SAW（聲表面波）和BAW（體聲波）是兩種常用于射頻濾波器中的技術，它們在頻率響應、損耗、適用頻段等....
深入理解設計規(guī)則，設計者可在可靠性測試結構優(yōu)化中兼顧性能、成本與質量，推動半導體技術的持續(xù)創(chuàng)新。
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中科院半導體所 發(fā)表于 04-11 14:59
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半導體是一種介于導體和絕緣體之間的導電性，半導體通過參雜可以使得能夠精確地控制電流的流動。通過基于晶....
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中科院半導體所 發(fā)表于 04-11 14:56
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二氧化硅是芯片制造中最基礎且關鍵的絕緣材料。本文介紹其常見沉積方法與應用場景，解析SiO?在柵極氧化....
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中科院半導體所 發(fā)表于 04-10 14:36
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金鋁效應是集成電路封裝中常見的失效問題，嚴重影響器件的可靠性。本文系統(tǒng)解析其成因、表現(xiàn)與演化機制，并....
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中科院半導體所 發(fā)表于 04-10 14:30
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本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結構特征、沉積技術及其工藝參數(shù)展開介紹，重點解析LPCVD方....
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中科院半導體所 發(fā)表于 04-09 16:19
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本文深入解析了焊盤起皮的成因、機制及其與工藝參數(shù)之間的關系，結合微觀形貌圖和仿真分析，系統(tǒng)探討了劈刀....
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中科院半導體所 發(fā)表于 04-09 16:15
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激光固化技術采用紅外激光器，首先使靜電噴涂在零件表面的粉末涂料顆粒快速凝膠化，隨后完成最終固化。熔化....
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中科院半導體所 發(fā)表于 04-09 10:41
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粘片作為芯片與管殼間實現(xiàn)連接和固定的關鍵工序，達成了封裝對于芯片的固定功能，以及芯片背面電連接功能。....
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中科院半導體所 發(fā)表于 04-09 10:37
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當加斯頓·普朗特在160多年前發(fā)明鉛酸電池時，他可能未曾預料到這一發(fā)明將催生一個價值數(shù)十億美元的產(chǎn)業(yè)....
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中科院半導體所 發(fā)表于 04-08 16:08
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封裝方案制定是集成電路（IC）封裝設計中的關鍵環(huán)節(jié)，涉及從芯片設計需求出發(fā)，制定出滿足功能、電氣性能....
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中科院半導體所 發(fā)表于 04-08 16:05
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PA（Power Amplifier，功率放大器）通信系統(tǒng)的重要組成模塊，負責將射頻信號的放大與功率....
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中科院半導體所 發(fā)表于 04-08 16:00
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本文介紹了High-K材料的物理性質、制備方法及其應用。
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中科院半導體所 發(fā)表于 04-08 15:59
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經(jīng)過封裝與測試的芯片，理論上已具備使用條件。然而在現(xiàn)實生活里，一個集成電路產(chǎn)品通常需要眾多芯片共同組....
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中科院半導體所 發(fā)表于 04-08 15:55
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多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡稱Poly）是由無數(shù)微小硅晶粒組成的非單晶....
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中科院半導體所 發(fā)表于 04-08 15:53
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3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢，本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。
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中科院半導體所 發(fā)表于 04-08 14:38
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本文介紹了MOS集成電路中的等比例縮小規(guī)則和超大規(guī)模集成電路的可靠性問題。
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中科院半導體所 發(fā)表于 04-02 14:09
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在集成電路設計中，版圖（Layout）是芯片設計的核心之一，通常是指芯片電路的物理實現(xiàn)圖。它描述了電....
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中科院半導體所 發(fā)表于 04-02 14:07
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本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。
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中科院半導體所 發(fā)表于 04-02 09:22
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本文介紹了集成電路設計領域中混合信號設計的概念、挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢。
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中科院半導體所 發(fā)表于 04-01 10:30
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本文通過分析器件制造中的影響因素，提出了版圖設計技術與匹配原則及其應用。
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中科院半導體所 發(fā)表于 04-01 10:26
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本文介紹了集成電路制造工藝中的柵極的工作原理、材料、工藝，以及先進柵極工藝技術。
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-27 16:07
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Low-K材料是介電常數(shù)顯著低于傳統(tǒng)二氧化硅（SiO?，k=3.9–4.2）的絕緣材料，主要用于芯片....
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-27 10:12
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光刻工藝貫穿整個芯片制造流程的多次重復轉印環(huán)節(jié)，對于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導....
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-27 09:21
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半導體集成電路失效機理中除了與封裝有關的失效機理以外，還有與應用有關的失效機理。
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-25 15:41
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在材料納米力學性能測試的眾多方法中，納米壓痕技術憑借其獨特的優(yōu)勢脫穎而出，成為當前的主流測試手段。
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-25 14:38
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Bi-CMOS工藝將雙極型器件（Bipolar）與CMOS工藝結合，旨在融合兩者的優(yōu)勢。CMOS具有....
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-21 14:21
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化學元素鋰于1817年由Johan August Arfwedson通過分析礦物鋰長石（LiAlSi....
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-20 14:27
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本文主要介紹CMOS集成電路基本制造工藝，特別聚焦于0.18μm工藝節(jié)點及其前后的變化，分述如下：前....
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-20 14:12
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封裝設計圖紙是集成電路封裝過程中用于傳達封裝結構、尺寸、布局、焊盤、走線等信息的重要文件。它是封裝設....
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中科院半導體所 發(fā)表于 03-20 14:10
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工商網(wǎng)監(jiān)