鋁絲鍵合常借助超聲楔焊技術，通過超聲能量實現鋁絲與焊盤的直接鍵合。由于鍵合所用劈刀工具頭為楔形，使得....
在集成MEMS芯片的環境溫度測量領域，熱阻、熱電堆和PN結原理是三種主流技術。熱阻是利用熱敏電阻，如....
這一篇文章介紹幾種芯片加工工藝,在Fab里常見的加工工藝有四種類型,分別是圖形化技術（光刻）?摻雜技....
在電子器件封裝過程中，會出現多種類型的封裝缺陷，主要涵蓋引線變形、底座偏移、翹曲、芯片破裂、分層、空....
LED發光二極管，一種半導體元件，當向其中注入電流時會發光。
ACC（Automatic Current Control）是恒電流驅動，通過電流采樣反饋為電流驅動....
在集成電路生產過程中，晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕現象是一個常見但復雜的問題。每個環節都有可能成為晶圓背....
在電子封裝領域，各類材料因特性與應用場景不同，失效模式和分析檢測方法也各有差異。
在指甲蓋大小的芯片上，數百億晶體管需要通過比頭發絲細千倍的金屬線連接。當制程進入130納米節點時，傳....
在指甲蓋大小的硅片上建造包含數百億晶體管的“納米城市”，需要極其精密的工程規劃。分層制造工藝如同建造....
EBL就像是納米世界里的精密畫筆，能夠在極其微小的尺度上"畫"出任何你想要的二維圖案。
本文介紹了芯片封裝失效的典型現象：金線偏移、芯片開裂、界面開裂、基板裂紋和再流焊缺陷。
芯片制程從微米級進入2納米時代，晶體管架構經歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關鍵....
三維集成電路工藝技術因特征尺寸縮小與系統復雜度提升而發展，其核心目標在于通過垂直堆疊芯片突破二維物理....
在芯片的納米世界中，多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡稱Poly-Si） 。....
在MEMS制造工藝中，干法刻蝕是通過等離子體、離子束等氣態物質對薄膜材料或襯底進行刻蝕的工藝，其評價....
在半導體工藝研發與制造過程中，精確的表征技術是保障器件性能與良率的核心環節。
從工作頻段到信道的劃分，再到多址方式、雙工方式、調制方式、分集技術和MIMO，這些概念共同作用，使得....
熱波系統通過激光誘導熱效應與晶格缺陷的關聯性實現摻雜濃度評估。其核心機制為：氬泵浦激光經雙面鏡聚焦于....
當晶體管柵長縮至20納米以下，源漏極間可能形成隱秘的電流通道，導致晶體管無法關閉。而暈環注入（Hal....
化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, 簡稱 CMP）技術是一種....
在半導體硅片生產過程中，精確調控材料的電阻率是實現器件功能的關鍵，而原位摻雜、擴散和離子注入正是達成....
在指甲蓋大小的芯片上集成數百億晶體管，需要經歷數百道嚴苛工藝的淬煉。每一道工序的參數波動，都可能引發....
遠程等離子體刻蝕技術通過非接觸式能量傳遞實現材料加工，其中熱輔助離子束刻蝕（TAIBE）作為前沿技術....
在萬物互聯的社會，氣體感知技術已成為各領域發展的 “隱形衛士”。消費場景中，守護家居空氣質量；汽車領....
隨著半導體器件尺寸的不斷縮小和性能要求的日益提高，應變工程半導體異質結構在現代電子器件中發揮著關鍵作....
本文簡單介紹一下半導體鍍膜的相關知識，基礎的薄膜制備方法包含熱蒸發和濺射法兩類。
相比傳統體加工技術，表面微機械加工通過“犧牲層腐蝕”工藝，可構建更復雜的三維微結構，顯著擴展設計空間....
在半導體制造領域，晶體管結構的選擇如同建筑中的地基設計，直接決定了芯片的性能上限與能效邊界。當制程節....
“基帶”這個詞，最早來源于通信理論，意思是未經調制的原始信號。比如你打電話時說話的聲音、視頻通話中的....
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