn)品。另一方面,旗艦GPU RTX 4090似乎并不像其他GPU那樣供應(yīng)充足,至少在世界某些地區(qū)是這樣。根據(jù)最新報告,大多數(shù)供應(yīng)商似乎都想脫手這款GPU,歐洲區(qū)庫存基本售罄。
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據(jù)報道,德國許多零售店以高于制造商建議零售價的價格出售這款GPU。RTX 4090的供應(yīng)量看起來與往常一樣平均。近一年對GPU價格的監(jiān)測數(shù)據(jù)顯示,RTX 4090的當(dāng)前價格已上漲25%。
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5. SK海力士全球率先量產(chǎn)12層堆疊HBM3E
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SK海力士26日宣布,公司全球率先開始量產(chǎn)12層HBM3E新品,實現(xiàn)了現(xiàn)有HBM*產(chǎn)品中最大**的36GB(千兆字節(jié))容量。公司將在年內(nèi)向客戶提供產(chǎn)品,繼今年3月全球率先向客戶供應(yīng)8層HBM3E后,僅時隔6個月再次展現(xiàn)出其壓倒性的技術(shù)實力。
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SK海力士強(qiáng)調(diào):“自2013年全球首次推出第一代HBM(HBM1)至第五代HBM(HBM3E),? 公司是唯一一家開發(fā)并向市場供應(yīng)全系列HBM產(chǎn)品的企業(yè)。公司業(yè)界率先成功量產(chǎn)12層堆疊產(chǎn)品,不僅滿足了人工智能企業(yè)日益發(fā)展的需求,同時也進(jìn)一步鞏固了SK海力士在面向AI的存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)者地位。”
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6.華為 Mate 70 系列被曝整機(jī)已量產(chǎn),定于 11 月上市
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報道稱,華為 Mate 70 系列整機(jī)已經(jīng)量產(chǎn),此前定于 11 月上市。供應(yīng)鏈人士稱,“零部件已經(jīng)在供貨,快的話 10 月底也有可能,目前手機(jī)整機(jī)已經(jīng)生產(chǎn)很多了。”
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博主 @剎那數(shù)碼、@數(shù)碼閑聊站 等人都認(rèn)為華為 Mate 70 系列會在第四季度晚些時候,也就是 11 月左右發(fā)布,搭載全新麒麟 5G SoC,首發(fā)鴻蒙 HarmonyOS NEXT 正式版。現(xiàn)有爆料顯示,華為 Mate 70 系列采用了 1.5K LTPO 屏幕、 5000 萬像素的 OV50K 主攝 + 超大可變光圈,配備 5000~6000mAh 的新型硅負(fù)極電池(榮耀第三代青海湖電池硅含量已突破 10%,擁有行業(yè)最高 24.7% 的電池整機(jī)體積比)。此外,華為 Mate 70 非凡大師版手機(jī)采用全陶瓷后蓋,已拋棄雙拼結(jié)構(gòu)。
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今日看點丨華為 Mate 70 系列被曝整機(jī)已量;SK海力士全球率先量產(chǎn)12層堆疊HBM3E
- 臺積電(165726)
- 華為(249581)
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與此同時,SK海力士技術(shù)團(tuán)隊在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術(shù),其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性(Backward compatibility)**,因此客戶在基于HBM3組成的系統(tǒng)中,無需修改其設(shè)計或結(jié)構(gòu)也可以直接采用新產(chǎn)品。
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SK海力士推出全球首款HBM3E高帶寬存儲器,領(lǐng)先三星
在嚴(yán)格的9個開發(fā)階段后,當(dāng)前流程全部完成,步入最終的產(chǎn)能提升階段。此次項目完結(jié)正是達(dá)產(chǎn)升能的標(biāo)志,這預(yù)示著自今往后產(chǎn)出的所有HBM3E即刻具備向英偉達(dá)交付的條件。SK海力士計劃3月獲取英偉達(dá)對終品質(zhì)量的認(rèn)可,同步啟動大規(guī)模生產(chǎn)及交貨。
2024-02-21 10:17:05
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SK海力士將于3月量產(chǎn)HBM3E存儲器
在全球存儲半導(dǎo)體市場的激烈競爭中,SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲器器(HBM3E)的開發(fā)工作,并成功通過了Nvidia長達(dá)半年的性能評估。這一里程碑的達(dá)成標(biāo)志著SK海力士即將在今年3月開始量產(chǎn)這款革命性的存儲器產(chǎn)品,并計劃在下個月內(nèi)向其重要合作伙伴Nvidia供應(yīng)首批產(chǎn)品。
2024-02-21 11:14:08
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【機(jī)器視覺】歡創(chuàng)播報 | 曝華為Mate70系列籌備工作已開展
1 曝華為Mate70系列籌備工作已開展 2月19日,數(shù)碼博主爆料稱,華為Mate70系列的籌備工作已經(jīng)開展一段時間了,相比Mate 60系列,華為Mate 70系列備貨量提升40%~50%,預(yù)計
2024-02-22 11:09:20
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SK海力士宣布HBM內(nèi)存生產(chǎn)配額全部售罄
SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示,作為 HBM 行業(yè)翹楚,海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求,現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量,以期更好地滿足市場需求,保護(hù)其市場占有率。
2024-02-23 14:12:00
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SK海力士預(yù)計3月量產(chǎn)HBM3E,供貨英偉達(dá)
近日,全球存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士宣布,他們已成功完成了高性能HBM3E(High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced)的開發(fā),并且已經(jīng)通過了英偉達(dá)
2024-02-25 11:22:21
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HBM市場火爆!美光與SK海力士今年供貨已告罄
美光指出,專為AI、超級計算機(jī)設(shè)計的HBM3E預(yù)計2024年初量產(chǎn),有望于2024會計年度創(chuàng)造數(shù)億美元的營收。Mehrotra對分析師表示,“2024年1~12月,美光HBM預(yù)估全數(shù)售罄”。
2024-02-27 10:25:15
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三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM,帶寬高達(dá)1280GB/s,容量達(dá)36G
“隨著AI行業(yè)對大容量HBM的需求日益增大,我們的新產(chǎn)品HBM3E 12H應(yīng)運而生,”三星電子內(nèi)存規(guī)劃部門Yongcheol Bae解釋道,“這個存儲方案是我們在人人工智能時代所推崇的HBM核心技術(shù)、以及創(chuàng)新堆疊技術(shù)的成果展示。”
2024-02-27 10:36:25
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三星電子成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H
2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:00
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三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM
近日,三星電子宣布,已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存(HBM3E)產(chǎn)品——HBM3E 12H,再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解,HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品,其性能也實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。
2024-02-27 14:28:21
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美光開始量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的 HBM3E 解決方案,加速人工智能發(fā)展
其 HBM3E 高帶寬內(nèi)存 解決方案。英偉達(dá) H200 Tensor Core GPU?將采用美光 8 層堆疊的 24GB?容量 HBM3E?內(nèi)存,并于 2024?年第二季度開始出貨。美光通過這一
2024-03-04 14:51:51
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美光量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的HBM3E解決方案,加速人工智能發(fā)展
2024 年 3?月 4?日全球內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布已開始量產(chǎn)其 HBM3E 高帶寬
2024-03-04 18:51:41
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美光開始量產(chǎn)HBM3E解決方案
近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲器及影像產(chǎn)品制造商美光公司宣布,已開始大規(guī)模生產(chǎn)用于人工智能的新型高帶寬芯片——HBM3E。這一里程碑式的進(jìn)展不僅標(biāo)志著美光在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一次突破,也預(yù)示著人工智能領(lǐng)域?qū)⒂瓉砀鼮閺?qiáng)勁的計算能力支持。
2024-03-08 10:02:07
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SK海力士擴(kuò)大對芯片投資
SK海力士正積極應(yīng)對AI開發(fā)中關(guān)鍵組件HBM(高帶寬存儲器)日益增長的需求,為此公司正加大在先進(jìn)芯片封裝方面的投入。SK海力士負(fù)責(zé)封裝開發(fā)的李康旭副社長明確指出,公司正在韓國投入超過10億美元,以擴(kuò)大和改進(jìn)其芯片封裝技術(shù)。
2024-03-08 10:53:44
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SK海力士HBM3E內(nèi)存正式量產(chǎn),AI性能提升30倍,成本能耗降低96%
同日,SK海力士宣布啟動 HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作,并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過了七個月。據(jù)稱,該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠商,每秒鐘能處理高達(dá) 1.18TB 的數(shù)據(jù)。此項數(shù)據(jù)處理能力足以支持在一小時內(nèi)處理多達(dá)約 33,800 部全高清電影。
2024-03-19 09:57:44
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SK海力士HBM3E正式量產(chǎn),鞏固AI存儲領(lǐng)域的領(lǐng)先地位
SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家,預(yù)計這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗,將進(jìn)一步強(qiáng)化公司在AI存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:21
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什么是HBM3E內(nèi)存?Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核
Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對高帶寬和低延遲進(jìn)行了優(yōu)化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:37
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SK海力士成功量產(chǎn)超高性能AI存儲器HBM3E
HBM3E的推出,標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲器領(lǐng)域取得了重大突破,將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53
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英偉達(dá)尋求從三星采購HBM芯片
英偉達(dá)正在尋求與三星建立合作伙伴關(guān)系,計劃從后者采購高帶寬存儲(HBM)芯片。HBM作為人工智能(AI)芯片的核心組件,其重要性不言而喻。與此同時,三星正努力追趕業(yè)內(nèi)領(lǐng)頭羊SK海力士,后者已率先實現(xiàn)下一代HBM3E芯片的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-03-25 11:42:04
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NVIDIA預(yù)定購三星獨家供應(yīng)的大量12層HBM3E內(nèi)存
據(jù)悉,HBM3E 12H內(nèi)存具備高達(dá)1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量,較8層堆疊的HBM3 8H,分別提升了50%以上的帶寬及容量。
2024-03-25 15:36:11
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三星獨家供貨英偉達(dá)12層HBM3E內(nèi)存
據(jù)最新消息透露,英偉達(dá)即將從今年9月開始大規(guī)模采購12層HBM3E內(nèi)存,而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔(dān)。這一消息無疑為業(yè)內(nèi)帶來了不小的震動。
2024-03-26 10:59:06
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剛剛!SK海力士出局!
在基礎(chǔ)晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達(dá)發(fā)送了樣品。此前有消息稱,英偉達(dá)已經(jīng)向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預(yù)付款,供應(yīng)下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推進(jìn)12層
2024-03-27 09:12:08
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三星電子HBM存儲技術(shù)進(jìn)展:12層HBM3E芯片,2TB/s帶寬HBM4即將上市
據(jù)業(yè)內(nèi)透露,三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司,有能力在2024年9月實現(xiàn)對英偉達(dá)的替代,這意味著它將成為英偉達(dá)12層HBM3E的壟斷供應(yīng)商。然而,三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:09
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三星重磅發(fā)布全新12層36GB HBM3e DRAM
12層HBM3e將每個堆棧可用的總帶寬提高到驚人的1,280GB/s,這比單個堆棧上RTX 4090可用的全部帶寬還要高。
2024-03-29 10:47:09
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SK海力士與臺積電共同研發(fā)HBM4,預(yù)計2026年投產(chǎn)
自 HBM3E(第五代 HBM 產(chǎn)品)起,SK海力士的 HBM 產(chǎn)品基礎(chǔ)裸片均采用自家工藝生產(chǎn);然而,從 HMB4(第六代 HBM 產(chǎn)品)開始,該公司將轉(zhuǎn)用臺積電的先進(jìn)邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:07
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SK海力士將采用臺積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片
HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議,首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:19
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SK海力士:12Hi HBM3E于Q3完成,下半年內(nèi)存或供應(yīng)不足
韓國 SK海力士于 4 月 25 日透露在季度財報電話會議上,他們承諾第三季度能夠成功研發(fā)出 12 層堆疊的 HBM3E 系列芯片,然而由于供應(yīng)壓力,可能在下半年出現(xiàn)短缺現(xiàn)象。
2024-04-25 14:45:07
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SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計劃至2025年
SK海力士宣布,計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品,而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據(jù)該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎(chǔ)裸片合作協(xié)議,原本預(yù)計HBM4內(nèi)存要等到2026年才會問世。
2024-05-06 15:10:21
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SK海力士明年HBM產(chǎn)能基本售罄
SK海力士近日宣布,其高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能(AI)技術(shù)的蓬勃發(fā)展,極大地推動了市場對HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39
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SK海力士加速HBM4E內(nèi)存研發(fā),預(yù)計2026年面市
HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場需求,SK海力士將提速研發(fā)進(jìn)程,預(yù)計最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09
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SK海力士提前一年量產(chǎn)HBM4E第七代高帶寬存儲器
據(jù)業(yè)內(nèi)人士預(yù)計,HBM4E的堆疊層數(shù)將增加到16~20層,而SK海力士原本計劃在2026年量產(chǎn)16層的HBM4產(chǎn)品。此外,該公司還暗示,有可能從HBM4開始采用“混合鍵合”技術(shù)以實現(xiàn)更高的堆疊層數(shù)。
2024-05-15 09:45:35
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SK海力士HBM4E存儲器提前一年量產(chǎn)
SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上,由先進(jìn)HBM技術(shù)團(tuán)隊負(fù)責(zé)人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進(jìn)展。SK海力士計劃從2026年開始,提前一年量產(chǎn)其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明,SK海力士在HBM技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:13
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三星HBM3E芯片驗證仍在進(jìn)行,英偉達(dá)訂單分配備受關(guān)注
業(yè)內(nèi)評論指出,三星HBM之所以出現(xiàn)問題,主要原因在于負(fù)責(zé)英偉達(dá)GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標(biāo)準(zhǔn)。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方式與三星有所差異,導(dǎo)致三星產(chǎn)品未能順利通過驗證。
2024-05-16 17:56:20
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三星電子HBM3E芯片驗證仍在進(jìn)行,與英偉達(dá)展開聯(lián)合測試并取得階段性成果
據(jù)行業(yè)觀察者透露,三星HBM3E面臨的問題源于臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標(biāo)準(zhǔn),而這與三星自身的生產(chǎn)方式有所出入,從而影響了產(chǎn)品的認(rèn)證進(jìn)程。
2024-05-17 09:30:53
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SK海力士與臺積電攜手量產(chǎn)下一代HBM
近日,SK海力士與臺積電宣布達(dá)成合作,計劃量產(chǎn)下一代HBM(高帶寬內(nèi)存)。在這項合作中,臺積電將主導(dǎo)基礎(chǔ)芯片的前端工藝(FEOL)和后續(xù)布線工藝(BEOL),確保基礎(chǔ)芯片的質(zhì)量與性能。而SK海力士則負(fù)責(zé)晶圓測試和HBM的堆疊工作,確保產(chǎn)品的最終品質(zhì)與可靠性。
2024-05-20 09:18:46
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SK海力士HBM3E內(nèi)存良率已達(dá)80%
早在今年3月份,韓國媒體DealSite報道中指出,全球HBM存儲器的平均良率約為65%。據(jù)此來看,SK海力士在近期對HBM3E存儲器的生產(chǎn)工藝進(jìn)行了顯著提升。
2024-05-23 10:22:30
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SK海力士:HBM3E量產(chǎn)時間縮短50%,達(dá)到大約80%范圍的目標(biāo)良率
據(jù)報道,SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(HBM)—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:17
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中國AI芯片和HBM市場的未來
然而,全球HBM產(chǎn)能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷,其中SK海力士占據(jù)AI GPU市場80%份額,是Nvidia HBM3內(nèi)存獨家供應(yīng)商,且已于今年3月啟動HBM3E量產(chǎn)。
2024-05-28 09:40:31
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美光HBM3E解決方案,高帶寬內(nèi)存助力AI未來發(fā)展
美光近期發(fā)布的內(nèi)存和存儲產(chǎn)品組合創(chuàng)新備受矚目,這些成就加速了 AI 的發(fā)展。美光 8 層堆疊和 12 層堆疊 HBM3E 解決方案提供業(yè)界前沿性能,功耗比競品1低 30%。
2024-05-28 14:08:13
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SK海力士HBM技術(shù)再創(chuàng)新高,將集成更多功能
SK海力士正全力開發(fā)HBM4E存儲設(shè)備,意欲打造集計算、緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲于一身的新型HBM產(chǎn)品,進(jìn)而提升性能與數(shù)據(jù)傳輸速率。
2024-05-29 16:41:27
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SK海力士HBM4芯片前景看好
瑞銀集團(tuán)最新報告指出,SK海力士的HBM4芯片預(yù)計從2026年起,每年將貢獻(xiàn)6至15億美元的營收。作為高帶寬內(nèi)存(HBM)市場的領(lǐng)軍企業(yè),SK海力士已在今年2月宣布其HBM產(chǎn)能已全部售罄,顯示其產(chǎn)品的強(qiáng)勁需求。
2024-05-30 10:27:22
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SK海力士擴(kuò)大1b nm DRAM產(chǎn)能以應(yīng)對HBM3E需求
據(jù)韓國媒體報道,為了應(yīng)對市場對高性能HBM3E(高帶寬內(nèi)存第三代增強(qiáng)版)內(nèi)存的激增需求,全球知名半導(dǎo)體制造商SK海力士已決定大幅增加其1b nm制程DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。這一戰(zhàn)略決策旨在確保公司能夠穩(wěn)定供應(yīng)高質(zhì)量內(nèi)存產(chǎn)品,同時進(jìn)一步鞏固其在全球半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先地位。
2024-06-18 16:25:57
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英偉達(dá)巨資預(yù)訂HBM3E,力拼上半年算力市場
在全球AI芯片領(lǐng)域的激烈競爭中,英偉達(dá)以其卓越的技術(shù)實力和市場影響力,始終保持著領(lǐng)先地位。最近,這家AI芯片大廠再次展現(xiàn)出了其獨特的戰(zhàn)略眼光和強(qiáng)大的資金實力,以確保其新品GH200和H200能夠順利出貨,不惜以高達(dá)13億美元的預(yù)算,向美光和SK海力士預(yù)訂了部分高帶寬存儲HBM3e的產(chǎn)能。
2024-06-22 16:46:58
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SK海力士五層堆疊的3D DRAM生產(chǎn)良率達(dá)到56.1%
)提交了一份關(guān)于3D DRAM(三維動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)的詳細(xì)研究論文。該論文不僅揭示了SK海力士在3D DRAM領(lǐng)域取得的顯著進(jìn)展,更向世界展示了其在這一未來存儲技術(shù)上的堅定決心與卓越實力。
2024-06-24 15:35:29
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SK海力士5層堆疊3D DRAM制造良率已達(dá)56.1%
在全球半導(dǎo)體技術(shù)的激烈競爭中,SK海力士再次展示了其卓越的研發(fā)實力與創(chuàng)新能力。近日,在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上,SK海力士宣布了其在3D DRAM技術(shù)領(lǐng)域的最新研究成果,其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%,這一突破性的進(jìn)展引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
2024-06-27 10:50:22
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SK海力士加速布局HBM市場,產(chǎn)能擴(kuò)增應(yīng)對爆發(fā)式增長
的一次公開場合中明確指出,隨著ChatGPT等AI應(yīng)用的興起,HBM市場需求呈現(xiàn)出爆炸性增長態(tài)勢,預(yù)計其復(fù)合年增長率(CAGR)將高達(dá)70%。這一預(yù)測不僅彰顯了SK海力士對HBM市場前景的堅定信心,也預(yù)示著半導(dǎo)體行業(yè)即將迎來一場深刻的變革。
2024-07-08 11:54:49
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SK海力士將在HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合技術(shù)
在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次站在了行業(yè)創(chuàng)新的前沿。據(jù)最新消息,該公司計劃于2026年在其高性能內(nèi)存(High Bandwidth Memory, HBM)的生產(chǎn)過程中引入混合鍵合技術(shù),這一舉措不僅標(biāo)志著SK海力士在封裝技術(shù)上的重大突破,也預(yù)示著全球半導(dǎo)體行業(yè)將迎來新一輪的技術(shù)革新。
2024-07-17 09:58:19
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SK海力士與Amkor攜手推進(jìn)硅中介層合作,強(qiáng)化HBM市場競爭力
在半導(dǎo)體行業(yè)日益激烈的競爭中,SK海力士再次展現(xiàn)其前瞻布局與技術(shù)創(chuàng)新的決心。近日,有消息稱SK海力士正與全球知名的封裝測試外包服務(wù)(OSAT)大廠Amkor就硅中介層(Si Interposer
2024-07-18 09:42:51
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今日看點丨蘋果 iPhone 16 Pro / Max 被曝支持 Wi-Fi 7;三星:HBM3e先進(jìn)芯片今年量產(chǎn)
1. 三星:HBM3e 先進(jìn)芯片今年量產(chǎn),營收貢獻(xiàn)將增長至60% ? 三星電子公司計劃今年開始量產(chǎn)其第五代高帶寬存儲器(HBM)芯片HBM3e,并迅速提高其對營收的貢獻(xiàn)。三星電子表示,該公司預(yù)計其
2024-08-01 11:08:11
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SK海力士將在2025年底量產(chǎn)400+層堆疊NAND
近日,韓國權(quán)威媒體ETNews爆出猛料,SK海力士正在積極籌備加速下一代NAND閃存的研發(fā)進(jìn)程,并且已經(jīng)設(shè)定了明確的發(fā)展時間表——計劃在2025年底之前,全面完成高達(dá)400多層堆疊NAND的半成品制備工作,緊隨其后,將于2026年第二季度正式啟動并大規(guī)模投入生產(chǎn)。
2024-08-01 15:26:42
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三星HBM3e芯片量產(chǎn)在即,營收貢獻(xiàn)將飆升
三星電子公司近日宣布了一項重要計劃,即今年將全面啟動其第五代高帶寬存儲器(HBM)芯片HBM3e的量產(chǎn)工作,并預(yù)期這一先進(jìn)產(chǎn)品將顯著提升公司的營收貢獻(xiàn)。據(jù)三星電子透露,隨著HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:37
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SK海力士加速NAND研發(fā),400+層閃存量產(chǎn)在即
韓國半導(dǎo)體巨頭SK海力士正加速推進(jìn)NAND閃存技術(shù)的革新,據(jù)韓媒最新報道,該公司計劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作,并預(yù)計于次年第二季度正式開啟大規(guī)模生產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著SK海力士在NAND閃存領(lǐng)域再次邁出堅實步伐,引領(lǐng)行業(yè)技術(shù)前沿。
2024-08-02 16:56:11
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標(biāo)普上調(diào)SK海力士評級至BBB,看好其HBM領(lǐng)域主導(dǎo)地位
近日,國際知名評級機(jī)構(gòu)標(biāo)準(zhǔn)普爾全球評級(S&P Global Ratings)宣布了一項重要決策,將SK海力士的長期發(fā)行人信用及發(fā)行評級從BBB-提升至BBB,并維持穩(wěn)定的評級展望。此次上調(diào)評級,主要基于SK海力士在高性能內(nèi)存(HBM)領(lǐng)域的顯著“主導(dǎo)地位”以及全球內(nèi)存市場的積極復(fù)蘇趨勢。
2024-08-08 09:48:32
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三星否認(rèn)HBM3E芯片通過英偉達(dá)測試
近日,有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達(dá)測試的報道引起了廣泛關(guān)注。然而,三星電子迅速對此傳聞進(jìn)行了回應(yīng),明確表示該報道并不屬實。
2024-08-08 10:06:02
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SK海力士率先展示UFS 4.1通用閃存
在最近的FMS 2024峰會上,SK 海力士憑借其創(chuàng)新實力,率先向業(yè)界展示了尚未正式發(fā)布規(guī)范的UFS 4.1通用閃存新品,再次引領(lǐng)存儲技術(shù)的前沿。此次展示不僅彰顯了SK 海力士在存儲技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,也為未來的移動設(shè)備性能提升奠定了堅實基礎(chǔ)。
2024-08-10 16:52:08
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三星HBM3E內(nèi)存挑戰(zhàn)英偉達(dá)訂單,SK海力士霸主地位受撼動
進(jìn)入八月,市場傳言四起,韓國存儲芯片巨頭三星電子(簡稱“三星”)的8層HBM3E內(nèi)存(新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品)已順利通過英偉達(dá)嚴(yán)格測試。然而,三星迅速澄清,表示這一報道與事實相去甚遠(yuǎn),強(qiáng)調(diào)目前質(zhì)量測試
2024-08-23 15:02:56
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SK海力士9月底將量產(chǎn)12層HBM3E高性能內(nèi)存
自豪地宣布,SK 海力士當(dāng)前市場上的旗艦產(chǎn)品——8層HBM3E,已穩(wěn)坐行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位,而更進(jìn)一步的是,公司即將在本月底邁入一個新的里程碑,正式啟動12層HBM3E的量產(chǎn)。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士在
2024-09-05 16:31:36
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美光12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存啟動交付
美光科技近期宣布,其“生產(chǎn)可用”的12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存已成功啟動交付,標(biāo)志著AI計算領(lǐng)域的一大飛躍。這款先進(jìn)內(nèi)存正陸續(xù)送達(dá)主要行業(yè)合作伙伴手中,以全面融入并驗證其在整個AI生態(tài)系統(tǒng)中的效能。
2024-09-09 17:42:37
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SK海力士開始先進(jìn)人工智能芯片生產(chǎn)
SK海力士宣布,公司已正式踏入人工智能芯片生產(chǎn)的新階段,批量生產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內(nèi)存技術(shù)上的重大突破,更以36GB的超大容量刷新了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品的記錄,為全球人工智能領(lǐng)域的發(fā)展注入了強(qiáng)勁動力。
2024-09-26 14:24:41
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SK海力士引領(lǐng)未來:全球首發(fā)12層HBM3E芯片,重塑AI存儲技術(shù)格局
今日,半導(dǎo)體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑,該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)模化生產(chǎn),此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度,更進(jìn)一步鞏固了SK海力士在AI應(yīng)用存儲器市場的領(lǐng)軍地位。
2024-09-26 16:30:31
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英偉達(dá)、微軟、亞馬遜等排隊求購SK海力士HBM芯片,這些國產(chǎn)設(shè)備廠迎機(jī)遇
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李彎彎)據(jù)報道,繼英偉達(dá)之后,全球多個科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內(nèi)存HBM3E。半導(dǎo)體行業(yè)知情人士稱,各大科技巨頭都已經(jīng)在向SK海力士請求獲取HBM3E樣本,包括
2023-07-06 09:06:31
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HBM格局生變!傳三星HBM3量產(chǎn)供貨英偉達(dá),國內(nèi)廠商積極布局
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/吳子鵬)根據(jù)韓媒sedaily 的最新報道,三星華城17號產(chǎn)線已開始量產(chǎn)并向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3內(nèi)存。同時,美光已經(jīng)為英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E。至此,高端HBM內(nèi)存的供應(yīng)由SK海力士
2024-07-23 00:04:00
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HBM3E量產(chǎn)后,第六代HBM4要來了!
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)眼下各家存儲芯片廠商的HBM3E陸續(xù)量產(chǎn),HBM4正在緊鑼密鼓地研發(fā),從規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)到工藝制程、封裝技術(shù)等都有所進(jìn)展,原本SK海力士計劃2026年量產(chǎn)HBM4,不過最近
2024-07-28 00:58:13
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